• Nie Znaleziono Wyników

CP178

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "CP178"

Copied!
1
0
0

Pełen tekst

(1)

PROCESS CP178

Power Transistor

NPN Darlington Transistor

PRINCIPAL DEVICE TYPES 2N6059

Die Size 131 x 131 MILS

Die Thickness 12.5 ±1.0 MILS

Emitter Bonding Pad Area 27 x 36 MILS Base Bonding Pad Area 20 x 37 MILS Top Side Metalization Al - 50,000Å Back Side Metalization Ag - 10,000Å

GEOMETRY

PROCESS DETAILS

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com R0 (12 -June 2003)

Central

Semiconductor Corp.

TM

BACKSIDE COLLECTOR

Cytaty

Powiązane dokumenty

Zadania omówione na ćwiczeniach 22.02.2016 (grupa 1, poziom

Keywords: convex nondifferentiable minimization, projection method, subgradient method, acute cone, obtuse cone.. 1991 Mathematics Subject Classification:

Criteria for analytic continuation into a domain of a function given on part of the boundary.. Solutions to this problem were given

Znale´ z´ c mase ι sfery jednostkowej o ge ι sto´ sci powierzchniowej r´ ownej odleg lo´ sci od osi

(At this point one can see why Lemma 1 was applied with two different values of X.) On the other hand, lim Y →∞ J (m, n, Y ) = 0 by applying the same lemma to the innermost

We prove that under some assumptions a one-dimensional Itˆ o equation has a strong solution concentrated on a finite spatial interval, and the pathwise uniqueness

Data lekcji: 27.04.2020 1 godzina lekcyjna- kontynuacja będzie na kolejnej lekcji Wprowadzenie do tematu: kontynuacja tematu ciągi.. Instrukcje do pracy własnej

Obiad Zupa jarzynowa z makaronem /wywar mięsny drobiowy: kurczak; marchewka, pietruszka, seler, por, kapusta włoska, brukselka, lubczyk, liść laurowy, kminek, ziele