DD31N

(1)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK February 1996

Marketing Information DD 31 N

68

15,5 20

80 92

20 fillister head screw M5 x 11 Z4 - 1

marking screwing depth

max. 8,5

AK K A

(2)

eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256

DD 31 N

Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...tvj max VRRM 800, 1200, 1400, 1600

V Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM 900, 1300, 1500,

1700

V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM 60 A

Dauergrenzstrom mean forward current tc = 100°C IFAVM 31 A

tc = 83°C 38 A

Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 550 A

tvj = tvj max, tp = 10 ms 480 A

Grenzlastintegral I²t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I²t 1510 A²s

tvj = tvj max, tp = 10 ms 1150 A²s

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung forward voltage tvj = tvj max, iF = 100 A vF max. 1,55 V

Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 0,8 V

Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT 7,0 mΩ

Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR max. 15 mA

Isolations-Prüfungspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, 1 min. VISOL 3 kV ¹⁾

RMS, f = 50 Hz, 1 sec. 3,6 kV ¹⁾

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction pro Modul/per module, Θ =180° sin RthJC max. 0,60 °C/W

to case pro Zweig/per arm, Θ =180° sin max. 1,20 °C/W

pro Modul/per module, DC max. 0,55 °C/W pro Zweig/per arm, DC max. 1,10 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module RthCK max. 0,1 °C/W

pro Zweig/per arm max. 0,2 °C/W

Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 150 °C

Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C

Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C²⁾

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Gehäuse, siehe Seite case, see page 1

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert

Si-pellet with soldered contact, glass-passivated

Innere Isolation internal insulation Al203

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 4 Nm

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 4 Nm

Gewicht weight G typ. 125 g

Kriechstrecke creepage distance 12,5 mm

Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²

Kühlkörper / heatsinks: KP 0,5 S; KP 0,41 S; KP 0,35 S; KP 0,33 S

1)nur gültig für 4.Kennbuchstaben L / only valid with 4th letter L

2) Gemäß DIN IEC 749 mit 747-1 gilt eine Zeitbegrenzung von 672 h. Für die im Betrieb auftretende Gehäusetemperatur gilt keine zeitliche Begrenzung. / According to DIN IEC 749 with 747-1 a time-limit of 672 h is defined. There is no time-limit set for case temperature during operation.

(3)

DD 31 N

Bild/Fig. 1

Durchlaßverlustleistung P_FAV eines Zweiges Forward power loss P_FAV per arm Parameter:

DC - Gleichstrom/direct current e - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit, 60°el.

b - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit f - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit, 30°el.

c - B6-, M3-, M3.2-Schaltung/circuit d - M6-Schaltung/circuit

60 60

50

40

30

20

10

0 10 20 30 40 50

f

e d

c b

DC

P_FAV [W]

I_FAV [A]

DD31N1

DD31N3

20 40 60 80 100

P_tot [W]

I_d [A]

50 150

100

Bild/Fig. 3

B2 - Zweipuls-Brückenschaltung

Höchstzulässiger Ausgangsstrom I_d in Abhängigkeit von der Umgebungs- temperatur t_A.

B2 - Two-pulse bridge circuit

Maximum allowable output current I_d versus ambient temperature t_A. Parameter: Wärmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/

thermal resistance case to ambient R_thCA

0 40 80

t_A [°C]

200 250

L-Last R-Last 0,15

2,0 1,5 1,0 0,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2

60 20

3,0 1,2

R_thCA = 0,1 °C/W

R-Load

L-Load

I_F(OV) [A]

DD31N5

Bild/Fig. 5

B2 - Zweipuls-Brückenschaltung/Two-pulse bridge circuit

Überstrom je Zweig I_F(OV) bei Luftselbstkühlung, t_A = 45°C, Kühlkörper KP 0,33 S.

Overload on-state current per arm I_F(OV) at natural cooling, t_A = 45°C, heatsink type KP 0.33 S.

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor) t

10 20 40 100 200 400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 2h

ms s min

60 80 100 150 200 250 300 500 800

I_FAV(vor) = 0 7A 12A

18A 22A 25A

60

0 10 20 30 40 50

30 60 90 120 150

f e d c b DC

Bild/Fig. 2

Höchstzulässige Gehäusetemperatur t_C in Abhängigkeit vom Zweigstrom Maximum allowable case temperature t_Cin versus current per arm Parameter:

DC - Gleichstrom/direct current e - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit, 60°el.

b - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit f - M1-, M2-, B2-Schaltung/circuit, 30°el.

c - B6-, M3-, M3.2-Schaltung/circuit d - M6-Schaltung/circuit

t_C [°C]

I_FAVM [A]

DD31N2

DD31N4

20 40 60 80 100

P_tot [W]

Id [A]

Bild/Fig. 4

B6 - Sechspuls-Brückenschaltung

B6 - Six-pulse bridge circuit

0 20 40 60 80 100

tA [°C]

0,15 0,12

2,0 1,5 1,0 0,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2

20 80 160 240 R_thCA = 320

0,1 °C/W

I_F(OV) [A]

DD31N6

Bild/Fig. 6

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor) t

10 20 40 100 200 400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 2h

ms s min

60 80 100 150 200 250 300 500 800

I_FAV(vor) = 0 10A

20A 30A

35A 40A

(4)

DD 31 N

Bild/Fig. 7

Grenzstrom je Zweig I_F(OV)M bei Luftselbstkühlung, t_A=45°C und verstärkter Luftkühlung, t_A=35°C, Kühlkörper KP 0,33 S, v_RM = 0,8 V_RRM.

Limiting overload on-state current per arm IF(OV)M at natural (tA=45°C) and forced (t_A=35°) cooling, heatsink type KP 0.33 S, v_RM= 0.8 V_RRM. a - Belastung nach Leerlauf/current surge under no-load conditions b - Belastung nach Betrieb mit Dauergrenzstrom I_FAVM

Current surge occurs during operation at limiting mean on-state current rating I_FAVM

DD31N7

2 4

t [ms]

IF(OV)M [A]

10¹ 6 8 10² 2 4 6 8 10³

100 200 300 400

b a 500

0

K 0,33; t_A = 35°C

K 0,33; tA = 45°C

Bild/Fig. 9

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig R_(th)JCbei sinus- und rechteckförmigem Stromverlauf.

Transient thermal impedance per arm R_(th)JC,junction to case at sinusoidal and square wave current.

DD31N9

Z_(th)JC [°C/W]

t [s]

10^-3 2 4 6 10^-2 2 4 6 10^-1 2 4 6 10⁰ 2 4 6 10¹ DC

, 60°

0,4 0,8 1,2 1,6 2,0

0

H =

,H =120°

, ^H=180°

, H =180°

f = 50 Hz

f = 16 2/3 Hz , , 180°^H=

0,073 0,078 0,11 0,36 0,49

0,00076 0,003 0,019 0,1 0,3

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W]

τ_n [s]

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJC pro Zweig für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z_thJC per arm for DC

Analytische Funktion / Analytical function:

n_max

Σ

n=1

Z_thJC = R_thn (1-e ) t- τn DD31N08...16

1 10 100

Q_r [µAs]

-di/dt [A/µs]

Bild/Fig. 8

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r = f(-di/dt) t_vj= t_{vj max}, v_R<= 0,5 V_RRM, v_RM = 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM

iFM [ A ]

100

10 1000

2 4 7 20 40 70

20 40 70 200 400 700

50 20 10 5 2

(5)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

Marketing Information DD 55 N

VWK February 1996

68

15,5 20

80 92

max. 8,5

AK K A

(6)

eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256

DD 55 N

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...tvj max VRRM 800, 1200 1400, 1600

V

Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM 900, 1300 1500, 1700

V

tc = 88°C 64 A

RMS, f = 50 Hz, 1 sec. 3,6 kV ¹⁾

pro Modul/per module, DC max. 0,35 °C/W

pro Zweig/per arm, DC max. 0,70 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module RthCK max. 0,08 °C/W

(7)

DD 55 N

Bild/Fig. 2

Höchstzulässige Gehäusetemperatur t_C in Abhängigkeit vom Zweigstrom Maximum allowable case temperature t_C versus current per arm

Bild/Fig. 3

Bild/Fig. 4

Bild/Fig. 5

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor)

Bild/Fig. 6

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor) I_F(OV)

[kA]

DD55N6

t

10 20 40 100 200400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 401h

ms s min

I_FAV(vor) = 0 20A 35A 45A 800

400

300

200 150

100 600 1000

55A 64A I_F(OV)

[kA]

DD55N5

t

10 20 40 100 200400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 401h

ms s min

I_FAV(vor) = 0 10A 800

400

300

200 150

100 600 1000

38A 35A 30A 20A

DD55N3

P_tot [W]

I_d [A]

300

100

0 t_A [°C]

200 400

L-Last R-Last

50 100 150

20 40 60 80 100

0,15

2,0 1,5 1,0 0,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2

3,0 1,2

R_thCA [°C/W]

0,1

DD55N4

20 40 60 80 100

P_tot [W]

I_d [A]

100 300

200

0 40 80 120 160 200

t_A [°C]

400 500

0,15

0,12 0,1 0,08

R_thCA [°C/W]

1,52,0 1,0 0,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2

3,0

0 20 40 60 80

DD55N2

150

100 120

120

60 100

80

40

20

DC

H = 60° 120° 180° 180°

t_C [°C]

I_FAVM [A]

Bild/Fig. 1

Durchlaßverlustleistung P_FAV eines Zweiges Forward power loss P_FAV per arm 40

0 PFAV [W]

I_FAV [A]

DC

H = 60°

120° 180°

180°

DD55N1

80 130

20 40 60 80 100

20 100

60

(8)

DD 55 N

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R_thn [°C/W]

τ_n [s]

n_max

Σ

n=1

Z_thJC = R_thn (1-e ) t- τn

0,00039 0,0674 0,0505 0,2296 0,3521 0,000051 0,0018 0,007 0,055 0,227

Bild/Fig. 9

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z_(th)JC.

Transient thermal impedance, junction to case, per arm Z_(th)JC.

DD55N9

Z_(th)JC [°C/W]

0,2 0,4 0,8 1,0

0,6 1,2

t [s]

10^-3 2 4 6 10^-2 2 4 6 10^-1 2 4 6 10⁰ 2 4 6 10¹ DC

60°

120°

180°

0

f = 50 Hz Bild/Fig. 7

2 4

t [ms]

I_F(OV)M [A]

10¹ 6 8 10² 2 4 6 8 10³

0 100 200 300 400 600 700 800

b a

tA = 45°C t_A = 35°C

DD55N7 DD55N08...16

1 10 100

Q_r [µAs]

-di/dt [A/µs]

Bild/Fig. 8

i_FM [ A ]

100

10 1000

2 4 7 20 40 70

20 40 70 200 400 700

100 200 50

20 10 5

(9)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK February 1996

Marketing Information DD 61 N

68

15,5 20

80 92

max. 8,5

AK K A

(10)

eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256

DD 61 N

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...tvj max VRRM 800 1200 1400 1600

V

Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM 900 1300 1500 1700

V

tc = 82°C 76 A

RMS, f = 50 Hz, 1 sec. 3,6 kV ¹⁾

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction pro Modul/per module, Θ =180° sin R_thJC max. 0,34 °C/W

pro Modul/per module, DC max. 0,32 °C/W pro Zweig/per arm, DC max. 0,64 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module RthCK max. 0,08 °C/W

(11)

DD 61 N

Bild/Fig. 1

Durchlaßverlustleistung P_FAV eines Zweiges Forward power loss P_FAV per arm

Bild/Fig. 2

Höchstzulässige Gehäusetemperatur t_C in Abhängigkeit vom Zweigstrom Maximum allowable case temperature t_Cversus current per arm

Bild/Fig. 3

DD61N4

20 40 60 80 100

P_tot [W]

I_d [A]

Bild/Fig. 4

thermal resistance case to ambient R_thCA 0

t_A [°C]

L-Last R-Last

50

R-Load L-Load

100 150 200

120 2,0

1,5 1,00,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2 0,15

0,12 0,1 0,08 R_thCA [°C/W]

100 300

200 400 500

Bild/Fig. 5

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor)

Bild/Fig. 6

Parameter: Vorlaststrom je Zweig/pre-load current per arm I_FAV(vor) I_F(OV)

[kA]

DD61N6

t

10 20 40 100 200 400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 2h

ms s min

I_FAV(vor) [A]

0,8 0,91,0

0,4

0,3

0,2 0,15

0,1 0,7

40

60 50 20

70 0 I_F(OV)

[kA]

DD61N5

t

10 20 40 100 200 400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 2h

ms s min

I_FAV(vor) [A]

0,8 0,91,0

0,4

0,3

0,2 0,15

0,1 0,7

40 35 30

1020 0

DD61N3

20 40 60 80 100

Ptot [W]

I_d [A]

100 200

50 100 150 200 250

t_A [°C]

400 500

2,01,5 1,0 0,8 0,6 0,5 0,4 0,3 0,25 0,2 0,15 0,12 0,1

0,08 RthCA [°C/W]

0 300 600

120 0,06

40 60 80

DD61N2

100 120

DC

120° 180°

60°

I_FAVM [A]

0 20

150

80 90 100 110 130 140

70 60 t_C [°C]

120

0 20 40 60 80

DD61N1

140

100 120

80

DC

120°

180°

60°

20 40 60 100 120 P_FAV [W]

I_FAV [A]

(12)

DD 61 N

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W]

τ_n [s]

n_max

Σ

n=1

0,00525 0,000045

0,0494 0,2405 0,298 0,047 0,00149 0,0444 0,174 0,95 Bild/Fig. 7

DD61N7

2 4

t [ms]

IF(OV)M [A]

10¹ 6 8 10² 2 4 6 8 10³

200 400 600 800

b a 1000

0

K 0,33; t_A = 35°C

K 0,33; t_A = 45°C

Bild/Fig. 9

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig Z_(th)JC.

Transient thermal impedance, junction to case, per arm Z_(th)JC.

DD61N9

Z_(th)JC [°C/W]

t [s]

10^-3 2 4 6 10^-2 2 4 6 10^-1 2 4 6 10⁰ 2 4 6 10¹ DC

60°

120°

180°180°

0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

0

DD61N08...16

1 10 100

Q_r [µAs]

-di/dt [A/µs]

Bild/Fig. 8

i_FM [ A ]

100

10 1000

2 4 7 20 40 70

20 40 70 200 400 700

100 200 50

20 10 5

(13)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK Sep. 1996

Marketing Information DD B6U 145 N 10...16 (ISOPACK)

6

5

4 3

2 1

46 80 94

34

∅ 6,4 18

1 2 3

4 5 6

(14)

DD B6U 145 N 10...16 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung ^Tvj = - 40°C...Tvj max VRRM 1000, 1200 V

repetitive peak reverse voltage 1400, 1600 V

Stoßspitzensperrspannung ^Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1100, 1300 V

non-repetitive peak reverse voltage 1500, 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM 100 A

RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom TC = 100°C Id 145 A

output current ^TC = 84°C 173 A

TA = 45°C, KP 0,5 S 71 A

TA = 45°C, KP 0,33 S 97 A

TA = 35°C, KP 0,41 S (VL = 45l/s) 153 A

TA = 35°C, KP 0,33 S (VL = 90l/s) 173 A

Stoßstrom-Grenzwert ^Tvj = 25°C, tp = 10ms IFSM 1200 A

surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1000 A

Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 7200 A²s

I²t-value ^Tvj = Tvj max, tp = 10ms 5000 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung forward voltage ^T^vj^{= T}^{vj max}^{, i}^F^{= 150A} vF max. 1,65 V

Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V

Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 3,1 mΩ

Sperrstrom reverse current ^Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 5 mA

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV

insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,0 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect RthJC max. 0,148 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,890 °C/W

pro Modul / per module, DC max. 0,167 °C/W

pro Element / per chip, DC max. 0,700 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module RthCK max. 0,033 °C/W

thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 °C/W

Höchstzul. Sperrschichttemp. max. junction temperature Tvj max 150 °C

Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+150 °C

Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert

Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

Innere Isolation internal insulation Al2O3

Drehmom.f.mech. Befest. mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm

Drehmom. f. el. Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 4 Nm

Gewicht weight G

typ.

^{220 g}

Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s²

Kühlkörper / heatsinks : KP 0,5 S; KP 0,41 S; KP 0,35 S; KP 0,33 S

(15)

DD B6U 145 N 10...16

Pos. n Rthn [°C/W]

τn [s]

nmax n=1

Σ

1 2 3 4

0,35500 0,24500 0,04100 0,05500

0,30200 0,3780 0,00900 0,00109

DD B6U 145 N 10...16 / 2

0,8

0,6

0,4

0,2

0 Z_thJC [°C/W]

t [s]

10^-3 ² ^{3 4} ⁶ 10^-2 ² ^{3 4} ⁶ 10^-1 ² ^{3 4} ⁶ 10⁰ ² ^{3 4} ⁶ 10¹

Bild / Fig. 2

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig /Transient thermal impedance per arm

ZthJC = f(t)

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ 120° rect

DC

DD B6U 145 N 10...16 / 1 I_d [A]

Bild / Fig. 1

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowaböe case temperatur T_C = f(I_d)

160

140

120

100

80

60

40

20

00 20 40 60 80 100

T_C [°C]

120 140 160 180

(16)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK Sep. 1996

Marketing Information DD B6U 205 N 10...16 (ISOPACK)

6

5

4 3

2 1

46 80 94

34

∅ 6,4 18

1 2 3

4 5 6

(17)

DD B6U 205 N 10...16 (ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung ^Tvj = - 40°C...Tvj max VRRM 1000, 1200 V

repetitive peak reverse voltage 1400, 1600 V

Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1100, 1300 V

non-repetitive peak reverse voltage 1500, 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM 120 A

RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom TC = 100°C Id 205 A

output current TC = 99°C 208 A

TA = 45°C, KP 0,5 S 80 A

TA = 45°C, KP 0,33 S 113 A

TA = 35°C, KP 0,41 S (VL = 45l/s) 190 A

TA = 35°C, KP 0,33 S (VL = 90l/s) 208 A

Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms IFSM 1600 A

surge forward current ^Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1375 A

Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 12800 A²s

I²t-value ^Tvj = Tvj max, tp = 10ms 9450 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung forward voltage Tvj = Tvj max, iF = 200A vF max. 1,47 V

Schleusenspannung threshold voltage ^Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V

Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 2,2 mΩ

Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 10 mA

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV

insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,0 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect RthJC max. 0,098 °C/W thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,590 °C/W

pro Modul / per module, DC max. 0,078 °C/W

pro Element / per chip, DC max. 0,470 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module RthCK max. 0,033 °C/W

thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 °C/W

Höchstzul. Sperrschichttemp. max. junction temperature Tvj max 150 °C

Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+150 °C

Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert

Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

Innere Isolation internal insulation Al2O3

Drehmom.f.mech. Befest. mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm

Drehmom. f. el. Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 4 Nm

Gewicht weight G

typ.

^{220 g}

Schwingfestigkeit vibration resistance ^{f = 50Hz} 50 m/s²

Kühlkörper / heatsinks : KP 0,5 S; KP 0,41 S; KP 0,35 S; KP 0,33 S

(18)

DD B6U 205 N 10...16

Pos. n Rthn [°C/W]

τn [s]

nmax n=1

Σ

1 2 3 4

0,18100 0,25100 0,03520

0,31800 0,03870 0,00109

DD B6U 205 N 10...16 / 2

0,6

0,4

0,2

0 Z_thJC [°C/W]

t [s]

10^-3 ² ^{3 4} ⁶ 10^-2 ² ^{3 4} ⁶ 10^-1 ² ^{3 4} ⁶ 10⁰ ² ^{3 4} ⁶ 10¹

Bild / Fig. 2

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig /Transient thermal impedance per arm

ZthJC = f(t)

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ 120° rect

DC

DD B6U 205 N 10...16 / 1 I_d [A]

Bild / Fig. 1

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowaböe case temperatur T_C = f(I_d)

160

140

120

100

80

60

40

20

00 T_C [°C]

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220

(19)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK February 1996

Marketing Information TT 18 N

68

15,5 20 14,5

80 92

20

4 2 3 1

A AK

3 1 4 2

K

fillister head screw M5 x 11 Z4 - 1

plug A 2,8 x 0,8

max. 8,5

(20)

TT 18 N

t_C [°C]

P_tot

[W] Ptot

[W]

0 0

10 20 30

P_TAV [W]

I_TAV [A]

TT 18 N/3

θ=30°

60° 90°

120°

180°

40 50

30

20

10 60

0 θ

DC t_C

[°C]

00 20 40 60 80 100 1200

RthCA[°C/W]

t_A [°C] I_d [A]

L-Last L-load R-Last R-load

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25 0.200.15 0.10

TT 18 N/5

80

40 120 160 200 240

10 20 30 40 50

0 10 20 30

I_TAVM

TT 18 N/4

θ=30° 60° 90° 120° 180°

20 40 60 80 100 130

[A]

0 θ

DC

00 20 40 60 80 100 1200

RthCA[°C/W]

t_A [°C] I_d [A]

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25

TT 18 N/6

80

40 120 160 200 240

20 40 60 80

0 0

10 20 30

P_TAV [W]

I_TAV [A]

TT 18 N/1

θ=30°

60°

90°

120° 180°

40 55

30

20

10

0 Θ DC

0 10 20 30

I_TAVM

TT 18 N/2

θ=30° 60° 90° 120° 180°

0 Θ

20 40 60 80 100 130

[A]

DC

Bild / Fig. 1

Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P_TAV= f(I_TAV)

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

Bild / Fig. 3

Bild / Fig. 6

B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_d Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung / thermal resistance case to ambient R_thCA

Bild / Fig. 5

B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Höchstzulässiger Ausgangsstrom/Maximum rated output current I_d Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung / thermal resistance case to ambient R_thCA

Bild / Fig. 2

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature t_C = f(I_TAVM)

Strombelastung je Zweig / current load per arm Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ

Bild / Fig. 4

(21)

TT 18 N

P_tot [W]

00 20 40 60 80 100 1200

P_tot [W]

R_thCA[°C/W]

t_A [°C]

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25

TT 18 N/8

200 240

10 20 30 40 50

I_RMS [A]

160

120

80

40

IT(OV) [A]

I_T(OV) [A]

[A]

I_T(OV)M Q_r

[µAs]

1 2 3 4 5 6 7 10 20 30 40 50 70 100

-di/dt [A/µs]

T 18 N/12

10¹ 2 4 6 10² 2 4 10³ 6

iTM= 200A 100A 50A 20A 10A 40

60 80 100 150 200 300 400

t [s]

TT 18 N/10

20 40 100200400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 10

ms s

I_TAV(vor)=

0 10A5A 15A20A 23A

00 20 40 60 80 100 1200

RthCA[°C/W]

t_A [°C]

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40

0.30 0.20

TT 18 N/7

100 120

10 20 30 40 50

80

60

40

20

I_RMS [A]

4.00

40 60 80 100 150 200 300 400

t [s]

I_TAV(vor)=

TT 18 N/9

20 40 100200400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 10

ms s min

0 5A 10A

13A

15A

50 100 150 200 300

250

TT 18 N/11

10 20 40 60 100 200 400 600 1s

t [ms]

a

b

K 0,33, t_A=35°C

K 0,33, t_A=45°C

Bild / Fig. 10

B2 - Zweipuls - Brückenschaltung / Two - pulse bridge circuit

Überstrom je Zweig I_T(OV)bei verstärkter Luftkühlung, t_A=35°C, V_L=90l/s, Kühlkörper KP0,33S /

Overload on-state current per arm I_T(OV) at forced cooling, t_A=35°C, V_L=90l/s, heatsink type KP 0,33S.

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / pre-load current per arm I_TAV(vor) Bild / Fig. 9

B2 - Zweiplus - Brückenschaltung / Two - pulse bridge circuit Überstrom je Zweig I_T(OV)bei Luftselbstkühlung, t_A=45°C, Kühlkörper KP0,33S /

Overload on-state current per arm I_T(OV) at natural cooling, t_A=45°C, heatsink type KP 0,33S

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / pre-load current per arm I_TAV(vor)

Bild / Fig. 12

Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q_r = f(-di/dt) t_vj = t_vjmax, v_R ≤ 0,5 V_RRM, v_RM = 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i_TM Bild / Fig. 7

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I_RMS

Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot

Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/

Bild / Fig. 8

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per phase IRMS

Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/

Bild / Fig. 11

Grenzstrom je Zweig I_T(OV)M bei Luftselbstkühlung, t_A=45°C und verstärkter Luftkühlung, t_A=35°C, Kühlkörper KP 0,33S, v_RM = 0,8V_RRM.

Limitimg overload on state current per arm I_T(OV)M at natural (t_A=45°C) and forced (t_A=35°C) cooling, heatsink type KP 0,33S, v_RM=0,8 V_RRM. a - Belastung nach Leerlauf / current surge under no-load conditions b - Belastung nach Betrieb mit Dauergrenzstrom I_TAVM/

Current surge occurs during operation at limiting mean on- state current rating I_TAVM

(22)

TT 18 N

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W]

τ_n [s]

nmax

Σ

n=1

0,0517 0,112 0,173 0,517 0,0546 0,0778 0,114 0,00153 0,00968 0,0501 0,173 0,0282 0,132 0,418 v_G [V]

10^-2 10^-1 10^o 10¹

T 18 N/13 i_G [A]

b a

c d

10⁰

10^-1 10¹

2 3 4 5 2 3

2 3 4 5

2 3 4 5 2 3 4 5 2 3 4 5

5

t_gd [µs]

T18 N/14

10^-2 ² ³ ⁵ 10^-1 ² ³ ⁵ 10⁰ ² ³ ⁵ 10¹

i_G [A]

10^-1 10⁰ 10¹ 10²

2 2 2

3 3 3

5 5 5

Z_{(th) JC} [^°C/W]

0

t [s]

10^-3 10^-2 10^-1 10⁰ 10¹

TT 18 N/15

θ=

30°

60°

90°

120°

180°

1.8 1.6 1.4 1.2

0.8

0.4 0.2 1.0

0.6

0 Θ

Z_{(th) JC} [^°C/W]

0

t [s]

10^-3 10^-2 10^-1 10⁰ 10¹ 10²

TT 18 N/16

θ=

30°

60°

90°

120°

180°

1.8 1.6 1.4 1.2

0.8

0.4 0.2 1.0

0.6

0 θ

DC

Bild / Fig. 15

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig/Transient thermal impedance per arm Z(th)JC = f(t)

Bild / Fig. 16

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ Bild / Fig. 13

Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering areas, v_G = f(i_G), v_D = 6 V

Parameter: a b c d ________________________________________________________

Steuerimpulsdauer / Pulse duration t_g [ms] 10 1 0,5 0,1 ________________________________________________________

Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/

Maximum allowable peak gate power [W] 5 10 15 30 ________________________________________________________

Bild / Fig. 14

Zündverzug / Gate controlled delay time t_gd= f(i_G) t_vj = 25°C, di_G/dt = i_GM/1µs

a - äußerster Verlauf / limiting characteristic b - typischer Verlauf / typical characteristic

b a

(23)

TT 18 N, TD 18 N, DT 18 N

Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Vorwärts- und

Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM 800 1200 1400 1600

V Vorwärts-Stoßspitzensperr-

spannung

non-repetitive peak forward off- state voltage

tvj = -40°C...tvj max VDSM 800 1200 1400 1600

V Rückwärts-

Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

tvj = +25°C...tvj max VRSM 900 1300 1500 1700

V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 40 A

Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 18 A

tc = 59°C 25,5 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 390 A

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state DIN IEC 747-6, f = 50 Hz, vL = 8 V (diT/dt)cr 100 A/µs IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr

6.Kennbuchstabe/6th letter F 1000 V/µs

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 80 A vT max. 2,38 V

Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 1,1 V

Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT 16 mΩ

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max.150 mA

Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max.5 mA

tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 2,5 mA

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V

Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10 Ω IH max.200 mA

Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20 Ω IL max.600 mA

iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts- forward off-state and reverse tvj = tvj max iD, iR max.8 mA vD = VDRM, vR = VRRM

Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj = 25°C tgd max. 1,2 µs

iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM tq typ.80 µs vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM

dvD/dt = 20 V/µs,-diT/dt = 10A/µs 5.Kennbuchstabe/5th letter O

RMS, f = 50 Hz, 1 min. VISOL 3 kV ¹⁾

Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, 1 sec. 3,6 kV ¹⁾

pro Modul/per module, DC max. 0,55 °C/W

pro Zweig/per arm, DC max. 1,10 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to pro Modul/per module RthCK max. 0,1 °C/W

Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+125 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Gehäuse, siehe Seite case, see page Si-Elemente mit Lötkontakt,

glaspassiviert

Kühlkörper / heatsinks: KP 0,5 S; KP 0,41 S; KP 0,35 S; KP 0,33 S

1) nur gültig für 4.Kennbuchstaben L / only valid with 4th letter L

(24)

European Power- Semiconductor and Electronic Company

VWK February 1996

Marketing Information TT 25 N

68

15,5 20 14,5

80 92

20

4 2 3 1

A AK

3 1 4 2

K

fillister head screw M5 x 11 Z4 - 1

plug A 2,8 x 0,8

max. 8,5

(25)

TT 25 N

P_tot [W]

TT 25 N/6

00 20 40 60 80 100 1200

RthCA[°C/W]

t_A [°C] I_d [A]

2.00 1.50 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25 0.20 0.15 0.12

200

20 40 60 80

100 300 t_C [°C]

0 10 20 30

I_TAVM

TT 25 N/4

θ=30° 60° 90° 120° 180°

20 40 60 80 100 130

[A]

40

0 θ

DC t_C

[°C]

0 10 20 30

I_TAVM

TT 25 N/2

20 40 60 80 100 130

[A]

0 Θ

40

θ=30° 60° 90° 120° 180°

DC PTAV

[W]

0 0

10 20 30

I_TAV [A]

TT 25 N/1

40

30

20

10

40 50

60

0 Θ θ=30°

60°

90°

120° 180°

DC

P_TAV [W]

0 0

10 20 30

I_TAV [A]

TT 25 N/3

θ=30°

60°

90° 120° 180°

40

30

20

10

40 50

60

0 θ

DC

P_tot [W]

TT 25 N/5

00 20 40 60 80 100 1200

R_thCA[°C/W]

t_A [°C] I_d [A]

L-Last L-load R-Last

R-load

80

40 120 160 200 240

10 20 30 40 50

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25 0.20

Bild / Fig. 1

Bild / Fig. 2

Bild / Fig. 3

Bild / Fig. 4

Bild / Fig. 6

B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_d Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung / thermal resistance case to ambient R_thCA

Bild / Fig. 5

B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Höchstzulässiger Ausgangsstrom/Maximum rated output current I_d Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung / thermal resistance case to ambient R_thCA

(26)

TT 25 N

Q_r [µAs]

1 2 3 4 5 6 7 10 20 30 40 50 70 100

-di/dt [A/µs]

TT 25 N/12

10¹ 2 4 6 10² 2 4 10³ 6

iTM= 200A 100A 50A 20A 10A I_T(OV)

[A]

40 60 80 100 150 200 300 400

10¹

10⁰ 10² 10³ 10⁴ 10⁵

10^-1

t [s]

TT 25 N/10

I_TAV(vor)=

0 10A15A 20A25A 30A P_tot

[W]

TT 25 N/8

00 20 40 60 80 100 1200

RthCA[°C/W]

t_A [°C]

2.00 1.50 1.00 0.80 0.60 0.50 0.40 0.30 0.25 0.20

100 200

20 40 60 80

I_RMS [A]

300

P_tot [W]

TT 25 N/7

00 20 40 60 80 100 1200

R_thCA[°C/W]

t_A [°C]

3.00 2.00 1.50 1.20 1.00 0.80 0.60 0.50 0.400.30 0.20

100 125

80

20 40 60

75

50

25

I_RMS [A]

5.00

I_T(OV) [A]

40 60 80 100 150 200 300 400

t [s]

I_TAV(vor)=

TT 25 N/9

20 40 100200400 1 2 4 10 20 40 1 2 4 10 20 40 60 10

ms s min

0 5A 10A 13A 16A

18A

[A]

I_T(OV)M

100 150 200 300

250

TT 25 N/11

10 20 40 60 100 200 400 600 1s

t [ms]

350 _a

b K 0,33, t_A=35°C

K 0,33, t_A=45°C

Bild / Fig. 10

B2 - Zweipuls - Brückenschaltung / Two - pulse bridge circuit

Überstrom je Zweig I_T(OV)bei verstärkter Luftkühlung, t_A=35°C, V_L=90l/s, Kühlkörper KP0,33S /

Overload on-state current per arm I_T(OV) at forced cooling, t_A=35°C, V_L=90l/s, heatsink type KP 0,33S.

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / pre-load current per arm I_TAV(vor) Bild / Fig. 9

B2 - Zweiplus - Brückenschaltung / Two - pulse bridge circuit Überstrom je Zweig I_T(OV)bei Luftselbstkühlung, t_A=45°C, Kühlkörper KP0,33S /

Overload on-state current per arm I_T(OV) at natural cooling, t_A=45°C, heatsink type KP 0,33S

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / pre-load current per arm I_TAV(vor)

Bild / Fig. 12

Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q_r = f(-di/dt) t_vj = t_vjmax, v_R ≤ 0,5 V_RRM, v_RM = 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i_TM Bild / Fig. 8

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per phas IRMS

Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/

thermal resistance case to ambient R_thCA Bild / Fig. 7

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I_RMS

Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P_tot

Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/

Bild / Fig. 11

Grenzstrom je Zweig I_T(OV)M bei Luftselbstkühlung, t_A=45°C und verstärkter Luftkühlung, t_A=35°C, Kühlkörper KP 0,33S, v_RM = 0,8V_RRM.

Limitimg overload on state current per arm I_T(OV)M at natural (t_A=45°C) and forced (t_A=35°C) cooling, heatsink type KP 0,33S, v_RM=0,8 V_RRM. a - Belastung nach Leerlauf / current surge under no-load conditions b - Belastung nach Betrieb mit Dauergrenzstrom I_TAVM/

Current surge occurs during operation at limiting mean on- state current rating I_TAVM

(27)

TT 25 N

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W]

τ_n [s]

nmax

Σ

n=1

0,0517 0,00153

0,111 0,162 0,511 0,00968 0,0501 0,173 Z_{(th) JC}

[^°C/W]

t [s]

10^-3 10^-2 10^-1 10⁰ 10¹

TT 25 N/16

tgd [µs]

TT 25 N/14

10^-2 ² ³ ⁵ 10^-1 ² ³ ⁵ 10⁰ ² ³ ⁵ 10¹

i_G [A]

10^-1 10⁰ 10¹ 10²

2 2 2

3 3 3

5 5 5

vG [V]

10^-2 10^-1 10^o 10¹

T 25 N/13 i_G [A]

b a

c d

10⁰

10^-1 10¹

2 3 4 5 2 3

2 3 4 5

2 3 4 5 2 3 4 5 2 3 4 5

5

Z_{(th) JC} [^°C/W]

0

t [s]

10^-3 10^-2 10^-1 10⁰ 10¹

TT 25 N/15

1.2

0.8

0.4

0.2 1.0

0.6

0 Θ

Bild / Fig. 15

Bild / Fig. 16

Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ Bild / Fig. 13

Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering areas, v_G = f(i_G), v_D = 6 V

Parameter: a b c d ________________________________________________________

Steuerimpulsdauer / Pulse duration t_g [ms] 10 1 0,5 0,1 ________________________________________________________

Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/

Maximum allowable peak gate power [W] 5 10 15 30 ________________________________________________________

Bild / Fig. 14

Zündverzug / Gate controlled delay time t_gd= f(i_G) t_vj = 25°C, di_G/dt = i_GM/1µs

a - äußerster Verlauf / limiting characteristic b - typischer Verlauf / typical characteristic

0 θ

DC 1,6 1,4

1,2 1,0 0,8 0,6 0,4

0,2 0

30°

60°

90°

120°

180°

θ=

180°

90°

60°

30°

θ=

120°

a b