Prezentowany w pracy materiał mieści się w dziedzinie technologii elektronowej – do- tyczy nanoszenia cienkich warstw metalicznych i związków półprzewodnikowych.
Pełen tekst
Powiązane dokumenty
Na obecnym stanie eksperymentów stwierdzono, że pokrycie siatki materiałem trudnym do napylenia (w badanym przypadku krzem), nie zmienia własności targetu a
lub adhezyjnych L c2. Jedną z bardziej typowych form niszczenia kohezyjnego są pęknięcia powłoki w kierunku prostopadłym do kierunku ruchu wgłębnika. Występujące
DC01 na podstawie próby rozciągania zależność naprężenia od odkształcenia wprowadzono do modelu. Istotnym etapem modelowania procesu cięcia dla przestrzennego
Częściowym wytłumaczeniem większego poziomu naprężeń rozciągających w warstwach MCD może być obecność dobrze rozróżnialnych krystalitów o ukierunkowaniu
Przyjęto dwa rozwiązania technologii nanoszenia: warstwa okna CdS uzyskana metodą rozpylenia magnetronowego oraz warstwa okna CdS uzyskana metodą kąpieli
Z przedstawionych rezultatów badań wynika, że stosując metodę sekwen- cyjnego osadzania warstw techniką rozpylania magnetronowego z materiałów CuGa, In, Cu przy
Autorzy w niniejszej pracy wykonali badania metodą mikroskopii sił atomowych (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C – Rys.1.) cienkich warstw SnO 2 otrzymanych w
Warstwy ditlenku cyny trawione przy użyciu względnie wysokich mocy generatora (450W, 550W) i 15 minutowego czasu ekspozycji, osiągnęły zniko- me grubości w zakresie od 0,6nm