• Nie Znaleziono Wyników

E – 1. TRANZYSTOR CEL Ć

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "E – 1. TRANZYSTOR CEL Ć"

Copied!
2
0
0

Pełen tekst

(1)

E – 1. TRANZYSTOR

CEL ĆWICZENIA:

Zapoznanie się z urządzeniem półprzewodnikowym tj. tranzystorem bipolarnych. Wykreślenie charakterystyk statycznych i wyznaczenie jego podstawowych parametrów. Tranzystor jako czwórnik i wzmacniacz.

ZAGADNIENIA TEORETYCZNE:

1. Złącze p-n - zasada działania, charakterystyka prądowo-napięciowa złącza.

2. Tranzystor - zasada działania. Tranzystory typu n-p-n i p-n-p.

3. Charakterystyki statyczne tranzystora i jego parametry.

4. Wzmacniacz tranzystorowy w układzie WE.

5. Konstrukcja prostej obciąŜenia wzmacniacza.

6. Graficzna metoda wyznaczania parametrów tranzystora.

PRZEBIEG ĆWICZENIA:

1. Połączyć układ elektroniczny wg schematu ideowego przedstawionego na Rys.1.

2. Wyznaczyć rodzinę charakterystyk statycznych tranzystora w pierwszej ćwiartce:

tj. zaleŜność natęŜenia prądu kolektora Ic od napięcia kolektor-emiter Uce dla stałej wartości prądu bazy JB. Rodzina powstanie wówczas, gdy na jednym wykresie wykreślimy kilka charakterystyk.

3. Napięcie Uce zmieniać w zakresie od zera do 7 wolt, prąd bazy od zera do 750 miliamper.

4. Pomiary przeprowadzić dla pięciu róŜnych prądów bazy JB. 5. Wyniki pomiarów wpisać do tabeli:

Tabela1.

JB1 [uA]

=

JB2 [uA]

=

JB3 [uA]

=

JB4 [uA]

=

JB5 [uA]

= Lp UCE [V] IC [mA] IC [mA] IC [mA] IC [mA] IC [mA]

1 0,0 0,0

2 0,5 3 1,0 4 1,5 5 2,0 6 3,0 Itd.

6. Badanie wzmocnienia tranzystora w układzie WE (wspólny emiter).

Połączyć układ elektroniczny wg schematu ideowego przedstawionego na Rys.2.

7. Dla badanego tranzystora: BF459 moŜna ustawić:

-wartość napięcia zasilającego wzmacniacz EO : od 6 do 8 wolt.

- oporność obciąŜenia RO: od 150 do 500 ohm.

- oporność na wejściu układu RB: od 1,5 do 10 kohm.

- prąd bazy JB: od zera do 750 uA.

(2)

2

8. Wyniki pomiarów wpisać do tabeli:

Tabela2.

LP IB [uA] IC [mA]

Uwe UBE [V]

Uwy UCE [V]

Ku [ V/V]

1 0,0 2 100,0 3 200,0 4 300,0

Itd.

OPRACOWANIE WYNIKÓW:

1. Wykreślić rodzinę charakterystyk statycznych badanego tranzystora n-p-n w układzie WE (pierwsza ćwiartka).

2. Znając wartość obciąŜenia Ro oraz napięcia Eo wrysować do charakterystyk statycznych badanego tranzystora n-p-n prostą pracy-obciąŜenia.

3. Na podstawie tabeli 2 wyznaczyć współczynnik wzmocnienia prądowego-Beta i współczynnik wzmocnienia napięciowego Ku.

4. Zapisać wnioski końcowe.

LITERATURA

1. R. Śledziewski – Elektronika dla studentów fizyki, PWN Warszawa 1985 2. G. I. Jepifanow – Fizyczne podstawy mikroelektroniki, WNT Warszawa 1976.

3. Z. Biernacki – Laboratorium elektrotechniki i elektroniki, P. Cz. Częstochowa 1991.

4. J. Piecha – Elementy i układy liniowe, Uniwersytet Śląski Katowice 1979.

5. Z. Nosal, J. Baranowski – Układy elektroniczne cz. 1. W N T Warszawa 1998.

6. W.Rosiński – Zasady działania tranzystorów, WNT Warszawa 1977.

7. Internet - strony www.

Cytaty

Powiązane dokumenty

Również wyjaśnienia Dariusza Lewandowskiego w odniesieniu do okoliczności jego przyjazdu do Czech, załadunku towaru na samochód, jego przywozu do Polski

[r]

Szereg danych w skazuje, że funkcja pew ny ch kanałów może być reg u lo w an a bezpośrednio przez trifosforan inozytolu, w tórny przekaźnik pow stający poprzez

Układ do wyznaczania charakterystyk, zasilacz prądu stałego (dwa napięcia), dwa woltomierze, miliamperomierz, mikroamperomierz (cztery multimetry uniwersalne).. Tranzystor w

Połączyć układ elektroniczny wg schematu blokowego podanego na rysunku nr.1... Zapisać

Pryzmat ustawiamy na stoliku spektrometru tak, aby jego kąt łamiący znalazł się po prawej stronie osi kolimatora i aby promienie na niego padające uległy odchyleniu.. Szukamy obrazu

Do wyznaczania współczynników załamania cieczy i przezroczystych ciał stałych mogą być stosowane refraktometry, w których metoda pomiaru

Dla złącza krzemowego, prąd nasycenia jest zdominowany przez prąd generacji nośników w obszarze zubożonym