• Nie Znaleziono Wyników

Wytwarzanie półmagnetycznych kropek kwantowych

Główn przeszkod w uzyskiwaniu kropek kwantowych II-VI zawieraj cych jony manganu były pocz tkowe trudno ci zwi zane z formowania si trójwymiarowych wysp w tych materiałach. W celu wytworzenie półmagnetycznych kropek kwantowych nale y poł czy jedn z dwóch metod uzyskiwania kropek kwantowych w materiałach II-VI opisanych w rozdziale 1.3.2, to znaczy, poprzez aktywacj termiczn , lub przykrycie amorficznym tellurem, ze wprowadzeniem jonów o własno ciach magnetycznych do tych struktur. Pierwsze próby wprowadzenia jonów Mn++ bezpo rednio do termicznie aktywowanych kropek kwantowych CdSe na buforze ZnSe nie powiodły si [31], dlatego

te zostały opracowane inne sposoby opieraj ce si głównie na dyfuzji jonów magnetycznych z półmagnetycznej bariery [32-35] lub odległych warstw półmagnetycznych [36-38]. Poni ej chciałbym przedstawi najcz ciej stosowane sposoby otrzymywania półmagnetycznych kropek kwantowych CdMnTe oraz CdMnSe.

Rys. 2.1. Pi sposobów wytwarzania półmagnetycznych kropek kwantowych CdMnTe lub CdMnSe przy u yciu epitaksji z wi zek molekularnych na podstawie istniej cej literatury

Pierwsza z tych metod została zastosowana zarówno do wytworzenia kropek kwantowych CdMnSe/ZnSe [31], jak i kropek kwantowych CdMnTe/ZnTe [39]

(rys. 2.1a). Po nało eniu kilkumikrometrowej warstwy półprzewodnika bariery ZnTe lub ZnSe, struktura ta zostaje wystawiona na strumie cz steczkowy manganu, który osiada na jej powierzchni. Nast pnie nakłada si od dwóch do czterech warstw atomowych CdTe

kwantowe. Po drugie, w wysokiej temperaturze zwi ksza si dyfuzja manganu, która powoduje, e jony Mn++ wchodz do kropek kwantowych. W ostatnim kroku, półmagnetyczne kropki kwantowe przykrywa si warstw ZnTe (ZnSe). redni liczb jonów manganu w typowej kropce kwantowej wytworzonej tym sposobem szacuje si na kilkaset [40].

Drugim sposobem wytwarzania półmagnetycznych kropek kwantowych jest zastosowanie półmagnetycznej bariery (rys. 2.1b). Sposób ten został opisany przez Bachera i współpracowników [32] dla kropek kwantowych CdMnSe w barierze Zn1-xMnxSe ze składem manganu xMn = 0.25. Jony magnetyczne dostaj si do kropek kwantowych poprzez dyfuzj z bariery. Ich liczba w typowej kropce kwantowej szacowana jest co do rz du wielko ci i wynosi równie kilkaset.

Do dobr kontrol nad zawarto ci manganu w kropkach kwantowych, zwłaszcza, je eli chcemy otrzyma jego nisk koncentracj , mo emy uzyska poprzez zastosowanie metody pokazanej na rysunku 2.1c [36,38]. Warstwa ZnMnTe zawieraj ca wzgl dnie mały skład manganu, około 0.01, znajduje si w odległo ci kilkunastu intencjonalnie niemagnetycznych warstw atomowych ZnTe od kropek kwantowych CdTe. Jony manganu dostaj si do kropek poprzez dyfuzj z obszaru domieszkowanego manganem.

Ich koncentracj w kropkach mo na kontrolowa poprzez zmian grubo ci niemagnetycznej przekładki oraz koncentracj manganu w warstwie ZnMnTe [38]. Proces formowania si kropek kwantowych indukuje si poprzez przykrycie amorficznym tellurem, a wi c we wzgl dnie niskich temperaturach, które nie wzmacniaj dyfuzji.

Wy ej opisana metoda została zastosowana do wprowadzenia pojedynczego jonu manganu do indywidualnej kropki kwantowej CdTe [36-38,41,42].

Do wytworzenia kropek kwantowych CdMnTe mo na wykorzysta równie barier CdMgTe z zawarto ci magnezu wynosz cym, np. yMg=0.4 [34] lub yMg=0.25 [43], pomimo wzgl dnie małego niedopasowania sieciowego mi dzy Cd1-yMgyTe a Cd1-xMnxTe. W [34] wytworzona została bardzo w ska studnia kwantowa Cd0.93Mn0.07Te, która wynosi zaledwie 3 warstwy atomowe, co odpowiada szeroko ci około 1 nm (rys 2.1d). W strukturze tej tworz si „naturalne” kropki kwantowe CdMnTe, powstałe na skutek fluktuacji potencjału bardzo w skiej studni kwantowej. W [43] natomiast, studnia CdTe:Mn jest znacznie szersza i wynosi 7 nm (rys. 1.1e). Mn jest wprowadzony do studni w postaci czterech bardzo w skich barier MnTe o szeroko ci nie przekraczaj cej 1 warstwy atomowej. Kropki kwantowe uzyskuje si poprzez wygrzanie struktury w wysokich temperaturach 4400C - 4800C. Wysoka temperatura powoduje dyfuzj magnezu

i manganu, co konsekwencji prowadzi do powstanie zero-wymiarowych struktur CdMnMgTe. Uformowanie si kropek kwantowych autorzy pokazuj na podstawie pomiarów optycznych, w szczególno ci pomiarów czasu zaniku fotoluminescencji.

Na szczególn uwag zasługuj prace S. Kurody [44-48], któremu udało si wprowadzi jony manganu bezpo rednio do warstwy kropek kwantowych CdTe wykorzystuj c wzrost kryształu w modzie epitaksji warstw atomowych, to znaczy, poprzez naprzemienne otwieranie i zamykanie komórki efuzyjnej kadmowej, manganowej, i tellurowej.

W rozdziale 3 i rozdziale 7 zostan przedstawione opracowane przeze mnie dwa sposoby uzyskania półmagnetycznych kropek kwantowych CdMnTe. Pierwszy z nich polega na bezpo rednim wprowadzeniu jonów manganu do warstwy CdTe, z której formuje si kropki kwantowe. Jony manganu dodawane s intencjonalnie tylko do rodkowych warstw atomowych CdMnTe w ci le kontrolowanych małych ilo ciach.

Kropki kwantowe znajduj si w niemagnetycznej barierze ZnTe, lub Zn0.8Cd0.2Te. Do formowania kropek kwantowych stosujemy metod przykrycia amorficznym tellurem.

Zalet tego sposobu otrzymywania półmagnetycznych kropek kwantowych jest mo liwo kontroli zawarto ci manganu w kropkach kwantowych poprzez parametry wzrostu, takie jak, temperatura komórki efuzyjnej manganu, czas jej otwarcie oraz liczb warstw atomowych domieszkowanych manganem. Dzi ki temu mo emy otrzymywa kropki kwantowe zawieraj ce znacznie ró ni c si liczb jonów manganu, od zaledwie kilku do kilkuset. Ponadto pomiary fotoluminescencji w polu magnetycznym przeprowadzone w Instytucie Fizyki Do wiadczalnej Uniwersytetu Warszawskiego pokazuj , e udało mi si wprowadzi tak e tylko jeden jon Mn++ do pojedynczej kropki kwantowej CdMnTe.

Drugi sposób wytwarzania kropek kwantowych CdMnTe polega na zastosowaniu bariery zło onej z kubicznego MnTe (w strukturze blendy cynkowej) do nominalnie niemagnetycznych kropek kwantowych CdTe. Jony Mn++ dostaj si do wn trza kropek kwantowych poprzez dyfuzj z bariery. W takim przypadku wkład do namagnesowania w tej strukturze maj najprawdopodobniej tylko jony Mn++ znajduj ce si wewn trz kropek kwantowych, podczas gdy jony Mn++ z bariery ustawione s antyferromagnetycznie w sieci krystalicznej MnTe.

2.2 Własno ci półmagnetycznych kropek kwantowych na podstawie