1
WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
Cele ćwiczenia:
1. Pomiar charakterystyk tranzystora, wyznaczenie jego podstawowych parametrów.
2. Doskonalenie zastosowania i obsługi przyrządów pomiarowych.
Pytania i zagadnienia do przygotowania:
1. Teoria pasmowa półprzewodników (model pasmowy) 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe (typu p i n),
3. Przewodnictwo półprzewodników. Mechanizm przepływu prądu w półprzewodniku, opór elektryczny właściwy, koncentracja nośników, 4. Budowa i podstawowe zasady działania tranzystora bipolarnego,
5. Charakterystyki i parametry tranzystora (charakterystyki statyczne w układzie WE).
Literatura:
1. W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa, 1984,
2. K. W. Szalimowa, Fizyka półprzewodników, PWN, Warszawa, 1974,
3. K. Michałowski, A. Przyjałkowski, Elektrotechnika z elektroniką, WNT, 1975, 4. M. Polowczyk, Elementy i przyrządy półprzewodnikowe powszechnego stosowania, WKŁ, Warszawa, 1986,
5. A. Van der Ziel, Podstawy fizyczne elektroniki ciała stałego, WNT, Warszawa, 1983.
6. A. Marusak, urządzenia elektroniki, WSiP, Warszawa, 1976
7. A. Chwaleba, B. Moeschke, G. Płoszajski, Elektronika, WSiP, Warszawa, 1999
2
WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA BIPOLARNEGO W UKŁADZIE WSPÓLNEGO EMITERA
Dla uzyskania charakterystyk statycznych tranzystora, czyli zależności prądowo — napięciowych w obwodzie tranzystora, należy posłużyć się zestawem doświadczalnym przedstawionym na schemacie – rys. 1
Rys. 1. Schemat układu do wyznaczania statycznych charakterystyk tranzystora w układzie WE.
Zadania do wykonania:
1. Wyznaczyć charakterystykę wejściową tranzystora, czyli zależność prądu bazy od napięcia baza–emiter IB= f(UBE) przy ustalonym stałym napięciu kolektor–emiter
UCE = const = 10 [V] a następnie UCE = const = 15[V] .
Za pomocą potencjometru zmieniać napięcie wejściowe. Odczytywać wartości prądu bazy na mikroamperomierzu oraz napięcie wejściowe UBE na dołączonym woltomierzu cyfrowym . Przedstawić na wykresie zależność IB=f(UBE)
2. Wyznaczyć charakterystykę przejściową(prądową) IC=f(IB) przy napięciu kolektor–emiter UCE = const=10[V]. a następnie UCE = const = 15[V]
3
Zmieniając prąd bazy IB przy pomocy potencjometru dokonać pomiaru wartości prądu bazy IB i prądu kolektora IC .
Przedstawić otrzymaną zależność na wykresie
Obliczyć współczynnik wzmocnienia prądowego badanego tranzystora.
B C
I
I
(Stosunek prądu kolektora do prądu bazy nazywany jest wzmocnieniem prądowym tranzystora β).
3.Wyznaczyć charakterystykę wyjściową
Wyznaczyć charakterystykę wyjściową tranzystora, czyli zależność prądu kolektora od napięcia koletor–emiter przy ustalonym stałym prądzie bazy IB = const = 50[μA]
a następnie IB = const = 100 [μA ].
Ustalić prąd bazy na mikroamperomierzu –wartość powinna być stała przez cały czas wykonywania pomiaru. Zmieniając napięcie UCE odczytywać wartości na woltomierzu UCE oraz wartość prądu kolektora IC.
Przedstawić otrzymaną zależność na wykresie.
4.Wyznaczyć charakterystykę sprzężenia zwrotnego
Wyznaczyć charakterystykę sprzężenia zwrotnego tranzystora, czyli zależność napięcia kolektor-emiter od napięcia baza–emiter przy ustalonym stałym prądzie bazy IB = const
= 50[μA] a następnie IB = const = 100 [μA ].
Przy ustalonym prądzie bazy zmieniać napięcie UBE oraz odczytywać wartości z woltomierza baza-emiter a także z woltomierza kolektor – emiter.
