wszystkie aktualnie transmitujące stacje ruchome muszą mieć inną sekwencję kodową 2. Modulator kwadraturowy (IQ):
pozwala uzyskać zarówno modulację QPSK jak i GMSK
3. Problemu zaników selektywnych sygnału można się spodziewać:
w łączach satelitarnych
4. W wyniku występowania propagacji wielodrogowej, w stosunku do propagacji jednodrogowej:
średni zasięg systemu jest większy 5. Sekwencja treningowa w systemie GSM:
pozwala na ocenę aktualnego stanu kanału radiowego
6. W sieciach WLAN (802.11b/g) w wybranych trybach transmisji stosowane jest rozpraszanie widma
7. Implementacja skoków po częstotliwościach (FH) w systemie GSM:
nie jest stosowana dla kanału rozsiewczego stacji bazowej
8. W systemie bezprzewodowym zastosowano kodowanie splotowe o sprawności R=3/4 zamiast R=1/2. W efekcie:
system ten do poprawnej pracy wymaga większego stosunku sygnału do szumu 9. Przeplot w systemach radiokomunikacyjnych:
pozwala na zmniejszenie wpływu błędów paczkowych na jakość transmisji 10. Telefonia bezprzewodowa DECT
wykorzystuje dynamiczną selekcję kanału radiowego
11. Transmisja z podstawową modulacją QPSK o przepływości 1 Mbit/s
wymaga większej liniowości stopnia nadawczego niż modulacja pi/4 DQPSK 12. Stacja ruchoma GSM wykrywa właściwą stację bazową dzięki
ustawieniom częstotliwości zapisanym przez operatora na karcie SIM
13. Dla systemu telefonii komórkowej GSM, przy tej samej mocy nadajnika stacji bazowej zasięg w paśmie 1800 MHz byłby większy niż w paśmie 900 MHz
14. Transmisja radiowa z rozpraszaniem widma sekwencją bezpośrednią (np. w sieciach WLAN), w stosunku do transmisji radiowej bez rozpraszania, ale z taką samą modulacją:
wymaga większego stosunku sygnału do szumu na wejściu odbiornika
15. Tryby transmisji wykorzystujące OFDM w bezprzewodowych sieciach komputerowych (802.11g) w porównaniu z trybami opartymi o rozpraszanie widma
pozwalają na uzyskanie większej prędkości transmisji
16. W bezprzewodowych lokalnych sieciach komputerowych (IEEE 802.11b/g) urządzenia rywalizują o dostęp do kanału radiowego
17. Konstelacja sygnału QPSK
obrazuje wartości składowych synfazowej i kwadraturowej
18. Stosowana w GSM modulacja GMSK jest odmianą modulacji częstotliwości:
wykorzystującą filtr gaussowski
19. Skramblowanie w systemie GSM pozwala na:
uniknięcie długich sekwencji zer i jedynek
20. W przypadku propagacji sygnału w wolnej przestrzeni:
moc odbieranego sygnału maleje z drugą potęgą odległości 21. Odbiór zbiorczy przestrzenny w systemie GSM:
pozwala na poprawę stosunku sygnału do szumu w przypadku zaników sygnału TECHNIKA WIELKICH CZĘSTOTLIWOŚCI
1. Do transmisji sygnału o mocy 10 mW na częstotliwości 2.4 GHz użyto kabla
współosiowego H155 o współczynniku tłumienia 0.5 dB/m. Założono, że na obciążeniu kabla powinna wystąpić moc co najmniej –40dBm. Jaka długość kabla spełnia te wymagania?
150 m
2. Jeśli fala o częstotliwości f = 1 GHz rozchodzi się w ośrodku o następujących właściwościach:
εr = 4, μr = 1, σ = 0 to
współczynnik tłumienia α=0
3. Współczynnik odbicia fali o częstotliwości f = 1 GHz padającej prostopadle na ścianę wynosi
Г =0. Impedancja powierzchniowa Z tej ściany jest równa Z=120 π
4. Znane są parametry jednostkowe L i C niskostratnej linii transmisyjnej. Ile wynosi impedancja falowa linii Zo?
Zo = LC
5. Znana jest impedancja falowa linii Zo i jej parametry jednostkowe L i C . Jaka jest prędkość fazowa v linii?
C v=Z1
0
6. W linii transmisyjnej o impedancji falowej Z = 50 Ω obciążonej opornikiem o nieznanej 0
wartości R zmierzono współczynnik fali stojącej i uzyskano wynik SWR=2. Jakie są możliwe wartości rezystancji?
75 Ω
7. W wyniku pomiaru współczynnika SWR w linii o impedancji falowej Z0 okazało się, że jest on równy nieskończoności. Czy oznacza to, że:
linia jest zwarta na końcu?
8. Wyjście standardowej radiowej linii transmisyjnej zostało obciążone 50 Ω. Współczynnik fali stojącej:
jest mniejszy niż 1.5
9. Długość rezonatora półfalowego zbudowanego ze współosiowej linii transmisyjnej wypełnionej dielektrykiem o współczynniku przenikalności względnej εr wynosi:
r
l ε
= λ
10. Przy użyciu współosiowej linii transmisyjnej o prędkości fazowej v i długości l należy zaprojektować rezonator o częstotliwości rezonansowej f=v/2l. Linię należy:
zewrzeć na obydwu końcach
11. Szerokość krzywej rezonansowej rezonatora mikrofalowego pracującego na częstotliwości 10 GHz wynosi 5 kHz. Jaka jest dobroć tego rezonatora?
Q = 0 . 5 ⋅ 10
−612. W wyniku wzrostu tłumienia szerokość krzywej rezonansowej rezonatora znajdującego się w torze mikrofalowym wzrosła dwukrotnie. Spowodowało to:
dwukrotny spadek dobroci rezonatora
13. Do transformacji impedancji 75 Ω do 50 Ω można zastosować linię mikropaskową o długości:
długość λ/4
14. Do transformacji impedancji 75 Ω do 50 Ω można zastosować linię mikropaskową o długości:
λ/2
15. Aby transformować impedancję z 50 Ω na 75 Ω przy pomocy pojedynczego odcinka linii mikropaskowej należy zastosować linię o impedancji:
75 Ω
16. Które z poniższych stwierdzeń dotyczących parametrów macierzy rozproszenia dwuwrotnika jest poprawne:
s11 jest współczynnikiem odbicia na wejściu dla rozwartego wyjścia
17. Które z poniższych stwierdzeń dotyczących parametrów macierzy rozproszenia dwuwrotnika jest poprawne:
s22 jest współczynnikiem odbicia na wyjściu dla dopasowanego wejścia
18. Tranzystor RF o impedancji wejściowej 25 Ω dla żądanej częstotliwości pracy należy dopasować do toru 50 Ω minimalizując SWR. Jaka będzie struktura układu dopasowującego (patrząc w kierunku od bazy tranzystora do wejścia układu):
szeregowo indukcyjność a następnie równolegle pojemność
19. W odbiorniku superheterodynowym przeznaczonym do pracy w paśmie 430 MHz zastosowano częstotliwość pośrednią 90 MHz. W jakim paśmie częstotliwości nie leży częstotliwość lustrzana odbiornika, gdy oscylator lokalny mieszacza pracuje powyżej częstotliwości sygnału wejściowego ?
520 MHz
20. Do na wejściu odbiornika o współczynniku szumów NF=2 dB włączono tłumik A=-6 dB.
Która z wykazanych przez odbiornik wartości współczynnika szumów nie jest prawidłowa?
4 dB
21. Z wykresu Smith’a można odczytać:
impedancję zespoloną
22. Przemiana częstotliwości w górę z częstotliwości pośredniej 90 MHz na częstotliwość radiową 900 MHz, wymaga podania z lokalnego oscylatora sygnału o częstotliwości
810 MHz
23. Wysoka wartość parametru IP3:
świadczy o wysokiej odporności toru odbiorczego na silne sygnały pozapasmowe INŻYNIERIA MATERIAŁOWA I KONSTRUKCJA URZĄDZEŃ 1. Monokryształy cechuje:
duża ruchliwość nośników elektrycznych
2. Procesy jednoskładnikowe krystalizacji dzieli się na zachowawcze i niezachowawcze. Do procesów zachowawczych należą:
metoda Kyropoulosa a do niezachowawczych metoda wędrującej strefy, metoda Bridgmana-Stockbargera, metoda Czochralskiego
3. Epitaksjalny wzrost warstw może przebiegać:
jedynie z wiązek molekularnych (MBE)
4. Metodą epitaksji z wiązek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy MBE) można otrzymać:
związki półprzewodnikowe III-V, HEMT, HBT, PD, MQW, Q-W, Q-DOTS oraz LED
5. W tabelach norm ISO 14644-1 dotyczących „clean room” podaje się maksymalne wartości liczby dopuszczalnych cząstek (zanieczyszczeń) na jednostkę:
powierzchni (metr kwadratowy)
6. Elementy i układy wykonane w technologii grubowarstwowej obejmują:
ścieżki przewodzące, rezystory a nie obejmują warstw izolacyjnych, kondensatorów, cewek, układów wielowarstwowych TFM, układów wielowarstwowych LTCC, termistorów, warystorów, elementów grzejnych, elementów nadprzewodzących, czujników, laserów na studniach kwantowych
7. Podłoża stosowane w mikroelektronicznych technologiach grubowarstwowych winna cechować:
odporność na wysokie temperatury, dobre przewodnictwo cieplne, dobra izolacja elektryczna, płaskość powierzchni
8. Pasty stosowane w technologii grubowarstwowej na ogół:
nie wymagają wypału
9.W procesie FODEL nie ma potrzeby:
stosowania fotorezystu
10. Prawo Gordona Moore’a mówi, że gęstość upakowania tranzystorów (y) w układzie scalonym zmienia się tak jak funkcja:
liniowa y(t)=at + b0
11. Elementy spintroniczne wykazują stan wysokiej lub niskiej rezystancji zależnie od:
kierunku namagnesowania elektrod
12. Jednym z podstawowych parametrów elementów spintronicznych jest magnetorezystancja (MR). Definiuje ją równanie?
MR =( RN +RW)/2,
gdzie: RW − rezystancja wysoka elementu, RN− rezystancja niska elementu.
13. Elementem spintronicznym stosowanym obecnie w budowie głowic odczytowych dysków twardych i komórek pamięci M-RAM jest magnetyczne złącze tunelowe. Aby złącze to mogło być wykorzystane w budowie głowicy odczytowej dysku twardego powinno się cechować:
koercją charakterystyki rezystancji od pola magnetycznego
14. Z analizy piku dyfrakcyjnego w pomiarze θ-2θ (goniometrycznym) można dostać informacje o:
rozmiarze ziaren i odległościach międzypłaszczyznowych,
15. Grubość bariery (MgO) w magnetycznym złączu tunelowym wynosi w przybliżeniu:
około 0.1 nm
16. Z pomiarów Mikroskopem Sił Atomowych – AFM można uzyskać informacje o:
szorstkości powierzchni
17. Połączenia wykonywane za pomocą bondera krawędziowego z ultra-termokompresją powstają dzięki działaniu:
wysokich częstotliwości i siły nacisku w temperaturze niższej od temperatury pokojowej 18. W bonderze kulkowym narzędzie bondujące ma kształt:
ceramicznej kapilary z wydrążonym otworem
19. Podczas bondowania za pomocą bondera z ultra-termokompresją nie ustawia się:
czasu załączenia ultradźwięków
20. Jedną z metod sprawdzenia jakości połączeń elektrycznych zgrzewanych jest metoda
„peel test” polegająca na zrywaniu połączenia między drutem i podłożem oraz na:
obserwacji kształtu miejsca zgrzewu po zerwaniu drutu
21. Podczas wykonywania połączeń elektrycznych zgrzewanych nie ustawia się:
napięcia
22. Za pomocą mikrozgrzewarki (atmosfera tlenowa) najłatwiej połączyć ze sobą:
pastę PdAg na podłożu alundowym i drut Pt lub Ni
23. Domieszkowanie krzemu metodą implantacji jonów B, P oraz As cechują:
profil koncentracji dla jonów arsenu ma maksimum bliżej powierzchni niż dla fosforu, a dla fosforu ma maksimum bliżej powierzchni niż dla boru
24. Profile koncentracji domieszek uzyskane metodą implantacji nie mają:
rozkładu Gaussa
25. Do fizycznych metod otrzymywania cienkich warstw z fazy gazowej (Physical Vapour Deposition) zaliczyć można:
termiczne naparowanie, odparowanie wiązką elektronów, rozpylenie stałoprądowe DC a nie można zaliczyć PECVD i MWCVD
26. Termiczną metodę CVD w porównaniu z odmianami metod CVD z polem zewnętrznym cechuje:
Niższa cena urządzeń i wyższa temperatura procesu
27. Z uwagi na konieczność ograniczenia prądu tunelowego poprzez izolację bramki tranzystora stosuje się dielektryki o różnej stałej dielektrycznej k. Odpowiednią kolejnością uzyskania trendu rosnącego dla stałej k są:
SiO2, Al2O3 ,Si3N4, Ta2O5, TiO2 ,
28. Efekt rozmiarowy w cienkich warstwach polega na:
spadku oporności ze wzrostem grubości warstwy
29. Stałą dielektryczną można wyznaczyć metoda spektroskopii:
Admitancyjnej
30. Stała dielektryczna jest funkcją:
Rodzaju materiału
TECHNIKA CYFROWA