Optoelektronika; Fotodioda BPYP 42, BPYP 42W - Digital Library of the Silesian University of Technology

(1)

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

FOTODIODA * ' BHP 42

BHP 42W Fotodioda B H P 42 j e s t krss^nową epiplanama,. fo to d io d ą PIW

w i e lk ie j c z ę s t o t liw o ś c i,p r z e z n a c z o n ą do zastosow ania w układach światłowodowej telek o m u n ik acji o p ty cz n e j.

Fotodioda B H P 42 montowana j e s t na i z o l a t o r z e TO-18 i hermety

zowana c ie n k ą warstwą tworzywa sztu czn ego .

Fotodioda BH P 42 W montowana j e s t w s p e c ja l n e j obudowie, zape

w n iającej, łatw e i wysokosprawne sp r z ę ż e n ie optyczne ze ś w ia t ło wodem jednowłóknowym o śred n icy do 150 /um lu b do 250^um

/2 w e r s je /b e z k o n ieczn o ści stosow jinia konelctora na końcu światłowodu. Obudowa p o siad a dodatkowo gwint M8x0,75 słu żący do mocowania fo to d io d y - Na ry s.1 pokazano obudowę fo to d io d B H P '42, na r y s . 2 p rzek ró j obudowy BHP 42 W.

R y s . 1 . Obudowa f o t o d i o d y Pi W 4 2

(2)

1-KoBzu l ka p l a s tikowa 2~Nakrętka zaola k a ją o a

4—I z o l a t o r TO-18

ze s t r u k t ura fotodjodow ą

. 2 . Przekrój przez obudowę fo to d io d y BTYF 42 W

(3)

- 3^-

DO PUC ZO ŻALNE PAR AIY1ETRY EKG P10ATACYJNE N apięcie p o l a r y z a c ji w kierunku.

zaporowym 100V

N atężenie prądu fo to e le k try c a n e g o I =

P 1 mA

Temperatura pracy

^ainb” ⁱ -> o ^i- + o o o

Temperatura przechowywania t , =

3 tg : ^40 -r +70°c

PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE

A

« 2 5 ° C /

Parametr Symbol Warunki \

pomiaru x)^'

Wartość Jedn.

min. ty p. max.

ś r e d n ic a Obsza

mi ¿Światłoczułe/ o d ^mm — _0,3 — mm

Czułość fo to e le -

ktryc zna :’X X = 850 nm

U = 20 V 0,45 0,5 - A ^{f i s} Czas n a r a s t a n i a /

opadania ii pulsi nrądu f o t o e l e k - trycznego

. t _{r f}A P

A = 850 nm UR = 20 V R^tIł = 50 -O-

- - 1/1

t

ns

N atężenie prądu

ciemnego I

0 U , : 50 V

XI - 0 ,6 2 nA

Pojemność e le k

tryczn a C UR = 20 V - _1*5 ² W

Moc równoważna

szumom NE? A = 900 nm

UR = 50. V - ⁺^- _k. °. 4 6*10^ w//iTz

Z a le o a n o n a p i ę c i e p r a c y UR - 2 0 > 50 f

(4)

- 4^-

u p > ' j p f I//

.. - ... . i

R y S .4 . C h arak terystyk a C/U/ foto d iod y BPYP 42

Ili o TY TUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ A l ,Lotników 3 2 / 4 6 0 2 - 6 6 0 Warszawa

Tx: 015647, T a l: 435401 1)ruk Z0INTE ITE zam . * /7 /n ;.n 509

Cena 12 ^{z l}

PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEZONE

j

.R y s*3 * Względna o h a ra k te ry sty k a widmowa o z u ło śo i fo to d io d BPYP1421!