AGH, WEAIiE
ELEMENTY ELEKTRONICZNE – LABORATORIUM
Rok 1 EiTNr ćwiczenia:
6
Temat:
ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE
Ocena:
Data wykonania:
16.05.2010r.
Imię i nazwisko:
1. Paweł Zajdel
Charakterystyki przejściowe tranzystora JFET
Uds = 9V = constans Ugs [V] Id[mA]
-0 1,7703
-0,2 1,7748
-0,4 1,7789
-0,6 1,7829
-0,8 1,7867
-1,0 1,7904
-1,2 1,7941
-1,4 1,7977
-1,6 1,8013
-1,8 1,8050
-2,0 1,8085
-2,2 1,8122
-2,4 1,8158
-2,6 1,8197
-2,8 1,8237
-3,0 1,8278
Wnioski
Zmierzone przez wykonujących ćwiczenia ch-ki nie odpowiadają żadnemu znanemu przez nas poprawnie działającemu tranzystorowi JFET zarówno z kanałem typu p jak i typu n.
Uważam że pomiary zostały wykonane poprawnie, wartość napięcia UDS była ustawiana jako Uz1 na zasilaczu poprzez channel 1 natomiast zmieniane było napięcie UGS (Uz2) ustawiane poprzez channel 2 Uds = 5V = constans
Ugs [V] Id[mA]
-0 0,9842
-0,1 0,9855 -0,3 0,9878 -0,5 0,9900 -0,7 0,9921 -0,9 0,9940 -1,0 0,9951 -1,2 0,9971 -1,4 0,9992 -1,6 1,0011 -1,8 1,0031 -2,0 1,0051 -2,2 1,0070 -2,4 1,0080 -2,6 1,0111 -2,8 1,0133 -3,0 1,0156
Uds = 3V = constans
Ugs [V] Id[mA]
-0 0,5904
-0,2 0,5919 -0,4 0,5931
0,6 0,5945
-0,8 0,5958 -1,0 0,5970 -1,2 0,5981 -1,4 0,5991 -1,6 0,6002 -1,8 0,6015 -2,0 0,6026 -2,2 0,6038 -2,4 0,6051 -2,6 0,6064 -2,8 0,6077 -3,0 0,6090 Uds = 12V = constans
Ugs [V] Id[mA]
-0 2,3608
-0,2 2,3668
-0,4 2,3722
-0,6 2,3775
-0,8 2,3824
-1,0 2,3874
-1,2 2,3922
-1,4 2,3971
-1,6 2,4019
-1,8 2,4065
-2,0 2,4113
-2,2 2,4161
-2,4 4,4211
-2,6 4,4261
-2,8 2,4312
-3,0 2,4368
Uds = 1V = constans Ugs [V] Id[mA]
-0 0,1966
-0,2 0,1971
-0,4 0,1975
-0,6 0,1980
-0,8 0,1984
-1,0 0,1988
-1,2 0,1992
-1,4 0,1996
-1,6 0,2000
-1,8 0,2004
-2,0 0,2008
-2,2 0,2012
-2,4 0,2016
-2,6 0,2020
-2,8 0,2025
-3,0 0,2029
w zakresie od 0 do -3V. Dla charakterystyki przejściowej wartość prądu drenu powinna maleć natomiast tak się nie działo. Prąd drenu przy zmniejszaniu napięcia na bramce rósł mimo że teoretycznie kanał zacieśniał się.
Układ został podłączony jak na rysunku poniżej poprzez prowadzącego zajęcia:
Wykonane pomiary nie pasują zarówno do charakterystyki przejściowej tranzystora z kanałem typu p jak i kanałem typu n. Charakterystyki nie odpowiadają także ch-kom wyjściowym tranzystorów typu JFET.
Zgodnie z teorią przy zerowym napięciu na bramce przekrój kanału jest największy czyli prąd drenu powinien być największy i równy IDSS .
Wzrost ujemnej wartości napięcia UGS powoduje zmniejszanie przekroju kanału co powoduje spadek wartości prądu drenu aż do osiągnięcia tzw. napięcia odcięcia lub inaczej zwanego napięciem zatkania (pinch-off voltage) oznaczanego Up.
Typowe ch-ki przejściowe i wyjściowe tranzystora JFET z kanałem typu n.
Charakterystyka uzyskana przeze mnie:
-3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
0.96 0.97 0.98 0.99 1 1.01 1.02
Błędna ch-ka przejściowa JFET
Ugs[V]
Id[mA]
Ch-ka ta nie odpowiada charakterystyce dla żadnego tranzystora JFET.
Uds=5V
Prądy IDSS powinny mieć zbliżone wartości dla różnych wartości napięć dren-źródło, dla Ugs=0V prąd ten znajduje się w granicach od 0,1966[mA] do 2,3608[mA].
Przeprowadzający pomiary nie jest w stanie wyjaśnić dlaczego prąd drenu przyjmował takie wartości.
Możliwym powodem jest uszkodzenie tranzystora JFET jednak przeprowadzający pomiary nie posiada wystarczającej wiedzy aby znaleźć właściwą przyczynę takich wyników. Możliwy jest też błąd
spowodowany przez wykonującego pomiary.
