• Nie Znaleziono Wyników

U.S.A. TYPES 2N681, 2N682, 2N683, 2N684, 2N685, 2N686, 2N687 AND 2N688 DIFFUSED SILICON PNPN CONTROLLED RECTIFIER

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "U.S.A. TYPES 2N681, 2N682, 2N683, 2N684, 2N685, 2N686, 2N687 AND 2N688 DIFFUSED SILICON PNPN CONTROLLED RECTIFIER"

Copied!
1
0
0

Pełen tekst

(1)

C/

J. , O ne..

20 STERN AVE. TELEPHONE: (973) 376-2922 SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 (212) 227-6005

U.S.A. TYPES 2N681, 2N682, 2N683, 2N684, 2N685, 2N686, 2N687 AND 2N688 DIFFUSED SILICON PNPN CONTROLLED RECTIFIER

25 AMPERES - 25 to 400 VOLTS All Welded Construction

mechanical data Ruggedized to Meet Military Requirements

Welded case with glass-to-metal hermetic seal between case and leads.

0.145

0.125 (iO.012)

1/4-28 U N F - 2 A ~

-0.154 OIA

I (* 0.003)

r*n i/n

TERMINALS NOT NECESSARILY ORIENTED TO HEX

DIA

= 0,015U_/ 0.065 DIA

*w- 0.875 MA;

1.615 MAX-

absolute maximum ratings

Sine Wave Input Voltage (Peak) Continuous Peak Reverse Voltage (PRV) Transient Peak Reverse Voltage

(Nonrecurrent <; 5 itiillisec) , Average Forward Current (Ip) Peak One Cycle Surge Current I2T (For Fusing)

Peak Gate Power Peak Gate Current Peak Gate Voltage (Forward) Peak Gate Voltage (Reverse) Average Gate Power Operating Temperature Range Storage Temperature Range Stud Torque

2N68I 25 25 35

2N682 2N683 2N684 2N685 2N686 2N687 2N688 unit 50

50 75

100 100 150

150 150 225

200 200 300

250 250 350

,300 300 400

400 400 500 Up to 16 Amperes (See Charts III & IV)

150 Amperei

• 75 Ampere* seconds (Time 5±0,008 seconds) -

. 5

„ __ 2

„ 10 _ , __

„ 5

— 0.5 - -65 to +125

-65 to +150 _ 30

•C

"C in-lbl

electrical characteristics at temperature indicated

8V,

1. and F(off)

VF

'ot

VGt

'H

RT

parameter Forward Breakover Voltage

Reverse and Forward Leakage Current (Full Cycle Average)

Forward Voltage Drop

Gate Current to Trigger (See Chart 1)

Gate Voltage to Trigger

Holding Current

Thermal Resistance

type 2N681 2N682 2N683 2N684 2N685 2N686 2N687 2N688 2N68I 2N682 2N683 2N684 2N685 2N686 2N687 2N688 All

All All All All

test conditions T , = 125°C

T . = 125°C at Rated BVC and

Full Cycle Average ot Maximum Ratings

Tj = 125"C

(See Chart II)

Tj = 25 "C Junction to stud

typ

10

min

25 50 100 150 200 250 300 400

max

6.5 6.5 6.5 6.5 6.0 5.5 5.0 4.0 0.86

25

3.0

2.0

unit

ma ma ma ma mo ma ma ma

V

rna V

t ma

"C/w

Quality Semi-Conductors

Cytaty

Powiązane dokumenty

Poniżej przedstawiono główne nowe pojęcia dotyczące urządzeń z kopią elek- troniczną (w skrócie Kopią E). 1) Kopia elektroniczna – kopia wydruków zapisywana

Pani/Pana dane osobowe przetwarzane będą przez okres trwania postępowania kwalifikującego, przez czas trwania Konkursu oraz przechowywane będą przez okres 5 lat po

Zanim jednak ratusz lwowski stał się zniszczałą ruderą, przejść musiał wpierw katastrofę, która panom jego nie po- szczędziła ani jednego upokorzenia,

2.  Czytanie całej książki. Dzieci wytrzymały w całości, ponieważ tekstu jest niezwykle mało.. Ważne, aby czytać książkę ZWRÓCONĄ w stronę dzieci, aby widziały obrazki,

Typical applications are in input rectification (soft start) and these products are designed to be used with International Rectifier input diodes, switches and output

(The following table shows the increment of thermal resistence R thJC when devices operate at different conduction angles than DC) Conduction angle Sinusoidal conduction

5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current At Any Rated Load Condition And With Rated V RRM Applied Following

NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.. Information furnished by NJ Semi-Conductors is believed to