?N STY TUT TECHNOLOGII ELEKTRO N O W EJ
FO TODIO DA LAW I MOWA B P Y P 53F
Fotodioda lawinowa BPYP 5SF optymalizowana .jest do zastosowania w d almierzach optoelektronicznych pracujących dla A - O , 8 - 0 , 9 jum«
C harakteryzuje się bardzo dużym wzmocn i e n i e m i dużą szybkością działania.
Rys. 1„ Obudowa
P A R A M E T R Y DOPUSZCZALI'® *
Moc całkowita
Całkoy/ity prąd w s t e c z n y Ter..peratura obudowy Temperatura
prz echowyWania
tot
T
“RH cai tstg
0,1 10
-25 * +50
-40 •> -{-55
W
/jA
°c
°c
W STĘPN A KARTA KATALOGOW A
-
2
-ELEKTRYCZNA PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE
Nazwa
Symbol
Jedn.
Varto ść
Warunki pomiaru parametru
min. typ. max.' Napięcie
•.-/steczne
UR V
100 200 230G
dla I,T=
=
3*10“ 12a ’*Hz“ 1//2 Ciemny prądws t e c z n y
IR0
nA- 5
100Gp =
100 Wzmocnieniesygnału
G
P 100 400
-
ITvI= 3 ' 1 0 “ 12A'FIz~1//2 Napięcie p r z e b i c i a lawinowego
U (3R)
V — 220 260 IR=
1 /jA Cz ułość na pro-mi enicwan i e mc no-
A / W
'
c hromatyćzhe
* s x 20 27 — G = 100
p
Po.jemnosć £ = 1 MHz
całkowita
C tct p E 2 2,5 UR = 100 V
Czas narastania/
op a d a n i a impulsu prądu .fotoelek-
t r /tf
.
R
l = 5 0 0trycznego ns — »■» 2 X - 900 nm
Ws p ółczynnik tera p e r a t u r o w y napię -
y/k
c i a przebicia
k t
"
*** 0,9 IR = 1 y A
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al. Lotników 32/46
0 2 - 6 6 8 Warszawa tel. 43-54-01 tlx 813647 Lipiec 1987
Cena 20 sł D R U K ZOIMTE ITE z am, 70 / 3 ? n . Z C O PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE