a) fajansu stołowego i kamionki stołowej b) porcelany stołowej
c) płytek fajansowych d) półporcelany
37. Wyroby ogniotrwałe impregnowane s solami nieorganicznymi:
a) aby zwi kszy ich odporno korozyjn b) aby podwy szy ich ogniotrwało c) aby podwy szy ich porowato d) aby zmieni ich charakter chemiczny 38. Sialony nale do materiałów
a) na bazie tlenku glinu
b) na bazie tlenku cyrkonu(IV) c) azotkowych
d) typu ferrytów 39. Zdolno szkłotwórcza
40. Charakterystyka stanu szklistego
41. Wła ciwo ci technologiczne szkieł
42. Proces technologiczny otrzymywania szkła 43. Metody formowania szkła
44. Wła ciwo ci u ytkowe szkła
1.Zaznacz tlenek posiadaj cy własno ci szkłotwórcze a)SiO2
b)Na2O c)ZnO d)MgO
2. Jak substancj jest szkło?
a)ciało stałe krystaliczne b)ciało stałe amorficzne c)ciecz przechłodzona d)plazma
3.Przy pomocy jakiego surowca mo na wprowadzi SiO2 do szkła?
a)m czka wapienna b)skale
c)boraks d)pota
4.Niekonwencjonalna metoda otrzymywania szkieł to:
a)wydmuchiwanie przy pomocy piszczeli b)zol- el
c)prasowanie d)rozwłóknianie
5.Zaznacz wła ciwo ci technologiczne szkła:
a)transmisja wiatła
b)współczynnik rozszerzalno ci termicznej c)lepko
d)pojemno cieplna
6.Lepko szkła w temperaturze transformacji wynosi:
a)107,65 dPas b)1023 dPas c)102 dPas d)1013 dPas
7.Zaznacz metod formowania szkła płaskiego:
a)rozwłóknianie b)prasowanie c)float
d)wydmuchiwanie
8. Termin klarowania szkła oznacza:
a) gwałtowne podwy szenie temp. stopu b)wyrównywanie st e w obj to ci stopu c)usuwanie p cherzy gazowych ze stopu d)rozpuszczanie gazów w masie szklanej 9.Szkło krzemianowe najch tniej reaguje z:
a)wod
b)kwasem solnym
c)kwa nymi deszczami d)alkaliami
10.Odpr anie wyrobów szklanych to:
a)gwałtowne studzenie b)gwałtowne ogrzewanie
c)podgrzanie i powolne studzenie w zakresie temp. transformacji d)na wietlanie promieniowaniem UV
Metody bada strukturalnych
1. Teoria dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, neutronów oraz elektronów.
2. Budowa dyfraktometru i przeprowadzenie pomiarów w dyfraktometrii proszkowej.
3. Analiza fazowa jako ciowa i ilo ciowa dyfraktogramów proszkowych.
4. Definicja i rodzaje metod spektroskopowych.
5. Czynniki wpływaj ce na posta widm spektroskopowych.
6. Budowa i działanie spektrometrów IR i Ramana.
7. Zastosowanie spektroskopii oscylacyjnej
8. Promieniowanie rentgenowskie ulega rozproszeniu na:
e) Komórce elementarnej f) Elektronach
g) J drach atomowych h) Elementach symetrii
9. Który z poni szych warunków jest konieczny, aby zaobserwowa dyfrakcj promieniowania na ciele stałym?
e) U yte promieniowanie musi by monochromatyczne.
f) Próbka musi by monokrystaliczna.
g) W próbce musi by uporz dkowanie daleko zasi gowe atomów/jonów/molekuł.
h) Próbka w trakcie pomiarów musi by obracana.
10. W którym ze składników równania Braggów-Wulfa kryj si informacje dotycz ce struktury kryształu?
e) Rz d dyfrakcyjny – n f) Długo fali – λ
g) Odległo ci mi dzypłaszczyznowe – d h) K t odbłysku - Θ
27. Który z poni szych warunków musi by spełniony, aby geometria ródło-próbka-detektor była nazwana Bragg-Brentano?
e) Wi zka pada na próbk pod k tem lizgowym (około 1o).
f) Próbka musi by obracana dookoła osi prostopadłej do padaj cego promieniowania.
g) Wystarczy zastosowa szczeliny Sollera pomi dzy ródłem a próbka jak i próbk i detektorem.
h) ródło i detektor musz znajdowa si na kole fokusacji.
28. Co to jest analiza fazowa ilo ciowa?
e) Okre lenie warto ci poziomu sygnału do poziomu szumów w dyfraktogramie.
f) Wskazanie z ilu i jakich faz krystalicznych składa si próbka.
g) Okre lenie procentowej zawarto ci fazy amorficznej w próbce.
h) Obliczenie wagowej procentowej zawarto ci poszczególnych faz krystalicznych w próbce.
29. Analiza fazowa ilo ciowa metod wzorca wewn trznego polega na:
e) Kolejno porównywaniu intensywno ci najsilniejszego refleksu ka dej z faz krystalicznych do odpowiednich refleksów w mi dzynarodowych bazach danych krystalicznych ICDD.
f) Kolejno porównywaniu pozycji wszystkich refleksów ka dej z faz krystalicznych do odpowiednich refleksów w mi dzynarodowych bazach danych krystalicznych ICDD.
g) Kolejno porównywaniu intensywno ci najsilniejszego refleksu ka dej z faz krystalicznych do intensywno ci refleksu fazy wzorcowej zmierzonej w identycznych warunkach we wcze niej przygotowanej próbce kalibracyjnej.
h) Kolejno porównywaniu intensywno ci najsilniejszego refleksu ka dej z faz krystalicznych do intensywno ci refleksu fazy wzorcowej dodanej do mierzonej próbki.
30. Oszacowanie wielko ci krystalitów metod Scherrer’a opiera si na analizie:
e) Poszerzenia szeroko ci połówkowej refleksów w stosunku do szeroko ci aparaturowej.
f) Zmiany szeroko ci połówkowej refleksów w zale no ci od k ta pomiarowego.
g) Poszerzenia szeroko ci połówkowej refleksów w stosunku do ich wysoko ci (amplitudy).
h) Poszerzenia szeroko ci połówkowej w stosunku do pomiarów wykonanych w innych warunkach termodynamicznych (termicznych, ci nieniowych itp.).
8. Który z poni szych czynników w najwi kszym stopniu determinuje kształt widma IR lub Ramana:
a. ilo , rodzaj oraz symetria rozmieszczenia atomów w cz steczce, b. poziom sygnału emitowanego przez ródło,
c. wielko nacisku u ytego przy przygotowaniu pastylek pomiarowych, d. czas odpowietrzania komory pomiarowej spektrometru.
9. Główne kryteria podziału na ró ne metody spektroskopowe to:
e) czas pomiaru, ilo skanów i rodzaj u ytej apodyzacji
f) masa próbki, u yte ci nienie robocze i rozdrobnienie materiału,
g) rodzaj promieniowania, energia z jak ono oddziałuje oraz sposób tego oddziaływania, h) nie ma takich kryteriów, bo istnieje tylko jedna metoda spektroskopowa,
10. Cechami jako ciowymi promieniowania elektromagnetycznego s : 31. ró nica dróg optycznych, współczynnik rozpadu, energia połówkowa, 32. czas pomiaru, liczebno grupy, współczynnik podziału,
33. długo fali, cz sto , liczba falowa,
34. kwantowanie, dualizm, rozszczepienie, monochromatyzacja.
11. Metale absorbuj w sposób charakterystyczny promieniowanie podczerwone poniewa : a. wi zania metaliczne nie powoduj zmiany momentu dipolowego,
b. próbki metaliczne s bardzo trudne w preparatyce i nie mo na ich otrzyma w postaci proszku, c. metale nie absorbuj w sposób charakterystyczny podczerwieni,
d. metale maj zbyt du y ci ar wła ciwy.
Nauka o materiałach
1. Opisz budow idealnego polikryształu jednofazowego i wymie znane Ci metody otrzymywania polikryształów.
2. Zdefiniuj poj cie „ spiekanie” i wymie podstawowe mechanizmy spiekania.
3. Podaj definicj i podział materiałów kompozytowych wraz z odpowiednimi przykładami.
4. Podaj prawo Hooke’a oraz zdefiniuj moduł Younga, moduł sztywno ci G i liczb Poisson’a . Podaj zakresy ich warto ci.
5. Narysuj krzywe σ=f(ε) dla typowych materiałów ceramicznych, metalicznych i polimerów.
6. Podaj sens fizyczny wielko ci KIC oraz zakres wielko ci KIC dla ceramiki i metali.
7. Scharakteryzuj poj cie: “odporno materiału na wstrz s cieplny”.
8. Podaj podział materiałów ze wzgl du na wła ciwo ci dieelektryczne.
9. Podaj podział materiałów ze wzgl du na wła ciwo ci magnetyczne.
10. Narysuj krzywe histerezy magnetycznej dla materiałów magnetycznie mi kkich i magnetycznie twardych.
11. Wymie typy centrów barwnych w materiałach ceramicznych.
12. Mówi c o mikrostrukturze badacz materiałów ma na my li:
a) konfiguracj elektronow składowych atomów, jonów lub cz steczek;
b) rodzaje wi za wyst puj cych w materiale;
c) wzajemne uło enie przestrzenne atomów;
d) rodzaje współistniej cych faz i ich rozmieszczenie w materiale X 13. Które z podanych wielko ci okre laj wytrzymało teoretyczn materiału?
e) moduł Younga i długo szczeliny krytycznej;
f) moduł Younga, energia powierzchniowa, porowato ;
g) energia powierzchniowa, moduł Younga, odległo równowagowa atomów (jonów); X
h) energia powierzchniowa, długo szczeliny krytycznej, odległo równowagowa atomów (jonów);
14. Od jakich parametrów budowy materiałów zale ich wła ciwo ci spr yste?
i) od charakteru wi za chemicznych;
j) od składu fazowego;
k) od mikrostruktury, a w tym od obecno ci porów;
l) od wszystkich powy szych cech X
15. Urz dzenia, w których pracuj materiały piezoelektryczne, wykorzystywane s szeroko w technice. Które z wymienionych zjawisk wykorzystuje si w tych zastosowaniach?
m) wysokie przewodnictwo elektryczne;
n) wysoki opór elektryczny;
o) przetwarzanie energii elektrycznej w mechaniczn i odwrotnie X p) przetwarzanie energii elektrycznej w ciepło i odwrotnie.
16. Wska cechy nie wyst puj ce adnym znanym ci polikrysztale ceramicznym:
a) wysokie przewodnictwo cieplne b) przewodnictwo elektryczne c) prze roczysto
d) twardo powy ej 10 Mohsa X 17. Celem krystalizacji szkła jest
a) podniesienie odporno ci mechanicznej X b) podwy szenie własno ci optycznych
c) oczyszczenie szkła z domieszek naturalnych d) podniesienie homogeniczno ci
18. Kolor czerwony rubinu otrzymuje si przez domieszkowanie korundu a) elazem
b) tytanem c) manganem d) chromem X
19. Wska metod otrzymywania monokryształów w których materiał musi przechodzi przez faz stopion
a) metoda Czochralskiego X b) metoda hydrotermalna c) CVD
d) krystalizacja z roztworów wodnych 20. Siła nap dow spiekania jest:
a) obecno w procesie fazy ciekłej b) spadek energii układu ziaren X
c) sprasowanie proszku przy formowaniu d) wyst powanie zjawisk dyfuzyjnych 21. Wytrzymało tworzyw nie zale y:
a) od st enia defektów punktowych X b) od siły wi za
c) od energii p kania
d) od wielko ci defektów strukturalnych
Podstawy In ynierii Materiałów
1. Wielko ci okre laj ce odchylenie od stanu równowagi w procesach: krystalizacja z fazy gazowej, z roztworu, ze stopu. Zale no wielko ci zarodka krytycznego od wielko ci odchylenia od stanu równowagi. Warunki sprzyjaj ce wzrostowi monokryształów.
2. Otrzymywanie polikryształów jedno- i wielofazowych metod krystalizacji ze stopu – kinetyka krystalizacji.
3. Wpływ parametrów chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) na szybko wzrostu warstw, ich struktur i wła ciwo ci.
4. Spiekanie w fazie stałej w uj ciu modelowym. Samorzutno procesu spiekania.
Mechanizmy prowadz ce do skurczu materiału. Kinetyka spiekania. Zale no szybko ci spiekania od temperatury.
5. Rozrost ziarn w procesie spiekania – mechanizm rozrostu.
6. Spiekanie z udziałem fazy ciekłej bez udziału reakcji chemicznych – czynniki wpływaj ce na przebieg spiekania.
7. Spiekanie reakcyjne „chemiczne” – samorzutno procesu.
8. Wielko przechłodzenia stopu ceramicznego wynosi odpowiednio ∆T1, ∆T2, ∆T3, przy czym ∆T1> ∆T2> ∆T3.
Niech r* oznacza promie zarodka krytycznego, ∆G* entalpi swobodn procesu krystalizacji.
Które nierówno ci s prawdziwe:
a. r2*> r3*> r1*, ∆G2* > ∆G3* > ∆G1* b. r 3*> r2*> r1*, ∆G3* > ∆G2* > ∆G1* c. r *> r *> r *, ∆G * > ∆G * > ∆G *
d. r1*> r3*> r2*, ∆G1* > ∆G3* > ∆G2*
9. W procesie CVD otrzymano warstwy Si3N4 na podło u metalicznym. Parametr chropowato ci podło a Ra = 0,05, po procesie osadzania zmniejszył si do Ra= 0,01.
Wzrost warstw limitowany był przez:
a. dyfuzyjny transport masy w fazie gazowej b. transport konwekcyjny
c. reakcje chemiczne na powierzchni
d. dyfuzyjny transport gazowych produktów reakcji
10. Rozwini cie powierzchni proszku zło onego z jednakowych kulistych ziarn wynosi 1,2 · 103 m2/kg.
Je li jednostkowa energia dla powierzchni ciało stałe – gaz wynosi 10 J/m2, a dla powierzchni ciało stałe – ciało stałe 0,2 J/m2, to wówczas spadek entalpii swobodnej zwi zany z procesem spiekania wynosi:
e. 952 J/kg f. 1188 J/kg g. 1210 J/kg h. 527 J/kg
11. Gradient st enia wakacji w szyjce podczas spiekania jest konsekwencj : i. adaptacji powierzchni ziarn
j. odparowania cz ci atomów na skutek wzrostu temperatury k. dyfuzji atomów na powierzchni ziarna
l. napr e w szyjce
12. Je li w danym etapie procesu spiekania dominuje mechanizm parowania i kondensacji, to wówczas skurcz materiału:
m. ro nie liniowo
n. ro nie z czasem jak t1/p
o. w takim przypadku nie obserwuje si skurczu
p. ro nie z czasem i zmiany te opisane s zło onym równaniem
13. W czasie rozrostu ziarn w procesie spiekania granica mi dzyziarnowa przesuwa si od ziarna:
q. mniejszego w kierunku wi kszego, je eli to ostatnie ma wkl sł powierzchni graniczn
r. mniejszego w kierunku wi kszego, je eli to ostatnie ma wypukł powierzchni graniczn
s. wi kszego w kierunku mniejszego, je eli to ostatnie ma wypukł powierzchni graniczn
t. wi kszego w kierunku mniejszego, je eli to ostatnie ma wkl sł powierzchni graniczn
14. Krytyczna wielko ziarn jest to:
u. maksymalny rozmiar ziarna, który nie mo e by przekroczony z uwagi na uruchomienie procesu hamowania ziarn
v. rozmiar ziarna, po osi gni ciu którego nast puje dekohezja materiału w. minimalny rozmiar ziarna po osi gni ciu którego nast puje dekohezja
materiału
x. rozmiar ziarna, po osi gni ciu którego nast puje konsolidacja materiału 15. Przebieg procesów przenoszenia masy w trakcie spiekania z udziałem fazy ciekłej
zale y od (wska odpowied bł dn ) y. g sto ci fazy ciekłej
z. ilo ci fazy ciekłej
aa. zwil ania ciała stałego przez ciecz bb. lepko ci fazy ciekłej
16. Niereaktywna ciecz, której udział obj to ciowy jest równy ok. 10%, a k t zwil ania ciała stałego wynosi ok. 0° :
cc. b dzie ułatwia przegrupowanie ziarn i wpływa na zjawiska dyfuzyjne dd. nie b dzie odgrywa adnej roli na jakimkolwiek etapie spiekania ee. b dzie w niewielkim stopniu modyfikowa pierwsze etapy spiekania ff. b dzie tworzy faz ci gł w układzie i wpływa na rozrost ziarn
17. Spadek entalpii swobodnej podczas spiekania reakcyjnego („chemicznego”) jest zwi zany ze zmian :
gg. energii powierzchniowej hh. energii rozproszonej
ii. energii wynikaj cej ze zmiany składu chemicznego jj. obj to ci układu