Celem niniejszej rozprawy była analiza własności strukturalnych monokryształów krzemu implantowanego manganem (E0 = 160 keV, D = 1×1016 cm-2) po procesach wygrzewania. Badania dotyczyły trzech grup kryształów różniących się od siebie metodą wzrostu i/lub temperaturą podłoża w czasie procesu implantacji. Poimplantacyjne wygrzewanie poszczególnych próbek odbywało się w określonych warunkach temperatury, czasu i ciśnienia hydrostatycznego (podwyższonego lub atmosferycznego).
Dla realizacji celu rozprawy wykorzystano szereg technik pomiarowych i obliczeniowych z naciskiem na metody dyfrakcji rentgenowskiej. Uzyskane na drodze analizy i dyskusji wyniki stanowią spójną, kompleksową i unikatową (również ze względu na zastosowane metody badawcze) charakteryzację struktury defektowej wygrzewanych kryształów Si:Mn, co jest podstawowym osiągnięciem pracy. Poniżej wyszczególniono najważniejsze rezultaty dotyczące badań tych materiałów:
Dzięki analizie wyników pomiarów dyfrakcyjnych przeprowadzonych w geometrii poślizgowej z użyciem promieniowania synchrotronowego określono poimplantacyjną strukturę defektową kryształów Si:Mn w zależności od metody wzrostu Si oraz temperatury podłoża podczas implantacji. Szczególną uwagę zwrócono na detekcję i analizę polikrystalicznych wydzieleń Mn4Si7 powstałych w wyniku poimplantacyjnego wygrzewania. Wyznaczono także parametry sieci tej fazy oraz określono minimalne oraz optymalne warunki wygrzewania dla jej powstawania. Dodatkowo pokazano w jaki sposób struktura defektowa próbek Si:Mn po wygrzaniu zależy od metody wzrostu kryształu Si (Cz-Si/Fz-Si) oraz temperatury podłoża podczas procesu implantacji – w jednym przypadku (implantacja do zimnego podłoża) wygrzewanie prowadzi do powstawania polikrystalicznego Si oraz wydzieleń Mn4Si7, podczas gdy w drugim (implantacja do gorącego podłoża) – wyłącznie do kreacji wydzieleń.
Analiza profili głębokościowych otrzymanych techniką spektroskopii masowej jonów wtórnych pozwoliła na uzyskanie informacji o dyfuzji manganu w wyniku wygrzewania.
Pokazano, że wygrzewanie nie powoduje znaczących zmian w rozkładzie Mn. Dopiero wysoka temperatura 1270 K doprowadza do dyfuzji manganu głównie w kierunku powierzchni kryształu, choć w przypadku próbek otrzymanych metodą wzrostu „Floating zone” także i w głąb próbki.
Badanie rentgenowskiego rozpraszania dyfuzyjnego wokół węzła 004 Si dla próbek Si:Mn pozwoliło wyznaczyć rodzaj defektów powstałych w wyniku wysokotemperaturowego wygrzewania. Analiza izokonturów rozpraszania w porównaniu z symulacjami numerycznymi zasugerowała obecność defektów typu pętle dyslokacyjne, których istnienia nie potwierdziły zdjęcia transmisyjnej mikroskopii elektronowej.
Dlatego też regularny kształt węzłów sieci odwrotnej otrzymanych dla próbek implantowanych do gorącego podłoża i wygrzewanych w temperaturach 1070 i 1270 K należy wiązać z obecnością wydzieleń o rozmiarach powyżej 20 nm i jest on zbliżony do kształtu rozpraszania dyfuzyjnego, które powstaje w obecności pętli dyslokacyjnych.
Z izokonturów map węzłów sieci odwrotnej wywnioskowano także istnienie poimplantacyjnych naprężeń, których głębokościowy rozkład określono za pomocą symulacji krzywych dyfrakcyjnych 2θ/ω. Naprężenia te zanikają po wygrzaniu próbek w temperaturze 1070 K w wyniku kreacji większych wydzieleń, niekoherentnych w stosunku do matrycy Si.
Żadna z metod badawczych nie wykazała istotnego wpływu wysokiego ciśnienia zastosowanego podczas wygrzewania na zmianę własności strukturalnych badanych materiałów. Stwierdzono także, że kreacja struktury defektowej, w głównej mierze ma miejsce w pierwszej godzinie wygrzewania.
Transmisyjna mikroskopia elektronowa umożliwiła zobrazowanie struktury defektowej badanych próbek Si:Mn, w tym wydzieleń powstałych w wyniku wygrzewania.
Potwierdzono, że są to wydzielenia fazy Mn4Si7. Z kolei analiza nachylenia krzywych I(q) w obszarze rozpraszania dyfuzyjnego pozwoliła na wyznaczenie średnich rozmiarów i koncentracji tych wydzieleń. Zaprezentowane wyniki pokazują, że wielkości wydzieleń są proporcjonalne do temperatury wygrzewania, natomiast ich koncentracja maleje wraz z temperaturą. Dla próbek Cz-Si implantowanych Mn+ do zimnego podłoża, nie udało się zastosować metody analizy I(q) ze względu na duży rozrzut rozmiarów defektów, do którego prawdopodobnie przyczyniła się kreacja polikrystalicznego Si. Metoda ta okazała się zawodna także przy rozważaniu próbek wygrzewanych w 1270 K, co ma prawdopodobnie związek z obserwowaną dyfuzją manganu.
Pomiary magnetyczne pokazały związek pomiędzy kreacją fazy Mn4Si7 a ferromagnetyzmem próbek Si:Mn w niskich temperaturach. Jednocześnie dowiedziono, że istnienie poimplantacyjnych naprężeń układu warstwowego nie stanowi źródła porządku magnetycznego. Uzyskane wyniki wykazały korelację pomiędzy uporządkowaniem magnetycznym a rozmiarem i koncentracją wydzieleń Mn4Si7, które
zależą od temperatury wygrzewania. Najlepsze własności magnetyczne zaobserwowano dla próbek, w których występowały wydzielenia o rozmiarach rzędu 10-15 nm. Były to próbki Cz-Si i Fz-Si implantowane do gorącego podłoża a następnie wygrzane w temperaturze 870 K. Zasugerowano także, że źródeł własności magnetycznych Si:Mn upatrywać należy w zjawiskach zachodzących na interfejsach wydzielenie/matryca krzemowa.
Zaprezentowane i omówione wyniki oprócz tego, że niewątpliwie wzbogacają wiedzę o materiałach implantowanych na bazie krzemu, pokazują także dużą użyteczność technik dyfrakcyjnych oraz ich wzajemną komplementarność. Dla analizy stanu zdefektowania materiałów stanowią, w połączeniu z technikami spektroskopowymi i mikroskopowymi, najsilniejsze znane narzędzie. Jednakże przeprowadzone badania nad własnościami fizycznymi próbek Si:Mn nie zostały zakończone. Aby rozstrzygnąć problem źródeł uporządkowania magnetycznego potrzebna będzie implementacja technik o ekstremalnej czułości – np. dla badań zjawisk występujących na interfejsach wydzielenie/matryca, pomiarów magnetycznych lub określenia stechiometrii wydzieleń.
Analiza i zrozumienie zjawisk zachodzących w kryształach Si:Mn pod wpływem wygrzewania było (i jest nadal) podstawowym celem, w realizacji którego miała pomóc niniejsza rozprawa. Autor wyraża przekonanie, że włożony trud przybliżył osiągnięcie tego celu, ale zdaje sobie sprawę także z faktu, że jest to dopiero początek drogi, której końcem będzie nabycie umiejętności sterowania własnościami magnetycznymi przez zmianę struktury defektowej próbek.
Literatura
[9] A. Haury, A. Wasiela, A. Arnoult, J. Cibert, S. Tatarenko, T. Dietl, Y. Merle d’Aubigne, Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 511
[10] P. Kossacki, D. Ferrand, A. Arnoult, J. Cibert, S. Tatarenko, A. Wasiela, Y. Merle d’Aubigne, J. -L. Staehli, J. -D. Ganiere, W. Bardyszewski, K. Swiatek, M. Sawicki, J. Wrobel, T. Dietl, Physica E 6 (2000) 709
[11] D. Ferrand, J. Cibert, A. Wasiela, C. Bourgognon, S. Tatarenko, G. Fichman, T. Andrearczyk, J. Jaroszynski, S. Kolesnik, T. Dietl, B. Barbara, D. Dufeu, Phys. Rev. B 63 (2001) 085201
[12] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Science 287 (2000) 1019 [13] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, Phys. Rev. B 63 (2001) 195205 P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma, Science 291 (2001) 854
[19] Y. D. Park, A. Wilson, A. T. Hanbicki, J. E. Mattson, T. Ambrose, G. Spanos, B. T. Jonker, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 016118
[20] Y. D. Park, A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, C. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. Mattson, T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, B. T. Jonker, Science 295 (2002) 651
[21] T. Yokota, N. Fujimura, Y. Morinaga, T. Ito, Physica E 10 (2001) 237
[22] C. Zeng, S. C. Erwin, L. C. Feldman, A. P. Li, R. Jin, Y. Song, J. R. Thompson, H. H. Weitering, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 5002
[23] F. Tsui, L. He, L. Ma, A. Tkachuk, Y. S. Chu, K. Nakajima, T. Chikyow, Phys. Rev. Lett.
[28] H. Nakayama, H. Ohta, E. Kulatov, Physica B 302-303 (2001) 419
[29] M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M. B. Huang, F. G. Ramos, G. Agnello, V. P. LaBella, Phys. Rev. B 71 (2005) 033302
[30] S. Zhou, K. Potzger, G. Zhang, A. Mucklich, F. Eichhorn, N. Schell, R. Grotzschel, B. Schmidt, W. Skorupa, M. Helm, J. Fassbender, Phys. Rev. B 75 (2007) 085203
[31] S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta, Phys. Rev. B 78 (2008) 045307
[32] T. Dubroca, J. Hack, R. E. Hummel, A. Angerhofer, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 182504 [33] A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, B. Surma, W. Osinniy, M. Szot, T. Story, J. Jagielski, J. Alloys
Comp. 423 (2006) 201
[34] A. Misiuk, B. Surma, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, W. Jung, W. Osinniy, A. Shalimov, Mat.
Science in Semicond. Proc. 9 (2006) 270
[35] A. Misiuk, L. Chow, A. Barcz, B. Surma, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, W. Osinniy, F. Salman, G. Chai, M. Prujszczyk, A. Trojan, ECS Transactions 3 (2006) 481
[36] A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, B. Surma, J. Bak-Misiuk, M. Prujszczyk, Solid State Phen.
131-133 (2008) 375
[37] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, W. Paszkowicz, A. Shalimov, J. Hartwig, L. Bryja, J. Z. Domagala, J. Trela, W. Wierzchowski, K. Wieteska, J. Ratajczak, W. Graeff, J. Alloys and Comp. 362 (2004) 275
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, P. Formanek, A. Misiuk, M. Prujszczyk, I. V. Antonova, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (2009) 253
[39] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Wnuk, J. Trela, Journal of Luminescence 121 (2006) 383
[40] http://meroli.web.cern.ch/meroli/Lecture_silicon_floatzone_czochralski.html
[41] W. Rosiński, „Implantacja jonów”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1975)
[42] H. F. Wolf, „Półprzewodniki”, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa (1975) [43] A. Turos, Materiały konferencyjne z Pierwszego Ogólnopolskiego Spotkania
nt. Wysokorozdzielczej Dyfraktometrii i Topografii Rentgenowskiej, Szklarska Poręba (1996)
[44] B. J. Pawlak, R. Lindsay, R. Surdeanu, B. Dieu, L. Geenen, I. Hoflijk, O. Richard, R. Duffy, T. Clarysse, B. Brijs, W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 297 [45] B. J. Pawlak, R. Surdeanu, B. Colombeau, A. J. Smith, N. E. B. Cowern, R. Lindsay,
W. Vandervorst, B. Brijs, O. Richard, F. Christiano, Appl. Plys. Lett. 84 (2004) 2055 [46] N. G. Rudawski, K. S. Jones, R. Gwilliam, Mat. Sc. and Eng. R 61 (2008) 40
[47] S. Mrowiec, „Teoria dyfuzji w stanie stałym. Wybrane zagadnienia”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1989)
[48] http://hasylab.desy.de/facilities/doris_iii/beamlines/w1_roewi/index_eng.html
[49] J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, A. Shalimov, J. Z. Domagala, E. Lusakowska, J. Sadowski, W. Caliebe, W. Szuszkiewicz, J. Trela, Sensor Electronics and Microsystem Technologies 4 (2007) 4
[50] J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Misiuk, S. Kret, P. Dluzewski, J. Domagala, W. Caliebe, J. Dabrowski, M. Prujszczyk, Sol. State Phen.
131-133 (2008) 327
[51] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, J. Z. Domagala, W, Caliebe, Mat. Sc. and Eng. B 159-160 (2009) 99
[52] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe, High Pressure Physics and Technics 19 (2009) 32 [53] B. D. Cullity, „Podstawy dyfrakcji promieni rentgenowskich”, Państwowe Wydawnictwo
Naukowe, Warszawa (1964) [54] JCPDS 27-1402 (ICDD) [55] JCPDS 72-2069 (ICDD)
[56] http://physics.nist.gov/PhysRefData/XrayMassCoef/ElemTab/z14.html
[57] A. Szaynok, S. Kuźmiński, „Podstawy fizyki powierzchni półprzewodników”,
[60] R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee, „Secondary ion mass spectrometry – a practical handbook for depth profiling and bulk impurity analysis”, John Wiley & Sons Inc., Nowy York (1989)
[61] R. Jakieła, „Mechanizmy dyfuzji w półprzewodnikach A3B5”, rozprawa doktorska, Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa (2004)
[62] M. Ćwil, „Analiza profilowa heterostruktur warstwowych metodą spektrometrii mas jonów wtórnych”, praca dyplomowa, Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki, Warszawa (2003)
[63] A. Misiuk, A. Barcz, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, L. Chow, E. Choi, Mat. Science and Eng. B 159-160 (2009) 361
[64] A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Wnuk, B. Surma, R. Vanfleet, M. Prujszczyk, High Pressure Physics and Technics 18 (4) (2008) 105
[65] K. Bowen, B. Tanner, „High-resolution X-ray diffraction and topography”, Teylor &
Francis, Londyn (1998)
[66] V. Holy, U. Pietsch, T. Baumbach, „High-resolution X-ray scattering from thin films and multilayers”, Springer, Berlin (1999)
[67] Z. Trzaska Durski, H. Trzaska Durska, „Podstawy krystalografii strukturalnej i rentgenowskiej”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1994)
[68] T. Penkala, „Zarys krystalografii”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1977)
[69] P. Luger, „Rentgenografia strukturalna monokryształów”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1989)
[70] „Materials Research Diffractometer user guide”, Philips Electronics N. V. (1993) [71] N. Kato, Acta Crysallogr. A 36 (1980) 763
[72] A. Authier, „Dynamical theory of X-ray diffraction”, Oxford University Press, Oxford (2003)
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of X-ray and thermal and neutron scattering by real crystals”,
[78] A. Shalimov, „Określanie wpływu wysokociśnieniowego wygrzewania na strukturę defektową wybranych warstw półprzewodnikowych”, rozprawa doktorska, Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa (2006)
[79] M. Moreno, B. Jenichen, V. Kaganer, W. Braun, A. Trampert, L. Daweritz, K. H. Ploog, Phys. Rev. B 67 (2003) 235206
[80] J. Kozubowski, „Metody transmisyjnej mikroskopii elektronowej”, Wydawnictwo Śląsk, Katowice (1974)
[81] G. Schimmel, „Metodyka mikroskopii elektronowej”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1976)
[82] J. Kątcki, „Zastosowanie mikroskopii elektronowej w badaniach materiałów i przyrządów półprzewodnikowych”, Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (2000)
[83] http://tem.ifpan.edu.pl/JEM2000EX/JEM2000EX.html [84] http://awtem.ifpan.edu.pl/
[85] J. R. Patel, J. Appl. Cryst. 8 (1975) 186
[86] W. A. Wooster, „Diffuse X-ray reflections from crystals”, Dover, Nowy York (1997) [87] W. A. Brantley, J. of Appl. Phys. 44 (1973) 534 V. Y. Reznik, Fizika Tverdogo Tela 45 (2003) 1825
[92] J. Gronkowski, „Elementy teorii dynamicznej dyfrakcji promieni X”, skrypt akademicki, Instytut Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego
[93] M. von Laue, Ergeb. exact. Naturw. 10 (1931) 133
[94] M. von Laue, „Rontgenstrahlinterferenzen”, Akademische Verlagsgesellschaft, Frankfurt/Main (1960)
[95] R. W. James, Solid State Phys. 15 (1963) 53
[96] B. W. Batterman, H. Cole, Rev. Mod. Phys. 36 (1964) 681 [97] S. Takagi, Acta Crystallogr. 15 (1962) 1311
[98] S. Takagi, J. Phys. Soc. Japan 26 (1969) 1239
[99] D. Taupin, Bull. Soc. Franc. Mineral. Cristall. 87 (1964) 469
[100] J.Z. Domagała, Instytut Fizyki PAN, SL1.3, Warszawa, informacja prywatna [101] X’Pert Epitaxy and Smoothfit 4.0 Help
[102] W. Knoff, „Półprzewodnikowe magnetyczne warstwy (Ge,Mn)Te – otrzymywanie oraz właściwości elektryczne i magnetyczne”, rozprawa doktorska, Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa (2011)
[103] X. C. Liu, Z. H. Lu, Z. L. Lu, L. Y. Lv, X. S. Wu, F. M. Zhang, Y. W. Du, J. Appl. Phys.
100 (2006) 073903
[104] X. C. Liu, Y. B. Lin, J. F. Wang, Z. H. Lu, Z. L. Lu, J. P. Xu, L. Y. Lv, F. M. Zhang, Y. W. Du, J. Appl. Phys. 102 (2007) 033902
[105] S. Yabuuchi, Y. Ono, M. Nagase, H. Kageshima, A. Fujiwara, E. Ohta, Japanese Journal of Applied Physics 47 (2008) 4487
[106] S. Zhou, A. Shalimov, K. Potzger, M. Helm, J. Fassbender, H. Schmidt, Phys. Rev. B 80 (2009) 174423
[107] T. Dubroca, J. Hack, R. E. Hummel, A. Angerhofer, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 182504 [108] A. F. Orlov, A. B. Granovsky, L. A. Balagurov, I. V. Kulemanov, Y. N. Parkomenko,
N. S. Perov, E. A. Gan’shina, V. T. Bublik, K. D. Shcherbacjev, A. V. Kartavykh, V. I. Vdovin, A. Sapelkin, V. V. Saraikin, Y. A. Agafonov, V. I. Zinenko, A. Rogalev, A. Smekova, Journal of Experimental and Theoretical Physics 109 (2009) 602
[109] A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M. Klepka, M. S. Walczak, A. Misiuk, Synchrotron Radiation in Natural Science 5 (3) (2006) 194
[110] A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, M. Klepka, M. S. Walczak, Phys. Rev. B 75 (2007) 113201
[111] A. Wolska, K. Lawniczak-Jablonska, S. Kret, P. Dluzewski, A. Szczepanska, M. Klepka, M. S. Walczak, Y. Lefrais, M. J. Hytch, A. Misiuk, Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 4189
[112] A. Wolska, M. T. Klepka, K. Lawniczak-Jablonska, A. Misiuk, D. Arvanitis, Radiation Physics and Chemistry 80 (2011) 1119
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie składu pierwiastkowego oraz wiązań chemicznych materiałów o dużym nieporządku strukturalnym metodami spektroskopowymi”, rozprawa doktorska, Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa (2008)
[114] A. L. Ankudinov, B. Ravel, J. J. Rehr, S. D. Conradson, Phys. Rev. B 58 (1998) 7565 [115] http://leonardo.phys.washington.edu/feff/
[116] B. Ravel, M. Newville, J. Synchr. Rad. 12 (2005) 537 [117] http://cars9.uchicago.edu/ifeffit/
Wykaz publikacji z udziałem autora rozprawy
1. I. V. Antonova, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, V. A. Skuratov, P. Zaumseil, N. Sustersic, J. Kolodzey, Vacancy-assisted redistribution of Ge in SiGe/Si multilayer structures irradiated with high energy ions, ECS Transactions 3 (2006) 145
2. A. Misiuk, L. Chow, A. Barcz, B. Surma, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, W. Osinniy, F. Salman, G. Chai, M. Prujszczyk, New silicon-based materials for spintronics applications – Si:V and Si:Cr, ECS Transactions 3 (2006) 481-489
3. J. Bąk-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Wnuk, J. Trela, Defect-related light emission from processed He-implanted silicon, Journal of Luminescence 121 (2006) 383 4. J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, A. Shalimov, J. Z. Domagała, E. Łusakowska, J. Sadowski, W. Caliebe, W. Szuszkiewicz, J. Trela, Effect of annealing on defect structure of GaMnAs and Si:Mn, Sensor Electronics and Microsystem Technologies 4 (2007) 4
5. J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Misiuk, S. Kret, P. Dłużewski, J. Z. Domagała, W. Caliebe, J. Dąbrowski, M. Prujszczyk, Structure of magnetically ordered Si:Mn, Solid State Phenomena 131-133 (2008) 327
6. K. Wieteska, A. Misiuk, W. Wierzchowski, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, B. Surma, I. Capan, D. Yang, A. Shalimov, W. Graeff, M. Prujszczyk, Revealing the defects introduced in N- or Ge-doped Cz-Si by γ irradiation and high temperature – high pressure treatment, Acta Physica Polonica A 114 (2008) 439
7. A. Misiuk, N. V. Abrosimov, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, A. Wnuk, B. Surma, W. Wierzchowski, K. Wieteska, W. Graeff, M. Prujszczyk, Effect of annealing under stress on defect structure of Si-Ge, Materials Science and Engineering B 154-155 (2008) 137
8. A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Wnuk, B. Surma, R. Vanfleet, M. Prujszczyk, Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn, High Pressure Physics and Technics 18 (2008) 105
9. J. Bąk-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Barcz, R. Jakieła, E. Dynowska, J. Z. Domagała, W. Caliebe, Effect of processing on microstructure of Si:Mn, Materials Science and Engineering B 159-160 (2009) 99
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, L. Chow, E. Choi, Stress-mediated redistribution of Mn in annealed Si:Mn, Materials Science and Engineering B 159-160 (2009) 361
11. K. Kosiel, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, A. Szerling, J. Muszalski, M. Bugajski, P. Romanowski, J. Gaca, M. Wójcik, Molecular-beam epitaxy growth and characterization of Mid-infrared quantum cascade laser structures, Microelectronics Journal 40 (2009) 565
12. A. Misiuk, A. Ulyashin, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, M. Prujszczyk, Buried spongy-like layers in silicon implanted with He+, annealed and treated in D+ plasma, Physica Status Solidi C 6 (2009) 1551
13. J. Bąk-Misiuk, I. V. Antonova, A. Misiuk, P. Formanek, P. Romanowski, Buried porous SiNx layer in nitrogen-implanted silicon, Physica Status Solidi C 6 (2009) 1580
14. K. Kosiel, M. Bugajski, A. Szerling, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, E. Pruszyńska-Karbownik, J. Muszalski, A. Łaszcz, P. Romanowski, M. Wasiak, W. Nakwaski, I. Makarowa, P. Perlin, 77 K operation of AlGaAs/GaAs quantum cascade laser at 9 µm, Photonics Letters of Poland 1 (2009) 16
15. A. Misiuk, W. Wierzchowski, K. Wieteska, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, M. Prujszczyk, C. A. Londos, W. Graeff, Thermally induced defects in silicon irradiated with fast neutrons, Radiation Physics and Chemistry 78 (2009) 67
16. J. Bąk-Misiuk, J. Z. Domagała, P. Romanowski, E. Dynowska, E. Łusakowska, A. Misiuk, W. Paszkowicz, J. Sadowski, A. Barcz, W. Caliebe, Creation of MnAs nanoclusters during processing of GaMnAs, Radiation Physics and Chemistry 78 (2009) 116
17. J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, J. Z. Domagała, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Łusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe, Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure, High Pressure Physics and Technics 19 (2009) 32
18. A. Misiuk, A. Ulyashin, A. Barcz, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, Deuterium accumulation within nano-structured layers in Si:He upon plasma treatment, Physica Status Solidi C 6 (2009) 2789
19. K. Ławniczak-Jabłońska, A. Wolska, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J. Z. Domagała, R. Minikayev, D. Wasik, M. T. Klepka, J. Sadowski, A. Barcz, P. Dłużewski, S. Kret, A. Twardowski, M. Kamińska, A. Persson, D. Arvanitis, E. Holub-Krappe, A. Kwiatkowski, Structural and magnetic properties of the molecular beam epitaxy grown MnSb layers on GaAs substrates, Journal of Applied Physics 106 (2009) 83524
20. J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, J. Sadowski, T. Wojciechowski, E. Dynowska, J. Z. Domagała, W. Caliebe, Structural properties of (Ga,Mn)Sb thin films on GaAs(111)A substrate, Physica Status Solidi C 6 (2009) 2792
21. P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, J. Z. Domagała, J. Sadowski, T. Wojciechowski, A. Barcz, R. Jakieła, W. Caliebe, Defect structure of high-temperature-grown GaMnSb/GaSb, Acta Physica Polonica A 117 (2010) 341 22. A. Misiuk, J. Bąk-Misiuk, A. Barcz, P. Romanowski, B. Surma, A. Wnuk, Structure
of self-implanted silicon annealed under enhanced hydrostatic pressure, High Pressure Research 31 (2011) 102
23. K. Ławniczak-Jabłońska, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J. Z. Domagała, J. Libera, A. Wolska, M. T. Klepka, P. Dłużewski, J. Sadowski, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski, Structural and magnetic properties of nanoclusters in GaMnAs granular layers, Journal of Solid State Chemistry 184 (2011) 1530
24. K. Ławniczak-Jabłońska, J. Libera, A. Wolska, M. T. Klepka, P. Dłużewski, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J. Z. Domagała, J. Sadowski, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski, Structural and magnetic properties of GaAs:(Mn,Ga)As granular layers, Physica Status Solidi B 248 (2011) 1609
25. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, A. Ulyashin, P. Romanowski, Hydrogen gettering within processed oxygen-implanted silicon, Advanced Materials Research 276 (2011) 35 26. W. Paszkowicz, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, W. Wierzchowski, K. Wieteska,
W. Graeff, R. J. Iwanowski, M. H. Heinonen, O. Ermakova, H. Dąbkowska, Characterization of Yb:LuVO4 single crystals, Radiation Physics and Chemistry 80 (2011) 1001
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, J. Z. Domagała, J. Sadowski, T. Wojciechowski, S. Kret, B. Kurowska, A. Kwiatkowski, W. Caliebe, Structural and magnetic properties of GaSb:MnSb granular layers, Radiation Physics and Chemistry 80 (2011) 1051
28. J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, M. Kulik, W. Caliebe, Structural characterization of Mn+-implanted GaSb crystals, Radiation Physics and Chemistry 80 (2011) 1088
29. I. Capan, J. Bąk-Misiuk, B. Pivac, J. Dubcek, A. Misiuk, S. Bernstorff, P. Romanowski, Defects in silicon introduced by helium implantation and subsequent annealing, Radiation Physics and Chemistry 80 (2011) 1099
30. J. Bąk-Misiuk, A. Misiuk, A. Barcz, P. Romanowski, Solid phase epitaxial re-growth of amorphous layer in Si:Si annealed under enhanced hydrostatic pressure, Solid State Phenomena 178-179 (2011) 416
31. A. Misiuk, J. Bąk-Misiuk, A. Barcz, P. Romanowski, I. Tyschenko, A. Ulyashin, M. Prujszczyk, Out-diffusion of hydrogen from hydrogen plasma-processed oxygen-implanted silicon, Applied Surface Science (2012), praca w druku (DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.03.038)
32. J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, J. Sadowski, W. Caliebe, Pressure variation of the strain state of MnAs nanoclusters embedded in GaAs, Acta Physica Polonica A (2012) praca przyjęta do druku
33. J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, A. Misiuk, J. Sadowski, R. Jakieła, A. Barcz, Effect of stress on structural transformations in GaMnAs, Journal of Nanoscience and Nanotechnology (2012), praca przyjęta do druku