Obliczenia teoretyczne

Aby oszacowa¢ stopie« mieszania dziur ci¦»kich i lekkich obliczono energie przej±¢

ekscytonowych w funkcji pola magnetycznego. Stany elektronowe obliczono poprzez dia-gonalizacj¦ hamiltonianu (Hel), który uwzgl¦dnia tylko efekt Zeemana z izotropowym

7.5. POMIARY PL 105

zgodnie z oznaczeniami podanymi w rozdziale 1.5, a ϕ jest k¡tem mi¦dzy osi¡ nanodrutu, a kierunkiem pola magnetycznego. Nale»y podkre±li¢, »e energie stanów elektronowych nie zale»¡ od orientacji pola magnetycznego.

Hamiltonian dla dziur (Hh) obok efektu Zeemana, opisanego za pomoc¡ hamiltonianu H_p−d, uwzgl¦dnia mieszanie dziur ci¦»kich i lekkich przez napr¦»enia opisane za pomoc¡

hamiltonianu Bira−Pikusa (HBP) [132, 133]:

H_h = H_p−d+ H_BP (7.9) Ogólna posta¢ hamiltonianu Bira−Pikusa dana jest przez:

HBP =

gdzie: P, Q, R i S s¡ elementami macierzy wyra»onymi poprzez tensor napr¦»e« εij: P = −a_V(ε_xx+ ε_yy+ ε_zz)

gdzie: aV, b i d s¡ staªymi potencjaªu deformacyjnego. W rozwa»anym przypadku zaªo»ono obecno±¢ napr¦»e« tylko w pªaszczy¹nie kropki [29]. Zatem, εxz = ε_yz = 0. W zwi¡zku z tym hamiltonian Bira−Pikusa przyjmuje posta¢:

H_BP =

r_s−parametr zwi¡zany z napr¦»eniami,

∆_lh− odlegªo±¢ energetyczna mi¦dzy stanami lekko− i ci¦»kodziurowymi.

θ_anizo− kierunek anizotropii wywoªanej napr¦»eniami.

W materiale obj¦to±ciowym ∆lh =0. Wprawdzie nanodruty badane w niniejszej pracy s¡ strukturami obj¦to±ciowymi, ale w wyniku wyst¦powania w nich napr¦»e« stany lekko−

i ci¦»kodziurowe s¡ rozszczepione.

K¡t θanizo mo»na wyznaczy¢ mierz¡c anizotropi¦ polaryzacji PL, zbieranej wzdªu» osi kwantyzacji, czyli wzdªu» osi z. W przeprowadzonym eksperymencie ±wiatªo byªo zbierane wzdªu» osi y, tj. prostopadªe do osi kwantyzacji. Zatem nie byªo mo»liwe wyznaczenie θ_anizo. W rachunkach sprawdzono, »e wpªyw θanizo na energi¦ przej±¢ jest znacznie mniejszy ni» szeroko±¢ linii PL i w konsekwencji ustalono θanizo =0.

W celu wyznaczenia energii elektronów i dziur obliczono warto±ci i wektory wªasne odpowiednio hamiltonianu Helopisanego wzorem (7.7) i Hh opisanego wzorem (7.9). Aby wyznaczy¢ intensywno±ci przej±¢ optycznych obliczono kwadrat elementów macierzy mo-mentu dipolowego:

|hf |~e · ~p|ii|² (7.14)

gdzie: ~p jest operatorem p¦du kinetycznego, ~e jest wektorem jednostkowym, a |ii i |fi oznaczaj¡ odpowiednio stan pocz¡tkowy i ko«cowy. Stan ko«cowy jest stanem pustym |0i.

Stany pocz¡tkowe to stany par elektron−dziura (ekscytonów). Niezerowymi elementami macierzy s¡:

7.5. POMIARY PL 107

Z powy»szych oblicze« otrzymano osiem energii przej±¢ optycznych. Do dalszych roz-wa»a« wybrano spinowo dozwolone przej±cie o najni»szej energii. Powy»sza procedura po-zwoliªa wyznaczy¢ energie przej±cia ekscytonowego w funkcji pola magnetycznego. Umo»-liwiªo to dopasowanie do danych do±wiadczalnych zaprezentowanych na rys. 7.9 oblicze«

teoretycznych z parametrami: xM n, T , ∆lh i rs. Warto±ci xM n i T otrzymano przez do-pasowanie energii przej±cia ekscytonowego dla Bk. Nast¦pnie znaj¡c xM n i T wyznaczono

∆_lh i rs przez dopasowanie energii przej±cia ekscytonowego dla B^⊥.

Na rys. 7.10 przedstawiono przesuni¦cie Zeemana w funkcji pola magnetycznego wraz z dopasowanymi parametrami. Dla QD 1 otrzymano: xM n = 3.3%, T = 9 K, ∆lh = 40meV,

Rysunek 7.10: Punkty reprezentuj¡ przesuni¦cie Zeemana w funkcji pola magnetycznego dla kropek oznaczonych jako QD 1 i QD 2 dla dwóch konguracji pola magnetycznego.

Linia ci¡gªa jest krzyw¡ dopasowan¡ do danych do±wiadczalnych wraz z parametrami opisanymi w tek±cie.

r_s = 2meV. Dla QD 2: xM n = 4.2%, T = 5 K, ∆lh = 16 meV, rs = 1.5 meV. Otrzymane warto±ci temperatury spinowej jonów Mn s¡ wy»sze ni» temperatura pomiaru (2 K).

Zwi¡zane jest to z grzaniem jonów Mn na skutek ich oddziaªywania z du»¡ koncentracj¡

no±ników. Na podstawie uzyskanych parametrów rs i ∆lh wyznaczono stopie« mieszania dziur ci¦»kich i lekkich dla B=0 T.

Stan dziury, Ψ w obecno±ci napr¦»e« jest kombinacj¡ liniow¡ stanów dziury ci¦»kiej

|hhii lekkiej |lhi. Ψ dany jest przez: Ψ = αhh|hhi+αlh|lhi, gdzie αhhi αlhjest odpowiednio domieszk¡ dziury ci¦»kiej i lekkiej. Dla B=0 T obliczono wektory wªasne hamiltonianu

(7.13) i wyznaczono domieszk¦ dziury lekkiej, która wyniosªa |αlh|² = 0.009i |αlh|² = 0.002 odpowiednio dla QD 1 i QD 2. Zatem, mo»na stwierdzi¢, »e domieszka lekkiej dziury w badanych kropkach jest maªa. Dla B=0 T stan dziury jest gªównie ci¦»kodziurowy.

Pole magnetyczne przykªadane w pªaszczy¹nie kropki powoduje dodatkowe miesza-nie stanów lekko− i ci¦»kodziurowych. Wtedy, stopie« mieszania dziur ci¦»kich i lekkich gªównie zale»y od parametru ∆lh. Jego wielko±¢ zale»y od napr¦»e« wyst¦puj¡cych w na-nodrucie. Im wi¦ksze napr¦»enie jakie wywoªuje otoczka na rdze« nanodrutu tym wi¦ksza odlegªo±¢ mi¦dzy tymi stanami. Dla QD 1, dla której _∆E^∆Ex⊥k

x = 4.4, dopasowana warto±¢

∆_lh = 40 meV. Jest to przykªad sªabego mieszania dziur ci¦»kich i lekkich. Z kolei dla QD 2, _∆E^∆Ex⊥k

x = 2.6, a dopasowana warto±¢ ∆lh = 16 meV. W zwi¡zku z tym mo»na stwierdzi¢,

»e mieszanie stanów lekko− i ci¦»kodziurowych jest silniejsze ni» dla QD 1. Przeanalizowa-no 7 pojedynczych kropek kwantowych. Na podstawie dopasowania modelu teoretycznego do danych do±wiadczalnych otrzymano: 5 meV < ∆lh <65 meV. Rozrzut tego parametru jest prawdopodobnie zwi¡zany z rozrzutem grubo±ci otoczek badanych nanodrutów.

W dotychczas przedstawionych badaniach pole magnetyczne przykªadane jest równole-gle lub prostopadle do nanodrutu, czyli do osi wzrostu kropki kwantowej. Aby stwierdzi¢

czy o± wzrostu kropki pokrywa si¦ z osi¡ nanodrutu wykonano dodatkowy pomiar na kropce oznaczonej jako QD 3 z próbki 020613A. Staªe pole magnetyczne o warto±ci 2 T przyªo»ono równolegle do osi wzrostu nanodrutu, a nast¦pnie zmieniano kierunek tego pola z konguracji równolegªej do prostopadªej. Po obrocie o k¡t 5^◦ zapisywano widmo PL. Nast¦pnie wyznaczono przesuni¦cie Zeemana w funkcji k¡ta mi¦dzy nanodrutem, a przyªo»onym polem magnetycznym, co zostaªo przedstawione na rys. 7.11. Przy obrocie

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 -12

-10 -8 -6 -4

B

Przesunięcie Zeemana (meV)

Kąt między nanodrutem a polem magnetycznym(^o) B

B=2 T

Rysunek 7.11: Przesuni¦cie Zeemana w funkcji k¡ta mi¦dzy nanodrutem a przykªada-nym staªym polem magnetyczprzykªada-nym o warto±ci 2 T. Na rysunku zaznaczono konguracj¦

równolegª¡ (Bk) i prostopadª¡ (B⊥) pola magnetycznego.

7.6. PODSUMOWANIE 109

pola magnetycznego od 0^◦ do 90^◦ zaobserwowano monotoniczn¡ zale»no±¢ przesuni¦cia Zeemana. Dla badanej kropki QD 3 rozszczepienie w konguracji równolegªej wynosi oko-ªo 12 meV i jest wi¦ksze ni» rozszczepienie w konguracji prostopadªej, które wynosi okoªo 4 meV. Na podstawie monotonicznej zale»no±ci przedstawionej na rys. 7.11 mo»na stwierdzi¢, »e o± wzrostu kropki kwantowej pokrywa si¦ z osi¡ wzrostu nanodrutu.

7.6 Podsumowanie

W rozdziale tym pokazano, »e pomiar anizotropii rozszczepienia Zeemana jest metod¡, dzi¦ki której mo»na okre±li¢ charakter stanu podstawowego dziury w kropce oraz wyzna-czy¢ stopie« mieszania dziur ci¦»kich i lekkich. Zbadano pojedyncze kropki z CdMnTe wyhodowane w nanodrutach. Za pomoc¡ anizotropii polaryzacji liniowej wyznaczono kie-runek nanodrutu wzgl¦dem okre±lonego kierunku w laboratorium. Zmierzono µPL w polu magnetycznym w zakresie od 0 T do 2 T, przykªadanym równolegle lub prostopadle do osi wzrostu kropki kwantowej. Wyznaczono przesuni¦cia Zeemana energii ekscytonu w funkcji pola magnetycznego dla tych dwóch konguracji. Stwierdzono, »e stan podstawo-wy dziury w badanych kropkach z CdMnTe jest ci¦»kodziuropodstawo-wy z niewielk¡ domieszk¡

dziur lekkich. Odlegªo±¢ mi¦dzy stanami lekko− i ci¦»kodziurowymi w badanych krop-kach wyniosªa od 5 meV do 65 meV. Rozrzut tej wielko±ci zwi¡zany byª z rozrzutem

±rednic badanych nanodrutów, a zatem z ró»nymi napr¦»eniami wyst¦puj¡cymi w tych nanodrutach. Im wi¦ksze napr¦»enia jakie otoczka wywoªywaªa na rdze« nanodrutu tym otrzymano wi¦ksz¡ odlegªo±¢ mi¦dzy stanami lekko− i ci¦»kodziurowymi.

Rozdziaª 8

Podsumowanie pracy

Do bada« w ramach niniejszej pracy zostaªy wyhodowane heterostruktury radialne i osiowe bazuj¡ce na nandorutach z ZnTe. Wytworzono nanodruty typu rdze«/otoczka z (Zn,Mn)Te/ZnMgTe oraz nanodruty zawieraj¡ce kropki kwantowe z CdTe i CdMnTe. Po wyhodowaniu próbek okre±lono morfologi¦ i g¦sto±¢ wyhodowanych nanodrutów. W szcze-gólno±ci potwierdzono, »e kropka kwantowa zostaªa wbudowana w struktur¦ nanodrutu.

Nast¦pnie zbadano wªa±ciwo±ci optyczne wyhodowanych struktur. Gªównymi metodami pomiarowymi byªy fotoluminescencja w pracy ci¡gªej (tak»e w polu magnetycznym), roz-dzielona czasowo i technika wykorzystuj¡ca zjawisko generacji drugiej harmonicznej.

Do najwa»niejszych uzyskanych wyników mo»na zaliczy¢:

• Pokazanie, »e grubo±¢ otoczki wpªywa na czas »ycia PL w nanodrutach. Wraz ze wzrostem grubo±ci otoczki czas ten ulega wydªu»eniu. Poprzez zastosowanie modelu teoretycznego pokazano, »e jest to zwi¡zane z ograniczeniem efektywno±ci tunelowa-nia elektronów z rdzetunelowa-nia do stanów powierzchniowych. Tym samym zidentykowano jeden z procesów niepromienistych odpowiedzialnych za wygaszenie luminescencji w niskich temperaturach. Innym zidentykowanym procesem niepromienistym akty-wowanym w wysokich temperaturach jest rozpraszanie no±ników na fononach LO.

• Zbadanie wpªywu procesów wielociaªowych na ksztaªt widma PL pojedynczego na-nodrutu pobudzanego siln¡ wi¡zk¡ lasera. Zaobserwowano efekt renormalizacji prze-rwy energetycznej oraz ekranowania kulombowskiego w PL pojedynczego nanodru-tu. Analiza otrzymanych wyników pozwoliªa wyznaczy¢ osobno czas »ycia no±ników i czas »ycia ekscytonu w pojedynczym nanodrucie.

• Pokazanie, »e nanodruty typu rdze«/otoczka z ZnTe/ZnMgTe mog¡ zosta¢ wykorzy-stane jako konwertery ±wiatªa podczerwonego na ±wiatªo widzialne. Jest to mo»liwe w wyniku generacji w nich ±wiatªa o podwojonej cz¦sto±ci w stosunku do cz¦sto±ci fali lasera pobudzaj¡cego, tzw. drugiej harmonicznej (SHG). Zmierzono efektywno±¢

111

SHG w zale»no±ci od dªugo±ci fali pobudzania i polaryzacji ±wiatªa pobudzaj¡cego nanodrut. Wraz ze wzrostem dªugo±ci fali pobudzania, w zakresie od 800 nm do 1050 nm, intensywno±¢ SHG wrosªa o cztery rz¦dy wielko±ci. Wzrost ten zwi¡zany byª z rezonansem podwojonej energii lasera z energi¡ ekscytonu w drucie. Zaobserwowano tak»e periodyczn¡ zale»no±¢ intensywno±ci ±wiatªa SHG i luminescencji wielofoto-nowej w funkcji k¡ta mi¦dzy polaryzacj¡ liniow¡ lasera a osi¡ nanodrutu. Zmiana w obserwowanych intensywno±ciach wynikaªa z anizotropii ksztaªtu nanodrutu przy du»ej ró»nicy staªych dielektrycznych mi¦dzy nanodrutem a otoczeniem.

• Porównanie wªa±ciwo±ci PL kropek z CdTe i CdMnTe wyhodowanych w nanodru-tach z ZnTe z kropkami epitaksjalnymi z tych samych materiaªów. Pokazanie, »e kropki w nanodrutach ±wiec¡ w tym samym przedziale energii co kropki epitaksjal-ne. Przeprowadzenie wst¦pnej identykacji przej±¢ optycznych z kropki na podsta-wie pomiarów intensywno±ci ±podsta-wiecenia od mocy pobudzania i analizy przesuni¦cia spektroskopowego dla danego piku w widmie.

• Pokazanie, »e pomiar anizotropii rozszczepienia Zeemana ekscytonu jest skuteczn¡

metod¡ do zbadania stanu podstawowego dziury w kropce kwantowej. Stwierdzenie,

»e w kropkach z CdMnTe wyhodowanych w drutach z ZnTe stan ten jest ci¦»ko-dziurowy z niewielk¡ domieszk¡ dziur lekkich i oszacowanie ilo±ciowe tej domieszki w oparciu o obliczenia teoretyczne.

Dalsze kierunki bada«

Dalsze badania mog¡ by¢ prowadzone w kierunku zwi¦kszenia efektywno±ci ±wiecenia nanodrutów. By¢ mo»e pozwoli to na uzyskanie nanodrutów ±wiec¡cych w temperatu-rze pokojowej. W tym celu nale»y zoptymalizowa¢ warunki wzrostu nanodrutów tak, aby zmniejszy¢ efektywno±¢ procesów niepromienistych wyst¦puj¡cych w nanodrutach.

W niniejszej pracy zostaª zbadany jeden z tych procesów − tunelowanie elektronów z rdzenia do stanów powierzchniowych. Proces ten mo»na zminimalizowa¢ zwi¦kszaj¡c ba-rier¦ potencjaªu, na przykªad poprzez zwi¦kszenie koncentracji magnezu w otoczce. Innym sposobem na zwi¦kszenie efektywno±ci ±wiecenia nanodrutów jest pogª¦bienie studni po-tencjaªu. Mo»na to uzyska¢ poprzez dodanie kadmu do rdzenia nanodrutu.

Jak mo»na zauwa»y¢, np. na rys. 3.1 lub 4.1 badane nanodruty s¡ stosunkowo krótkie, ich dªugo±¢ nie przekracza 2 µm. Wyhodowanie dªu»szych nanodrutów umo»liwi obrazo-wanie emisji wzdªu» osi nanodrutu, co pozwoli sprawdzi¢ czy wyst¦puje w tych nanodru-tach efekt ±wiatªowodowy. Ponadto, posiadanie dªu»szych nanodrutów uªatwi wykonanie kontaktów elektrycznych do pojedynczego nanodrutu. W ten sposób analiz¦ badanych struktur mo»na rozszerzy¢ o ich wªa±ciwo±ci elektryczne. Z jednej strony wykonanie kon-taktów elektrycznych pozwoli na zbadanie mo»liwo±ci sensorycznych tych struktur. Z

dru-113

giej strony umo»liwi zbadanie wielu efektów zwi¡zanych z polem elektrycznym w takich nanodrutach, na przykªad efekt Starka czy elektroluminescencj¦.

Jak mo»na zauwa»y¢ na zdj¦ciach SEM przedstawionych w niniejszej pracy badane nanodruty maj¡ ksztaªt sto»ka. W pracy [23] pokazano, »e sto»kowy ksztaªt nanodru-tu prowadzi do ukierunkowania emisji z takiej struknanodru-tury. Aby sprawdzi¢ czy ten efekt wyst¦puje w przypadku nanodrutów z ZnTe nale»y wyhodowa¢ nanodruty prostopadle do podªo»a, w ksztaªcie sto»ka i walcowym. Nast¦pnie nale»y porówna¢ wªa±ciwo±ci PL takich struktur zbieraj¡c ±wiatªo wzdªu» osi nanodrutu. Aby umo»liwi¢ zbieranie ±wia-tªa tylko z jednej nanostruktury nale»y zmniejszy¢ g¦sto±¢ wyhodowanych nanodrutów.

W tym celu mo»na wykona¢ za pomoc¡ litograi wi¡zk¡ elektronow¡ katalizatory wzro-stu nanodrutów. Ponadto, zbieranie ±wiatªa wzdªu» osi nanodrutu pozwoli na zbadanie napr¦»e« wyst¦puj¡cych w nanodrucie poprzez pomiar struktury subtelnej ekscytonu.

Dorobek autorki rozprawy Lista publikacji:

1. P. Wojnar, J. Pªachta, S. Kret, A. Kaleta, W. Zaleszczyk, M. Szymura, M. Wiater, L.T. Baczewski, A. Pietruczik, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, Growth and optical investigations of high quality individual CdTe/(Cd,Mg)Te core/shell nano-wires, Nanotechnology 28, 045207 (2017).

2. M. Szymura, Š. Kªopotowski, A. A. Mitioglu, P. Wojnar, G. Karczewski, T. Woj-towicz, D. K. Maude, P. Pªochocka and J. Kossut, Exciton and carrier dynamics in ZnTe-Zn1−xMgxTe core-shell nanowires Phys. Rev. B. 93, 155429 (2016).

3. P. Wojnar, J. Pªachta, W. Zaleszczyk, S. Kret, Ana M. Sanchez, R. Rudniewski, K. Raczkowska, M. Szymura, G. Karczewski, L. T. Baczewski, A. Pietruczik, T. Wojtowicz and J. Kossut, Coexistence of optically active radial and axial CdTe insertions in single ZnTe nanowire, Nanoscale, 8, 5720 (2016).

4. M. Szymura, P. Wojnar, Š. Kªopotowski, J. Suczy«ski, M. Goryca, T. Smole«ski, P. Kossacki, W. Zaleszczyk, T. Wojciechowski, G. Karczewski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Spin Splitting Anisotropy in Single Diluted Magnetic Nanowire Hetero-structures, Nano Lett. 15 (3), 1972 - 1978 (2015).

5. P. Wojnar, M. Zieli«ski, E. Janik, W. Zaleszczyk, T. Wojciechowski, R. Wojnar, M. Szymura, Š. Kªopotowski, L. T. Baczewski, A. Pietruchik, M. Wiater, S. Kret, G. Karczewski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Strain-induced energy gap variation in ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires, Applied Physics Letters 104, 163111 (2014) 6. P. Wojnar, E. Janik, J. Suczy«ski, J. Papierska, M. Szymura, W. Zaleszczyk, S.

Kret, Š. Kªopotowski, T. Wojciechowski, L. T. Baczewski, M. Wiater, G.

Karczew-ski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Strong sp-d exchange coupling in ZnMnTe/ZnMgTe core/shell nanowires, Phys. Status Solidi C, 1- 4 (2014).

7. Š. Kªopotowski, Š. Cywi«ski, M. Szymura, V. Voliotis, R. Grousson, P. Wojnar, K.

Fronc, T. Kazimierczuk, A. Golnik, G. Karczewski and T. Wojtowicz, Inuence of exciton spin relaxation on the photoluminescence spectra of semimagnetic quantum dots, Phys. Rev. B, 87, 245316 (2013).

8. P. Wojnar, M. Szymura, W. Zaleszczyk, Š. Kªopotowski, E. Janik, M. Wiater, L.

T. Baczewski, S. Kret, G. Karczewski, J. Kossut and T. Wojtowicz, Activation of an intense near band edge emission from ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires grown on silicon, Nanotechnology, 24, 365201 (2013).

9. M. Szymura, Š. Kªopotowski, P. Wojnar, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kos-sut, Identication of Optical Transitions from CdTe and CdMnTe Quantum Dots Embedded in ZnTe Nanowires, Acta Phys. Pol. A, 124 (5), 824-826 (2013)

Nagrody i wyró»nienia:

• Uzyskanie Nagrody Naukowej Dyrektora IF PAN za najlepsz¡ publikacj¦ w roku 2015:

M. Szymura, P. Wojnar, Š. Kªopotowski, J. Suczynski, M. Goryca, T. Smolenski, P. Kossacki, W. Zaleszczyk, T. Wojciechowski, G. Karczewski, T. Wojtowicz and J. Kossut, Spin Splitting Anisotropy in Single Diluted Magnetic Nanowire Hetero-structures, Nano Lett. 15 (3), 1972 - 1978 (2015).

• Uzyskanie stypendium dla najlepszego doktoranta w roku akademickim 2015/2016.

Ustne wyst¡pienia konferencyjne:

• VIII Krajowa Konferencja Nanotechnologii, 20-23.06.2017, Šód¹, Polska, Dynamika ekscytonów i no±ników w nanodrutach typu rdze«/otoczka ZnTe/ZnMgTe, referat zaproszony.

• 44th International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Ja-szowiec", 20-25 czerwca 2015 r. Wisªa, Polska, Photoluminescence Dynamics in Co-re/Shell ZnTe/ZnMgTe Nanowires: Impact of Temperature and Shell Thickness.

• Krajowa Konferencja Nanotechnologii, 25-27.06.2015 r. Pozna«, Polska, Spin split-ting anisotropy in CdMnTe quantum dots embedded in ZnTe nanowires, referat zaproszony.

115

• XX Warsztaty "Spin w póªprzewodnikach - nowe materiaªy dla spintroniki", 18.04.2015 r. Obory, Polska, Wpªyw temperatury i grubo±ci otoczki na dynamik¦ fotoluminescen-cji w nanodrutach typu rdze«/otoczka ZnTe/ZnMgTe.

• 32nd International Conference on the Physics of Semiconductors, : 10-15 sierpnia 2014 r. Austin, USA, Zeeman splitting anisotropy in CdMnTe quantum dots embed-ded in ZnTe nanowires.

• 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Ja-szowiec", 7-12 czerwca 2014 r. Wisªa, Polska, Spin splitting anisotropy in CdMnTe quantum dots embedded in ZnTe nanowires.

• XVIII Warsztaty "Spin w póªprzewodnikach - nowe materiaªy dla spintroniki", 20.04.2015 r. Obory, Polska, Identykacja przej±¢ optycznych z kropek kwantowych CdTe i CdMnTe wyhodowanych w nanodrutach z ZnTe.

Bibliograa

[1] M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers, Science, vol. 292, no. 5523, pp. 18971899, 2001.

[2] M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, and C. M. Lieber, Growth of nanowire superlattice structures for nanoscale photonics and electronics, Nature, vol. 415, pp. 617, Feb. 2002.

[3] Y. Huang, X. Duan, and C. M. Lieber, Nanowires for integrated multicolor nano-photonics, Small, vol. 1, no. 1, pp. 142147, 2005.

[4] P. J. Pauzauskie and P. Yang, Nanowire photonics, Materials Today, vol. 9, no. 10, pp. 36  45, 2006.

[5] W. Lu and C. M. Lieber, Nanoelectronics from the bottom-up, Nat Mater, vol. 6, no. 11, pp. 841850, 2007.

[6] D. Saxena, S. Mokkapati, P. Parkinson, N. Jiang, Q. Gao, H. H. Tan, and C. Jaga-dish, Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers, Nature Photo-nics, vol. 7, pp. 963, Nov. 2013.

[7] Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Nanowire nanosensors for highly sen-sitive and selective detection of biological and chemical species, Science, vol. 293, no. 5533, pp. 12891292, 2001.

[8] F. Patolsky and C. M. Lieber, Nanowire nanosensors, Materials Today, vol. 8, no. 4, pp. 20  28, 2005.

[9] K. Yang, H. Wang, K. Zou, and X. Zhang, Gold nanoparticle modied silicon nanowires as biosensors, Nanotechnology, vol. 17, no. 11, p. S276, 2006.

[10] G.-J. Zhang and Y. Ning, Silicon nanowire biosensor and its applications in disease diagnostics: A review, Analytica Chimica Acta, vol. 749, no. Supplement C, pp. 1

 15, 2012.

117

[11] C. Liu, J. Zapien, Y. Yao, X. Meng, C. Lee, S. Fan, Y. Lifshitz, and S. Lee, High-density, ordered ultraviolet light-emitting ZnO nanowire arrays, Advanced Mate-rials, vol. 15, no. 10, pp. 838841, 2003.

[12] X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Single-nanowire electrically driven lasers, Nature, vol. 421, pp. 241245, 2003.

[13] C. Chen, S. Shyemaa, F. Cecile, L. Ray, C. Christophe, and W. Gregor, Self-directed growth of AlGaAs core-shell nanowires for visible light applications, Nano Letters, vol. 7, no. 9, pp. 25842589, 2007.

[14] Z. Liu, G. Chen, B. Liang, G. Yu, H. Huang, D. Chen, and G. Shen, Fabrication of high-quality ZnTe nanowires toward high-performance rigid/exible visible-light photodetectors, Opt. Express, vol. 21, pp. 77997810, Mar 2013.

[15] C.-C. Chang, C.-Y. Chi, M. Yao, N. Huang, C.-C. Chen, J. Theiss, A. W. Bush-maker, S. LaLumondiere, T.-W. Yeh, M. L. Povinelli, C. Zhou, P. D. Dapkus, and S. B. Cronin, Electrical and optical characterization of surface passivation in GaAs nanowires, Nano Letters, vol. 12, no. 9, pp. 44844489, 2012.

[16] O. Demichel, M. Heiss, J. Bleuse, H. Mariette, and A. Fontcuberta i Morral, Impact of surfaces on the optical properties of GaAs nanowires, Applied Physics Letters, vol. 97, no. 20, pp. , 2010.

[17] N. Skold, L. S. Karlsson, M. W. Larsson, M.-E. Pistol, W. Seifert, J. Tragardh, and L. Samuelson, Growth and optical properties of strained GaAs-GaxIn_1−xP core-shell nanowires, Nano Letters, vol. 5, no. 10, pp. 19431947, 2005.

[18] X. Jiang, Q. Xiong, S. Nam, F. Qian, Y. Li, and C. M. Lieber, InAs/InP radial nanowire heterostructures as high electron mobility devices, Nano Letters, vol. 7, no. 10, pp. 32143218, 2007.

[19] P. Wojnar, M. Szymura, W. Zaleszczyk, L. Kªopotowski, E. Janik, M. Wiater, L. T.

Baczewski, S. Kret, G. Karczewski, J. Kossut, and T. Wojtowicz, Activation of an intense near band edge emission from ZnTe/ZnMgTe core/shell nanowires grown on silicon, Nanotechnology, vol. 24, no. 36, p. 365201, 2013.

[20] F. Glas, Critical dimensions for the plastic relaxation of strained axial heterostruc-tures in free-standing nanowires, Phys. Rev. B, vol. 74, p. 121302, Sep 2006.

[21] K. L. Kavanagh, Mist dislocations in nanowire heterostructures, Semiconductor Science and Technology, vol. 25, no. 2, p. 024006, 2010.

BIBLIOGRAFIA 119

[22] M. A. M. Versteegh, M. E. Reimer, K. D. Jons, D. Dalacu, P. J. Poole, A. Gulinatti, A. Giudice, and V. Zwiller, Observation of strongly entangled photon pairs from a nanowire quantum dot, Nature Communications, vol. 5, pp. 5298, Oct. 2014.

[23] J. Claudon, J. Bleuse, N. S. Malik, M. Bazin, P. Jarennou, N. Gregersen, C. Sauvan, P. Lalanne, and J.-M. Gerard, A highly ecient single-photon source based on a quantum dot in a photonic nanowire, Nature Photonics, vol. 4, pp. 174177, 2010.

[24] M. E. Reimer, G. Bulgarini, N. Akopian, M. Hocevar, M. B. Bavinck, M. A. Ver-heijen, E. P. Bakkers, L. P. Kouwenhoven, and V. Zwiller, Bright single-photon sources in bottom-up tailored nanowires, Nature Communications, vol. 3, pp. 737

, Mar. 2012.

[25] P. Wojnar, E. Janik, L. T. Baczewski, S. Kret, G. Karczewski, T. Wojtowicz, M. Go-ryca, T. Kazimierczuk, and P. Kossacki, Growth and optical properties of CdTe qu-antum dots in ZnTe nanowires, Applied Physics Letters, vol. 99, no. 113109, pp. , 2011.

[26] Y. H. Huo, B. J. Witek, S. Kumar, J. R. Cardenas, J. X. Zhang, N. Akopian, R. Singh, E. Zallo, R. Grifone, D. Kriegner, R. Trotta, F. Ding, J. Stangl, V. Zwiller, G. Bester, A. Rastelli, and O. G. Schmidt, A light-hole exciton in a quantum dot,

Nature Physics, vol. 10, pp. 46, Nov. 2013.

[27] M. Zieli«ski, Fine structure of light-hole excitons in nanowire quantum dots, Phys.

Rev. B, vol. 88, p. 115424, Sep 2013.

[28] A. V. Koudinov, I. A. Akimov, Y. G. Kusrayev, and F. Henneberger, Optical and magnetic anisotropies of the hole states in Stranski-Krastanov quantum dots, Phys.

Rev. B, vol. 70, p. 241305, Dec 2004.

[29] Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, and H. Mariette, Valence-band mixing in neu-tral, charged, and Mn-doped self-assembled quantum dots, Phys. Rev. B, vol. 76, p. 045331, Jul 2007.

[30] T. Smole«ski, T. Kazimierczuk, M. Goryca, T. Jakubczyk, L. Kªopotowski, L. Cy-wi«ski, P. Wojnar, A. Golnik, and P. Kossacki, In-plane radiative recombination channel of a dark exciton in self-assembled quantum dots, Phys. Rev. B, vol. 86, p. 241305, Dec 2012.

[31] A. Bogucki, T. Smole«ski, M. Goryca, T. Kazimierczuk, J. Kobak, W. Pacuski, P. Wojnar, and P. Kossacki, Anisotropy of in-plane hole g factor in CdTe/ZnTe quantum dots, Phys. Rev. B, vol. 93, p. 235410, Jun 2016.

[32] W. Martienssen and H. Warlimont, eds., Handbook of Condensed Matter and Ma-terials Data. Springer, 2005.

[33] https://www.tf.uni-kiel.de.

[34] T. Asano, K. Funato, F. Nakamura, and A. Ishibashi, Epitaxial growth of ZnMgTe and double heterostructure of ZnTe/ZnMgTe on GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, vol. 156, no. 4, pp. 373376, 1995.

[35] H. B. Huo, L. Dai, C. L. L. P. You, W. Yang, R. M. Ma, G. Z. Ran, and G. G.

Qin, Electrical properties of Cu doped p-ZnTe nanowires, Nanotechnology, vol. 17, pp. 59125915, 2006.

[36] Y. L. Cao, Z. T. Liu, L. M. Chen, Y. B. Tang, L. B. Luo, J. S. Jie, W. J. Zhang, S. T. Lee, and C. S. Lee, Single-crystalline ZnTe nanowires for application as high-performance green/ultraviolet photodetector, Opt. Express, vol. 19, pp. 61006108, Mar 2011.

[37] E. Hanamura and H. Haug, Condensation eects of excitons, Physics Reports, vol. 33, no. 4, pp. 209  284, 1977.

[38] C. Koughia, S. Kasap, and P. Capper, Springer Handbook of Electronic and Photonic

[38] C. Koughia, S. Kasap, and P. Capper, Springer Handbook of Electronic and Photonic

W dokumencie Wªa±ciwo±ci fotoluminescencyjne pojedynczych nanodrutów z ZnTe (Stron 110-135)