Pełen tekst

(1)

SWITCHMODE NPN Silicon Planar Power Transistor

The BUH150G has an application specific state−of−art die designed for use in 150 W Halogen electronic transformers.

This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the startup conditions or under a short circuit across the load.

Features

• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:

High and Flat DC Current Gain h

FE

Fast Switching

• Robustness Due to the Technology Developed to Manufacture this Device

• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

MAXIMUM RATINGS

Rating Symbol Value Unit

Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO 400 Vdc

Collector−Base Breakdown Voltage VCBO 700 Vdc

Collector−Emitter Breakdown Voltage VCES 700 Vdc

Emitter−Base Voltage VEBO 10 Vdc

Collector Current − Continuous

− Peak (Note 1) IC

ICM 15

25 Adc

Base Current − Continuous

− Peak (Note 1) IB

IBM 6

12 Adc

Total Device Dissipation @ TC = 25_C

Derate above 25°C PD 150

1.2 W

W/_C Operating and Storage Temperature TJ, Tstg −65 to 150 _C THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics Symbol Max Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Case RqJC 0.85 _C/W Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA 62.5 _C/W Maximum Lead Temperature for Soldering

Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds TL 260 _C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.

POWER TRANSISTOR 15 AMPERES 700 VOLTS, 150 WATTS

TO−220AB CASE 221A−09

STYLE 1 1

http://onsemi.com

MARKING DIAGRAM

BUH150 = Device Code A = Assembly Location

Y = Year

WW = Work Week

G = Pb−Free Package 23

BUH150G AY WW

ORDERING INFORMATION

(2)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TC = 25°C unless otherwise noted)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

SymbolÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Min ÎÎÎ

ÎÎÎ

TypÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

OFF CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCEO(sus)ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

400 ÎÎÎ

ÎÎÎ

460ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector−Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCBO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

700

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

860

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter−Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VEBO ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

10 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

12.3ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(VCE = Rated VCEO, IB = 0) ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ICEO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

100

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(VCE = Rated VCES, VEB = 0)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ICES

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1000100

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Base Current

(VCB = Rated VCBO, VEB = 0)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ICBO ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1000100

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter−Cutoff Current

(VEB = 9 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

IEBO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

100

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ON CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VBE(sat)ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

1 ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1.25 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCE(sat)ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

0.160.15

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

0.40.4

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

0.45

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

2

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Current Gain (IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

hFE

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

2.54

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

4.57

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc) ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

86

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

1210

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc) ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1214

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

2022

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

10 ÎÎÎ

ÎÎÎ

20 ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DYNAMIC SATURATION VOLTAGE

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Dynamic Saturation Voltage:

Determined 3 ms after rising IB1 reaches 90% of final IB1 (see Figure 19)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc VCC = 300 V

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCE(dsat)ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

1.5ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

2.8ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc VCC = 300 V

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

2.4ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

5 ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

V

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DYNAMIC CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Current Gain Bandwidth

(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

fT ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

23 ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

MHz

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Cob

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

100

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

150

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

pF

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Input Capacitance

(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Cib ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

1300ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1750 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

pF

(3)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TC = 25°C unless otherwise noted)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

SymbolÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Min ÎÎÎ

ÎÎÎ

TypÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 ms)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−on Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 2 Adc, IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc VCC = 300 Vdc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ton ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

200ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

300 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ts ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

5.3ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

6.5 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tf ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

240ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

350 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−off Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

toff ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

5.6ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

7 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−on Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc IB2 = 0.4 Adc VCC = 300 Vdc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ton ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

100ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

200 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ts ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

6.1ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

7.5 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tf ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

320ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

500 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−off Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

toff ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

6.5ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

8 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−on Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc IB2 = 0.5 Adc VCC = 300 Vdc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ton ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

450800

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

650 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−off Time

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

toff

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

2.53.9ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

3

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−on Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc IB2 = 2 Adc VCC = 300 Vdc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ton

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

500900

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

700 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Turn−off Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

toff ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

2.252.75

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

2.75 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 mH)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 2 Adc IB1 = 0.2 Adc IB2 = 0.2 Adc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

160110

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

250

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

6.58

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

8 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

235240ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

350 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 2 Adc IB1 = 0.4 Adc IB2 = 0.4 Adc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

170110

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

250 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

7.86

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

7.5 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

250270ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

350

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 5 Adc IB1 = 0.5 Adc IB2 = 0.5 Adc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

140110

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

150 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

3.254.6

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

3.75 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

275450

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

350

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

IC = 10 Adc IB1 = 2 Adc IB2 = 2 Adc

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

160110

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

175 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsi ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

2.32.8ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

2.75 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ms

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎ

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

250475

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

350 ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

(4)

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt 100

10

1

10 1

0.1 0.001

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

hFE, DC CURRENT GAIN

TJ = 125°C

TJ = 25°C TJ = -20°C

VCE = 1 V

Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt 100

10

1

10 1

0.1 0.001

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

hFE, DC CURRENT GAIN

TJ = 125°C

TJ = 25°C TJ = -20°C

VCE = 3 V

0.01 0.01

Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt 100

10

1

100 1

0.1 0.01

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

hFE, DC CURRENT GAIN

TJ = 125°C

TJ = 25°C TJ = -20°C

VCE = 5 V

10

Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage 10

1

0.01

100 1

0.1 0.001

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) TJ = 125°C

TJ = 25°C

TJ = -20°C IC/IB = 5

VCE, VOLTAGE (VOLTS)

0.1

10

1

TJ = 125°C

TJ = 25°C

VCE, VOLTAGE (VOLTS)

0.1

1.5

1

VBE, VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = -20°C

IC/IB = 5

0.5

0.01 10

IC/IB = 10

100 100

(5)

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

Figure 7. Base−Emitter Saturation Region 1.5

0.5

0

100 1

0.1 0.001

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

VBE, VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = -20°C 1

0.01 IC/IB = 10

Figure 8. Collector Saturation Region 2

1

0

100 1

0.1 0.01

IB, BASE CURRENT (A) VCE(sat)

(IC = 1 A)

VCE, VOLTAGE (VOLTS)

TJ = 25°C

5 A 8 A 1.5

0.5

20 A 15 A

Figure 9. Capacitance 10000

10

100 10

1

VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

C, CAPACITANCE (pF)

100

Cib (pF)

TJ = 25°C f(test) = 1 MHz 1000

Figure 10. Resistive Breakdown 900

700

400

1000 100

10

RBE (W)

BVCER (VOLTS)

TJ = 25°C BVCER @ 10 mA

800

600

500

BVCER(sus) @ 200 mA

10 10

10 A

Cob (pF)

(6)

t, TIME (s)μ

TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS

Figure 11. Resistive Switching, ton 2000

1000

0

15 3

0

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 6

t, TIME (ns)

1400

800

IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 40 ms

Figure 12. Resistive Switch Time, toff 12

6

0

15 10

0

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

Figure 13. Inductive Storage Time, tsi 8

0

15 5

1

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 6

3

8

4

2

7 TJ = 125°C TJ = 25°C

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 1800

IC/IB = 5

550

t, TIME (ns)

150

TJ = 125°C TJ = 25°C

tc

tfi 350

9 12

IC/IB = 10

IC/IB = 5 125°C

25°C

5 TJ = 25°C TJ = 125°C

IB1 = IB2 VCC = 300 V PW = 20 ms

IC/IB = 10

IC/IB = 5

t, TIME (s)μ

Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi 8

0

10 4

1

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 7

4

7 TJ = 125°C

TJ = 25°C

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH

t, TIME (s)μ

6 5

3

IC/IB = 10

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH

800

t, TIME (ns)

200

TC = 125°C TC = 25°C

tc

tfi 400

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH 600

1600

1200

600 400 200

10

7

4 5

1 2

3 9 11 13

2 1

450

250

700

500

300

100 125°C

25°C

(7)

TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS

5

0

10 4

2

hFE, FORCED GAIN 8 4

6

TJ = 125°C TJ = 25°C

Figure 16. Inductive Storage Time 3

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH

Figure 17. Inductive Fall Time 200

0

10 3

hFE, FORCED GAIN 150

t fi, FALL TIME (ns) 100

50

4 6 7

TJ = 125°C TJ = 25°C

, STORAGE TIME (

t si

μs)

IC = 5 A

IC = 10 A

5 8 9

IBoff = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH

Figure 18. Inductive Crossover Time 800

300

100

hFE, FORCED GAIN 600

t c, CROSSOVER TIME (ns)

700

400 500

200

10

3 4 5 6 7 8 9

IB1 = IB2 VCC = 15 V VZ = 300 V LC = 200 mH

TJ = 125°C TJ = 25°C 1

IC = 5 A

IC = 5 A 2

IC = 10 A

IC = 10 A

(8)

TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS

Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit

V(BR)CEO(sus)

L = 10 mH RB2 = ∞ VCC = 20 Volts IC(pk) = 100 mA

Inductive Switching L = 200 mH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1

RBSOA L = 500 mH RB2 = 0 VCC = 15 Volts RB1 selected for desired IB1 Figure 19. Dynamic Saturation Voltage

Measurements TIME VCE

0 V

IB

90% IB 1 ms

dyn 1 ms

dyn 3 ms

Figure 20. Inductive Switching Measurements 10

4

0

8 2

0

TIME

6 8

6

2

4 9

7

5

3

1

1 3 5 7

IB IC

Vclamp

tsi

tc tfi 90% IC

10% IC

90% IB1 10% Vclamp

+15 V

1 mF 150 W 3 W

100 W 3 W

MPF930 +10 V

50 COMMON W

-Voff

500 mF MPF930

MTP8P10

MUR105

MJE210

MTP12N10 MTP8P10

150 W 3 W

100 mF

Iout A RB1

RB2

1 mF

IC PEAK

VCE PEAK VCE

IB IB1

IB2 3 ms

(9)

TYPICAL THERMAL RESPONSE

Figure 21. Forward Bias Power Derating 1

0

160 100

20

TC, CASE TEMPERATURE (°C) 0.8

POWER DERATING FACTOR

0.6

0.4

0.2

60 140

SECOND BREAKDOWN DERATING

40 80 120

THERMAL DERATING

There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate I

C

−V

CE

limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is based on T

C

= 25°C; T

J(pk)

is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when T

C

> 25°C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 22 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 21.

T

J(pk)

may be calculated from the data in Figure 24. At any case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown. For inductive loads, high voltage and current must be sustained simultaneously during turn−off with the base to emitter junction reverse biased. The safe level is specified as a reverse biased safe operating area (Figure 23). This rating is verified under clamped conditions so that the device is never subjected to an avalanche mode.

Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area 100

0.01

1000 1

VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 23. Reverse Bias Safe Operating Area 16

6

0

800 300

VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 100

1

0.1

I C, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

I C, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

DC 5 ms

1 ms 10 ms

1 ms

8

2

GAIN ≥ 5

0 V -1.5 V

- 5 V

TC≤ 125°C LC = 4 mH 10

400 500 600 700

12

4 14

10

10

EXTENDED SOA

1

0.1

THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)

RqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 0.83°C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN P(pk)

t1 0.05

0.5

0.2 0.1

(10)

PACKAGE DIMENSIONS

TO−220 CASE 221A−09

ISSUE AG

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED.

DIM MIN MAX MIN MAX

MILLIMETERS INCHES

A 0.570 0.620 14.48 15.75 B 0.380 0.405 9.66 10.28 C 0.160 0.190 4.07 4.82 D 0.025 0.036 0.64 0.91 F 0.142 0.161 3.61 4.09 G 0.095 0.105 2.42 2.66 H 0.110 0.161 2.80 4.10 J 0.014 0.025 0.36 0.64 K 0.500 0.562 12.70 14.27 L 0.045 0.060 1.15 1.52 N 0.190 0.210 4.83 5.33 Q 0.100 0.120 2.54 3.04 R 0.080 0.110 2.04 2.79 S 0.045 0.055 1.15 1.39 T 0.235 0.255 5.97 6.47 U 0.000 0.050 0.00 1.27

V 0.045 --- 1.15 ---

Z --- 0.080 --- 2.04

B

Q

H Z

L V

G N

A

K F

1 2 3 4

D

SEATING PLANE

−T−

C T S

U

R J

STYLE 1:

PIN 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.

“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal

Obraz

Updating...

Cytaty

Updating...

Powiązane tematy :