• Nie Znaleziono Wyników

2N336

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "2N336"

Copied!
1
0
0

Pełen tekst

(1)

, Una.

20 STERN AVE.

SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A.

TELEPHONE: (973) 376-2922 (212) 227-6005 FAX: (973) 376-8960

TYPE 2 N 3 3 6 N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR

mechanical data

Welded case with glass-to-nW-tal hermetic seal between case and leads. Unit weight is approximately 1 gram. All JEDEC TO-5 dimensions and notes are applicable.

0160 0.140

0.100 MIN DETAILS OF OUTLINE IN

THIS ZONi OPTIONAL

ALL LEADS INSULATED MOM CASE

-SEATINO Ml* NAN!

AU DIMENSIONS All IN INCHES UNLESS OTHERWISE

SPECIFIED

absolute maximum ratings at 25'C ambient [.xe.pt wh.r. advanced temperature, are indicated]

Collector Voltage Referred to Base 45 V Emitter Voltage Referred to Base I V Collector Current 25 mA Emitter Current _ 25 mA Device Dissipation } 150

m

W at 100°C } 100 mW at 150°C } 50

junction temperature

Maximi jm Ranee . . . . common base design characteristics at T- ;

. fi5°r tn -4-175T

— • *' » [except where advanced

test conditions BVc,o

lc,o

hn>t h.bt h,bi h.bt NF fat C,b Rcs

Collector Breakdown Voltage Ic = Collector Cutoff Current Vcl =te at 100* C} Vc, = a t l S O ' C } - Ve, = Input Impedance

Output Admittance Fatdback Voltage Ratio Current Transfer Ratio Noise Figure*!

Frequency Cutoff

Output Capacitance ( I m c ) Saturation Resistance*

Vc, Vc, Vc, Vc, VCE Vc, Vc, 1,

=

=

4

as

=

=

=

5 DMA

30V 5V 5V 5V 5V 6V 5V 5V SV 5V 2.2mA

IE = IE = IE = li = IE = IE =

!• = li = IE = IE '- IE = lc =

0 0 0 0 - ImA - ImA -ImA -ImA -ImA -ImA -ImA 5mA

temperatures are indicatedj

mln.

45

30 0.0 0.0 -0.

2

— 987

design center

_

55 0.25 700 -0.99

20 13 10 70

max.

2 10 50 80 1.2 1000

-0.997 30

30 200

unit Volt

Ohm /imho XIO-'1

db me

Ohm Common Emittir t f = l k c t Convmtiondl Noli*—Compirtd to 1000 ohm rtilitor, 1000 cpt and I cyclt band width

VI Semi-Conductors reserves Ihe right to change lest condilinns, parameter limits nnd package dimensions without notice

Information t'tirnishej by NJ Semi-Cunductors is believed to he both iiccurate and reliable at Ihe lime or going to press, However VI Seini-ConduUurs .usiiincs no responsibility ftir any trrors i>r omissions Jijuivcred in its use NJ Senii-toiiJinturs encourages LiKidiiicrs to \ail> thai diilashcets are current hetbre placing unlers

Cytaty

Powiązane dokumenty

Kocioł MAXI posiada wymiennik płomieniówkowy, który zapewnia bardzo wysoką sprawność odzysku ciepła ze spalin a tym samym mniejsze zużycie paliwa (więcej ciepła z jednej

Wykonacie w zeszycie test, zapisując w zadaniach rachunkowych obliczenia, wyniki proszę do soboty przesłać do sprawdzenia przez dziennik librus. 4.. Wskaż czynnik nie

Podwyższenie odporności regulowanego napędu na zapady napięcia. Zmiana trybu pracy napędu i modyfikacja układu

Monta¿, pod³¹czenie elektryczne oraz na- prawy i konserwacja urz¹dzenia mog¹ byæ wykonane wy³¹cznie przez uprawnionego Instalatora lub Serwisanta, pod rygorem utraty

Досліджено і встановлено технологічні обмеження для умов переходу коренеплодів через перекидний валець за умови непошкодження коренеплодів і

Emitter to Base Voltage VEBO Total Device Dissipation.. (»•', Case Temperature 25'C («' Case

Acting Region Emitter Forward Biased -30 Cutoff Region Emitter Reverse Biased —40 Emitter-to-Base Voltage, V f ,.. Collector Current, Ic Base

Collector-Base Breakdown Voltage Collector -Emitter Breakdown Voltage Emitter -Base Breakdown Voltage Collector Reverse Current Collector Reverse Current Emitter Reverse