Optoelektronika; Fotodioda BPYP 42, BPYP 42F - Digital Library of the Silesian University of Technology

(1)

1 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

FOTODIODA BPYP 42

BPYP 42F Fotodioda BPYP 42 jest krzemową epiplanarną fotodiodą PIN wiel

kiej częstotliwości, przeznaczoną do zastosowania w układach Światłowodowej telekomunikacji optycznej» Montowana jest na izolatorze TO-18 i hermetyzowana cienką warstwą tworzywa sztucz

nego*

Fotodioda BPYP 42F montowana jest w specjalnej obudowie zapew

niającej łatwe i wys oko sprawne sprzężenie optyczne ze światło«

w o d e m 'jednowłóknowym o średnicy do 230^0 m bez konieczności sto-r*

sowania konektora na końcu światłowodu* Obudowa posiada dodatko- v/o gwint M83cO,*p służący do mocowania fotodiody,,

Min, i 27

'““"■'i'

rnax3.5

• “C-ł-

■u.

I

M~~'T

C

h j

Rys, 1 „ Obudowa fotodiody BPYP 42

KARTA KATALOGOWA

(2)

-

2

^-

Rys „2<, Obudowa fotodiody BPYP 42 F

Koszulka plastikowa Nakrętka zaciskająca

Korpus

Izolator TO-18 ze strukturą fotodiodową

Rys o 3. ^Przekrój przez obudowę fotodiody EPYP 42P

(3)

-

3

^-

WARTOŚCI DOPUSZCZALNE PARAMETRÓW Napięcie wsteczne

Prąd iotoelektryczny Tempe ratura obudowy

Tempo matura prz echovrywani a

U,R P case tstg

-40

50 V 1 mA

❖ 70°C -40 * 70 C

PARAfTETRY CHARAKTERYSTYCZNE /tamb = 25°C/

Parametr Symbol Jedn* Wartość 'Warunki

mini typ. max. pomiaru średnica

obszaru

fotoczułego d run 0,3

.żułość na promieni owa ni e m o no c hr omat y c z-

ne A/W 0,45 0,5

A = 850 nm UR = 2 0 V Czas narasta

nia/opadania impulsu prądu fotoelektrycz«*

nego

y t f

^ns ^1/1

A = 850 nm UR = 20 V

r£ = 5 0 D Ciemny prąd

wsteczny nA 0,6 2 UR = 50 V

Pojemność

całkowita Ctot pP 1,5 2 UD = 20 Vii

Moc równoważna

szumom NEP W/-/Hz' 3 *10"14 6-10”1¿í A = 900 nm UR = 50 V

(4)

4 sx

G3 QS

0/>-

02

^-

0

1

/ 'X.

/' ' \l

1«' BPYP 42 \\

/ \

\ 400 500 600 700 600 £00 1000 TOO

X[r.m]

Rys o 4 * Względna cfc ~ rakto rys- tyka widmowa czułości fo to-»

diod BPYP 42

r-il*

U-

a ,

o-5 2

Rys05« Charakterystyka po~ -j j e mno á c i owo ~ nap i ę c i owa foto

diody BPYP 42

&

4 5 10 20 30 «050 103

u R [ V j

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al* Lotników 32/46

02-668 Warszawa .

Tlx 64 Druk Z0INTE ITE z & m ^ k / a ? Tel.435401

Maj 1937 r« Parametry i obudowa

Cena 40 zł mogą ulec zmianie

PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE