Zagadnienia do III tury ćwiczeń laboratorium „Elementy Elektroniczne”
kierunek EiT
Zasada działania źródła prądowego z rezystywnym dzielnikiem ustalającym potencjał bazy.
Zasada działania „zwierciadła prądowego”. Czy można „zaprogramować” większy lub mniejszy prąd źródła od prądu płynącego w obwodzie „programującym” ?
Jaki jest warunek na maksymalną rezystancję podłączoną do źródła prądowego przy danym napięciu zasilania i czego on wynika ?
Budowa i zasada działania tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym.
Charakterystyki przejściowa i wyjściowa (tranzystorów MOS) oraz układy pomiarowe do ich wyznaczania.
Na czym polega efekt „modulacji długości kanału” ? Jaki parametr opisuje to zjawisko, jak wyznaczamy go z pomiarów ?
Jakie efekty zachodzą podczas przełączania diody impulsami I(+) i I(-) ?
Jak wyznaczyć czas życia nośników w złączu pn ?Jak wyznaczyć rezystancję szeregową złącza pn z pomiarów efektów przełączania ?
Kiedy tranzystor pracuje w nasyceniu a kiedy jest odcięty ?
Jakie efekty zachodzą w tranzystorze przy przejściu od nasycenia do odcięcia? Przebiegi napięć i prądów w obwodzie bazy i kolektora.
