Z E S Z Y T Y N A U K O W E P O L IT E C H N IK I ŚL Ą S K IE J Seria: O R G A N IZ A C JA I Z A R Z Ą D Z A N IE z. 79
2015 N r kol. 1930
A ndrzej N O W R O T , Jarosław JO O S T B E R E N S P olitechnika Ś ląska
K atedra E lektryfikacji i A utom atyzacji G órnictw a an drzej.naw rot@ polsl.pl; jaroslaw .jo o stb eren s@ p o lsl.p l
W P Ł Y W N A J N O W S Z Y C H O S I Ą G N I Ę Ć M I K R O E L E K T R O N I K I
O R A Z N A N O T E C H N O L O G I I N A B E Z P I E C Z E Ń S T W O
P R O C E S Ó W P R Z E M Y S Ł O W Y C H
S treszczen ie. W ciągu ostatnich dziesięciu lat nastąpił silny rozw ój nano- technologii, co w konsekw encji zaow ocow ało pow staniem now ych m ateriałów oraz u kładów elektronicznych, w tym kolejnej generacji sensorów . Z astosow anie now ych rozw iązań ju ż dzisiaj istotnie w pływ a n a w zro st w ydajności procesów p rzem ysłow ych o raz ich bezpieczeństw o. W artykule p rzedstaw iono analizę najnow szych osiągnięć m .in. w d ziedzinie nanotechnologii w kontek ście now ych aplikacji. Z naczna część zaprezentow anych ro zw iązań zn ajduje lub znajdzie zastosow anie m .in. w przem yśle w ydobyw czym i energetycznym .
S łow a kluczow e: nanotechnologia, czujniki, m ikroelektronika
THE INFLUENCE OF RECENT MICROELECTRONICS AND NANOTECHNOLOGY RESEARCH FOR INDUSTRIAL PROCESSES SAFETY
Sum m ary. In the past ten years there has been a strong d evelopm ent o f nanotechnology, w hich in turn led to th e creation o f n ew m aterials, electronics devices and n e x t sensors generation. T he new applied solutions significantly affect on the progress in the perform ance o f industrial p rocesses and th eir safety. T he pap er presents an analysis o f the latest developm ents in the field o f n anotechnology and their new applications. A large p art o f th e presen ted te chnologies are already applied o r they w ill b e applied in the future, in ter alia, in the m in in g industry and energy sectors.
K eyw ords: nanotechnology, sensors, m icroelectronics
236 A. Nowrot, J. Joostberens
1. Wstęp
N anotechnologia stanow i stosunkow o now ą dyscyplinę naukow ą, któ ra szczególnie intensyw nie ro zw ija się od p oczątków naszego w ieku. D zięki niej pow stają now e produkty, m .in. urządzenia o p o tencjale aplikacyjnym w szeroko rozum ianym przem yśle. Istotną grupę stanow ią tutaj sensory oparte na nanotechnologiach, k tóre m ogą być w ykorzystyw ane do detekcji gazów pow stających w różnych procesach przem ysłow ych, np. w podziem nej części kopalń w ęglow ych i ru d m iedzi oraz w zakładach chem icznych. P odstaw ow ą zaletą now ego typu sensorów je s t m ożliw ość w budow ania w strukturę układu scalonego elem entu detekcyjnego - nanom ateriału, w ykazującego czułość na dany składnik lub składniki otaczającej go atm osfery gazow ej. W takim rozw iązaniu, za pom ocą je d n eg o chipu następuje pom iar w ielkości m ierzonej, w zm ocnienie i kondycjonow anie sygnałów pom iarow ych oraz analogow y lub cyfrow y interfejs, k tó ry um ożliw ia kom unikację z m ikrokontrolerem lub m odułem transm isji radiow ej. P rzyczynia się to m iniaturyzacji całego u k ła d u pom iarow ego i znacznego zm niejszenia je g o pob o ru m ocy. Jest to szczególnie istotne w przypadku sensorów przystosow anych do p rac y w atm osferze w ybuchow ej, któ ra w ystępuje w górnictw ie w ęglow ym oraz p rzem yśle chem icznym . M niejszy p o b ó r m ocy, m niejsza ilość w ydzielonego ciepła oraz m ożliw ość w ielogodzinnej pracy autonom icznej (z w ykorzystaniem zasilania bateryjnego) znacznie po szerzają m ożliw ości przem ysłow ego system u p o m ia ro w ego. W szczególności n o w a sieć p om iarow a m oże zaw ierać znacznie w ięk szą liczbę czujników , co um ożliw ia w iększą gęstość ich rozm ieszczenia i w konsekw encji dokładniejsze m onitorow anie nadzorow anego obszaru. W w ielu p rzypadkach fakt ten w pływ a na podniesienie po zio m u b ezpieczeństw a danego procesu przem ysłow ego.
2. Nanom ateriały i nanotechnologia
N anotechnologia je s t term inem obejm ującym projektow anie, tw orzenie oraz użytkow anie m ateriałów m ających przynajm niej je d e n w ym iar, którego natu raln ą je d n o stk ą m iary je s t nanom etr. M ateriały o takiej strukturze m ożna tak zaprojektow ać, ab y w ykazyw ały pożąd an e w łasności fizyczne, chem iczne czy b iologiczne, dzięki ograniczonej w ielkości tw orzących je cząstek [3]. O becnie istnieje w iele sposobów o trzym yw ania n anom ateriałów w zależności od zakładanych w łasności i składu chem icznego otrzym yw anych produktów . N ajo g ó ln iejszy podział tych m eto d to: bottom -up, czyli agregacja, w zrastan ie n anostruktur atom po atom ie oraz bottom -dow n, czyli rozdrabnianie, ro zdzielanie cząstek celem redukcji w ym iarów . Z agadnienia te zostały szczegółow o opisane w p rac y [3], D o n o w atorskich m etod syntezy n an om ateriałów należą te, któ re w ykorzystują p rom ieniow anie m ikrofalow e lub
Wpływ najnowszych osiągnięć mikroelektroniki. 237
sonochem ię [5]. O statnia z nich um o żliw ia zd ecydow ane skrócenie czasu i obniżenie tem peratury w ytw arzan ia nanom ateriałów . T echnologia ta p o leg a na p o ddaniu reagentów w cieczy (np. w w odzie) d ziałaniu u ltradźw ięków o znacznym natężeniu. D zięki tem u w cieczy p o w sta je k aw itacja - zjaw isko p o leg ające na p ow staw aniu (w zrastaniu) pod w pływ em ultrad źw ięk ó w o dużym natężeniu p ęcherzyków kaw itacyjnych, a następnie n a ich zapadaniu się (kolapsie), czem u tow arzy szy p ow stanie fali uderzeniow ej. T ypow y czas zapadania się tych p ęcherzyków w w o d zie w ynosi ok. 10 '7 s, dla częstotliw ości generow anych u ltradźw ięków 500 k H z oraz ok. 10'5 s, dla częstotliw ości 20 k H z [2]. W nętrze p ęcherzyków kaw itacyjnych w ypełnione je s t param i (otaczającej cieczy - roztw oru) o ciśnieniu rzędu 1000 barów i tem p eratu rze 6000 K [7]. W arunki te um ożliw iają zaistn ien ie reakcji chem icznych, któ re nie zaszłyby bez d ziałania ultradźw ięków . P rzy tym ciecz, w której zachodzi reakcja sono chem iczna, m a p rak ty czn ie tem peraturę pokojow ą. T a now atorska m etoda syntezy n anom ateriałów je s t stosow ana od blisko 10 lat w Instytucie F izyki P olitechniki Śląskiej. N ależy zaznaczyć, ż e w y tw arzanie m ikro stru k tu r lub nano stru k tu r pod kątem sensoryki m iało m iejsce n a P o litechnice Ś ląskiej ju ż w latach 90. X X w ieku [8], gdy zsyntetyzow ano m ik rostrukturę SnC
>2
o p otencjalnym zasto so w an iu w detekcji N O2
.D o n ajw ażniejszych cech n anom ateriałów n ależy w yso k a w artość rozw inięcia pow ierzchni w łaściw ej, rzędu od k ilkudziesięciu do k ilkuset m 2 na je d e n gram m asy w ytw orzonego m ateriału. A by u zm ysłow ić sobie rząd w ielkości tego param etru, załóżm y, że p ew ien lity m ateriał (ciało stałe) je s t u m ieszczony n a ły żeczce do herb aty w ypełniając niem al całkow icie je j objętość, a je g o m asa je s t rzędu kilk u gram ów . W ów czas całkow ita pow ierzchnia zew n ętrzn a tego m ateriału będzie w yn o siła kilkanaście cm 2, czyli ok. 10‘3 m 2.
W przypadku w yp ełn ien ia objętości łyżeczki n anom ateriałem o całkow itej m asie ok. 1 g, całkow ita pow ierzch n ia tego m ateriału (sum a p o w ierzch n i w szystkich nanostruktur, np. n anodrutów w chodzących w objętość m akroskopow ej próbki nanom ateriału) będzie rzędu 102 m 2, czyli o w ym iarach po m ieszczen ia m ieszkalnego 10 m x 10 m. N a podstaw ie pow yższego eksp ery m en tu m yślow ego m o żn a stw ierdzić, że w objętości k ilku cm 3 n anom ateriału „z aw in ięta” je s t p ow ierzchnia rzędu 100 m 2, czyli 105 razy w ięk sza w stosunku do litego m ateriału. G łów nie ta w łasność oraz uw idaczn iające się d odatkow o efekty kw antow e decy d u ją o niezw ykłych cechach n anom ateriałów . C ząsteczki różnych gazów adsorbują n a p ow ierzchni n anostruktur w pływ ając n a ich p ara m etry elektryczne i optyczne.
P oniew aż, ja k w yjaśniono pow yżej, w pró b ce o niew ielk ich w ym iarach zlokalizow ana je s t ogrom na p ow ierzchnia, w ięc efekt sen so ry czn y w pływ u gazów na w łasności nanom ateriałów ulega zd ecydow anem u nasileniu. N a rys. 1 zaprezentow ano przykładow e zdjęcie otrzym anych sonochem icznie nanodrutów SbSI, w ykonane m ikroskopem elektronow ym [5].
M ateriał ten oprócz postaci „nano” je s t półprzew o d n ik iem i ferroelektrykiem , co dodatkow o czyni go atrakcyjnym ze w zg lęd u na d uży po ten cjał aplikacyjny w m ikro- i nanoelektronice.
238 A. Nowrot, J. Joostberens
R ozw inięcie p ow ierzchni w łaściw ej nanodrutów k serożelu h y drożelu SbSI w ynosi ok. 75 m 2/g. N a rys. 2 p rzedstaw iono nanorurki w ęg lo w e - je d e n z n ajpopularniejszych nanom ateriałów na św iecie.
Rys. 1. Zdjęcie nanodrutów kserożelu hydrożelu SbSI wykonane mikroskopem elektronowym Hitachi S-4200
Fig. 1. SEM micrographs o f nanowires o f SbSI hydrogel Źródło: Na podstawie pracy [5],
Rys. 2. Zdjęcie nanorurek węglowych wykonane mikroskopem elektronowym Fig. 2. TEM micrographs o f carbon nanotubes
Źródło: Leonhardt, Leibniz Institute, Dresden Germany.
3. W łasności sensoryczne nanomateriałów i nanosensory
A tm osfera gazo w a otaczająca nanom ateriały m oduluje m .in. ich p aram etry elektryczne i optyczne. W zależn o ści od składu chem icznego oraz stru k tu ry k rystalicznej nanocząstek (w tym n an odrutów i n anorurek) w y kazują one ró żn ą czułość na ró żn e gazy. W zdecydow anej w ięk szo ści p rzypadków istnieją gazy o takim składzie, że d any nan o m ateriał w y kazuje na nie czułość zdecydow anie w ięk szą n iż dostępne w handlu, d edykow ane im , k o nw encjonalne czujniki. N a rys. 3 za p reze n to w an o charakterystyki czasow e zm ian y u norm ow anej rezystancji p o d w p ły w em sia rk o w o d o ru dla n anodrutów C uO [6].
W pływ najnowszych osiągnięć m ikroelektroniki. 239
•normalucd r a k t m HjS «XXłA!fJtiOrt
1.7S
75 100 12S 150
t,m ln
Rys. 3. Wpływ różnych stężeń siarkowodoru na unormowaną rezystancję nanodrutów CuO zawartych w prototypowym, laboratoryjnym modelu sensora tego gazu
Fig. 3. The influence o f different concentrations o f hydrogen sulphide for CuO nanowires normalized resistance in the nanosensor prototype
Źródło: Charakterystyka na podstawie pracy [6].
W charakterystyce z rys. 3 n a sz cz eg ó ln ą u w ag ę zasługuje zdo ln o ść w y k ry w an ia p rze z n an o d ru ty C uO stężeń sia rkow odoru n a p o zio m ie k ilk u p p b , co stanow i w arto ść o 2 rzę d y w ielkości m n ie jsz ą od rozd zielczo ści p o m iarow ej dostęp n y ch w h an d lu najw yższej ja k o śc i p rzem ysłow ych czu jn ik ó w tego gazu [10]. O tw iera to d rogę do o pracow ania przy rząd ó w p om iarow ych, k tó re m o g ą zn aleźć zasto so w an ie w e w czesn y m w y k ry w a n iu źró d eł w ypływ u sia rkow odoru w górnictw ie ru d m ied zi lub zakładach chem icznych.
O d m ien n ą g rupę sta n o w ią n an o m ateriały ferroelektryczne, któ ry ch rep rez en ta n tem są nano d ru ty SbSI. M a teria ły te w y k az u ją w ięk szą zdo ln o ść ad so rb o w an ia cząstek po larn y ch w p o rów naniu d o innych nanom ateriałów . W łasn o ść ta m o że zo stać w y k o rzy stan a do detekcji bardzo n isk ich stężeń p ary w odnej w gazach tech n iczn y ch lub stosow anych w p rze m y śle farm aceutycznym . W przy p ad k u n an o d ru tó w S bS I zd o ln o ść w y k ry w an ia p a ry w odnej je s t n a p o zio m ie k ilk u tysięcy raz y m n iejszy m od n iepew ności p o m iarow ej dostęp n y ch w h an d lu w ysokiej k la sy przem y sło w y ch cz ujników w ilgotności [11]. N a rys. 4 przed staw io n o ch arakterystykę czasow ą n atęż en ia p rąd u p ły n ąceg o p rze z p ró b k ę zbu d o w an ą z n an odrutów hydrożelu S bS I po d czas zm ian y te m p eratu ry p o d ło ż a p ró b k i z 280 K do 285 K d la atm osfery suchej (A ) oraz atm o sfery zaw ierającej p arę w o d n ą (B).
Isto tn ą cech ą charak tery sty k z rys. 4 je s t o d m ie n n y ja k o śc io w o i ilościow o w p ły w z m ian y tem p eratu ry w zależn o ści od w ilg o tn o ści atm o sfery otaczającej próbkę. W p rzy p ad k u z rys. 4A zm ian a n atęż en ia p rąd u je s t ty p o w a ja k dla p ó łp rzew o d n ik a, któ ry m je s t SbSI.
N ato m iast dla w ilgotnej atm o sfery (rys. 4B ) w y stę p u ją dw a k o nkurujące m echanizm y:
zm ian a przew o d n o ści elektrycznej p ó łp rze w o d n ik a, p o d o b n ie ja k d la suchej atm o sfery , oraz w zro st i spadek liczby za adsorbow anych cząsteczek i jo n ó w w ody, któ re w n o szą w k ład do p rzew o d n ictw a elektrycznego. W artości n atęż en ia p rąd u elektrycznego n a charak tery sty k ach z rys. 4 są u zy sk iw an e w p ró b ce o w y m iarach rzędu kilk u m ilim etró w , p rz y nap ięciu zasilania
240 A. Nowrot, J. Joostberens
20 V. P obór m ocy elem entu d etekcyjnego k sz tałtu je się tutaj n a p o zio m ie od 10‘10 W do 10"4 W . R z ąd w ielkości pow yższej m o c y je s t typow y dla w iększości stru k tu r d etekcyjnych opartych na nanom aterialach.
• iw m uw hm t/w mą n w j
Rys. 4. Przebieg natężenia prądu pod wpływem skokowej zmiany temperatury podłoża próbki kserożelu hydrożelu SbSI z 280 K na 285 K, a następnie powrotu do 280 K, A - w suchej atmosferze, B - w atmosferze zawierającej parę wodną (RH=78% dla 285 K i RH=67%
dla 280 K)
Fig. 4. The current due to a step change in temperature o f the xerogel hydrogel SbSI sample 280 K to 285 K, and then return to 280 K, in a dry atmosphere - A, and a steam-containing atmosphere - B
Źródło: Opracowanie własne, na podstawie pracy [5].
W obecnej chw ili n an o sen so ry stanow ią grupę urząd zeń lub układ ó w , k tóre dopiero zaczynają być w drażane do p rzem ysłu. W w iększości p rzypadków są to konstrukcje prototypow e. D uże n adzieje należy w iązać z w dro żen iem do p raktyki przem ysłow ej nan o sen so ró w o pracow anych i stosow anych w aplikacjach w ojsk o w y ch i kosm icznych. N a rys. 5 przed staw io n o zd jęcie o p racow anego w N A S A A m es R esearch C en ter nan o sen so ra gazów toksy czn y ch , um iejscow ionego w ew n ątrz d edykow anego układ u scalonego. U k ład ten oraz w p ew nym stopniu je g o „k n o w -h o w ” są ju ż obecnie udostęp n ian e firm o m pryw atnym , celem p rze p ro w ad z en ia b ad a ń przem y sło w y ch i prac rozw o jo w y ch [9].
Rys. 5. Nanosensor gazów toksycznych zabudowany w dedykowanym układzie elektronicznym.
Urządzenie opracowane przez NASA Ames Research Center Fig. 5. NASA Toxic gases nanosensor
Źródło: NASA Ames Research Center [9].
W pływ najnowszych osiągnięć mikroelektroniki. 241
K o n strukcja p ow yższego nanosensora gazów toksycznych o czułości rzędu ppm i ppb (w zależności o d m ierzonego gazu) je s t o p arta m .in. n a chem icznie czystych i dom ieszko
w anych n anorurkach w ęglow ych. D otychczas układ ten został w ykorzystany do w ykryw ania w ycieków p aliw a po d czas startów p ojazdów kosm icznych, analizy składu atm o sfery w M iędzynarodow ej S tacji K osm icznej (ISS) oraz pom iaru poziom u prom ieniow ania jonizu jąceg o . P oten cjał aplikacyjny tego typu rozw iązań w przem y śle je s t ogrom ny i p odobnie ja k w p rzypadku technologii kosm icznych, w istotny sposób przyczyni się do popraw y bezpieczeństw a nadzorow anego obiektu.
N iezw ykle in teresującą grupę nanom ateriałów stanow ią n anodruty Z nO , które w p o m iarach fotolum inescencji w ykazują czułość m .in. na w odór, am oniak i m etan [4].
P oniew aż proces technologiczny syn tezy tego m ateriału nie je s t bardzo skom plikow any i kosztow ny, w ięc istnieje d u ża szansa na je g o za adaptow anie do konstrukcji czujników dla przem ysłu w ęglow ego. Z aletą tego rozw iązania je s t fakt, ż e w m iejscu dokonyw ania pom iarów sensor je s t całkow icie n ieelektryczny - sygnał optyczny o św ietlający p róbkę (detektor) oraz sygnał fotolum inescencji (em itow any p rzez próbkę) są dostarczane i odbierane p rzez św iatłow ód. W łasn o ść ta je s t istotna z p u nktu w id zen ia pracy w atm osferze w ybuchow ej i stanow i ogrom ne udogodnienie w stosunku do obecnie stosow anych pellistorow ych czujników m etanu.
4. Podsum owanie
O ddziaływ anie nanotechnologii na b ezpieczeństw o pro cesó w przem ysłow ych je s t p rocesem aktualnie się tw orzącym . P odobnie ja k w latach 70. X X w ieku nie było m ożliw e je d n o zn a cz n e określenie w p ły w u rozw ijającej się m ikroelektroniki (technologii kom puterow ych) n a d alszy rozw ój przem ysłu i naszej cyw ilizacji, tak i obecnie nie je s t m ożliw e precy zy jn e o kreślenie w pływ u nanotechnologii na przem ysł w najbliższych dziesięcioleciach. D otychczasow e w yniki badań podstaw ow ych i stosow anych w skazują, że n anom ateriały i n an o technologia będą m iały d uży w pływ (poza biologią i m edycyną) na energetykę - ja k o now e „m agazyny” energii (grom adzenie w od o ru dzięki adsorpcji na p o w ierzchni n an odrutów i nanorurek) oraz ja k o m ateriały do konstrukcji now ych ogniw paliw ow ych. N iez w y k le istotną rolę odgryw ać będ ą tu n anosensory gazów , które dzięki znacznie w iększej czułości i znacznie m niejszem u p o borow i p rąd u m ogą n ie tylko m onitorow ać proces produkcyjny, celem uzyskania p roduktów w yższej ja k o ści, ale realnie popraw ić bezpieczeństw o przez w czesne w ykryw anie zagrożeń.
W ażnym obszarem zastosow ań nanosensorów stanie się bezpieczeństw o publiczne.
P row adzone obecnie b ad a n ia n ad odpow iednio spreparow anym i w form ie cienkiego film u nanorurkam i w ęg lo w y m i w ra z z nanocząstkam i zło ta pozw alają na skonstruow anie
242 A. Nowrot, J. Joostberens
elektrochem icznego detektora m ateriałów w ybuchow ych [1]: T N T (trotyl: 2,4, 6-trinitrotoluen) oraz D N T (2,4-dinitrotoluen). C zułość opracow anego sensora um o żliw ia detekcję T N T w zakresie od 1,2 ppb do 1500 ppb. T e niezw ykle czułe sen so ry po um ieszczeniu na lotniskach, dw orcach, w autobusach i p o ciągach w sposób diam etralny zw iększą szansę na w ykrycie osób zam ierzających p rzeprow adzić zam ach terrorystyczny.
N anosensory staną się w przyszłości częścią system u pom iarow ego w trudno dostępnych m iejscach u k ła d u w y tw arzania energii elektrycznej b azując n a ogniw ach paliw ow ych zasilanych w ęglem - z p u n k tu w id zen ia polskiej gospodarki bardzo istotny je s t obszar zastosow ań.
B ibliografia
1. B erthold M ., G uth U ., R iedel J.: E lectrochem ical determ ination o f dissolved n itrogen- containing explosives. E lectrochim ica A cta 128, (2014), p. 85-90.
2. C raotto G., C intas P.: P ow er ultrasound in o rganic synthesis: m oving cavitational chem istry from academ ia to in novative large-scale applications. T he R oyal S ociety o f C hem istry, C hem ical S ociety R eview s 35; 2006, p. 184.
3. K elsall R., H am ley I., G eoghegan M .: N anotechnologie, W ydaw nictw o N au k o w e P W N , W arszaw a 2008.
4. Lupan O ., U rsaki V .V ., C hai G ., C how L., E m elchenko G .A ., T iginyanu I.M ., G ruzintsev A .N ., R edkin A .N .: S elective hydrogen gas nan o sen so r u sin g individual Z nO n anow ire w ith fast response at ro o m tem perature. Sensors and A ctuators B: C hem ical, V ol. 144, Issue 1, 29 January 2010, p. 56-66.
5. N ow ro t A.: O trzym yw anie i w łaściw ości h ydrożelu SbSI, p raca doktórska, Instytut Fizyki U niw ersytetu Ś ląskiego, K atow ice 2010.
6. S teinhauer S., B ru n et E., M a ier T., M utinati G .C ., K ock A ., F reudenberg O ., G span C., G rogger W ., N euhold A ., R esel R.: G as sensing p roperties o f novel C uO n anow ire devices. S ensors and A ctuators B, 187 (2013), p. 50-57.
7. S uslick K .S ., D idenko Y ., F an g M ., K olbeck K .J., M cN am ara W .B ., W o n g M .:
A custic cavitation and its chem ical consequences. Phil. T rans. R oy. Soc. A ., 1999.
8. U ljanow J., W aczyński K ., B ro ja A ., K arczew ska-B uczek T.: M ikroskopow e badania struktury w arstw SnCh w ytw orzonych techniką R G TO ; m ateriały konferencyjne.
V I K onferencja N au k o w a C zujniki o ptoelektroniczne i elektroniczne, C O E 2000, K atow ice-G liw ice 2000.
9. N A S A A m es R esearch C enter 1-855-627-2249: w w w .nasa.gov/am es-partnerships/
tech n ołogy/chem ical-nanosensor 10. http://w w w .draeger.com
11. h ttp ://sensing.honeyw ell.com / p roducts/hum idity-sensors
Wpływ najnowszych osiągnięć mikroelektroniki. 243
A bstract
T he n anotechnology in fluence o f the industrial pro cessin g safety is now adays form ing.
Ju st like in the 70s o f the tw entieth century w as n o t p ossible to un iq u ely id entify the effect o f developing m icroelectronics / com puters for further industry system s and ou r civilization, also it is n o t possible now to precisely determ ine the im p act o f n an otechnology to industry in the com ing decades. T h e new gases nanosensors w ill able to m uch h ig h e r sensitivity and significantly low er energy consum ption and im prove safety through early detection o f threats.
A lso, the v ery im portant field o f ap plication o f nanosensors w ill b ec o m e p u b lic safety e.g.
electrochem ical explosives detector. T he se nsitivity o f th e new generation gases nanosensors can be hundreds o r thousands tim es h ig h e r in com pare to the standard currently used sensors.
