• Nie Znaleziono Wyników

WYBRANE ZADADNIENIA INICJACJI I WZROSTU PÊKNIÊÆ W POROWATYCH MATERIA£ACH CERAMICZNYCH

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "WYBRANE ZADADNIENIA INICJACJI I WZROSTU PÊKNIÊÆ W POROWATYCH MATERIA£ACH CERAMICZNYCH"

Copied!
2
0
0

Pełen tekst

(1)

13 E

KSPLOATACJAI

N

IEZAWODNOήNR

5/2001

Sylwester SAMBORSKI

WYBRANE ZADADNIENIA INICJACJI I WZROSTU PÊKNIÊÆ W POROWATYCH MATERIA£ACH CERAMICZNYCH

CHOSEN QUESTIONS OF CRACK INITIATION AND PROPAGATION IN POROUS CERAMIC MATERIALS

W pracy przedstawiono propozycjê opisu wzrostu pêkniêæ w materia³ach ceramicznych zawieraj¹cych mikropory. Szcze- góln¹ uwagê poœwiêcono zagadnieniom inicjacji pêkniêæ powodowanej obecnoœci¹ porów. Analizy oparto na danych materia³owych i wynikach eksperymentalnych dla Al2O3. Wyznaczono krzywe zale¿noœci wspó³czynnika energii uwalnia- nej od zawartoœci porów oraz k¹ta propagacji pêkniêcia.

In the paper a tentatine description of crack propagation in ceramic materials with pores was presented. Special atention was given to questions of pore-induced crack initiation. Analyses were done according to material data and experimental results for Al2O3. The relation of energy release rate vs. porosity and an angle of crack propagation was established.

1. Wprowadzenie

Materia³y ceramiczne odznaczaj¹ siê dobrymi w³aœciwoœciami mechanicznymi oraz cieplnymi. Wspó³czesna technika znajduje dla nich coraz szersze pole zastosowañ, pocz¹wszy od hutnictwa i prze- mys³u cementowego (wymurówki pieców), poprzez przemys³ samo- chodowy (warstwy ceramiczne w korpusach silników) po technolo- gie kosmiczne (os³ony termiczne). Ze wzglêdu na kruchoœæ ceramiki uzasadnione wydaje siê poszukiwanie sposobu opisu zjawisk rozwo- ju mikrouszkodzeñ oraz pêkania omawianych materia³ów w ró¿no- rakich warunkach obci¹¿enia.

2. Opis materia³u badawczego

Jedn¹ z podstawowych ceramik polikrystalicznych jest porowaty tlenek glinu Al2O3. Otrzymuje siê go przez spiekanie proszków Al2O3

w temperaturze 1700 – 1900 °C. Uzyskany t¹ drog¹ materia³ cera- miczny jest z³o¿ony z ziaren o wielkoœci 20 – 30 µm. Materia³ lity (bez porów) posiada wysoki modu³ Younga rzêdu 410 GPa [7]. W rze- czywistym materiale, zw³aszcza spiekanym swobodnie, wystêpuj¹ pory – mikropustki o œrednicach 1 – 4 µm. Porowatoœæ mo¿e zmie- niaæ siê w zakresie 0 –20%, a nawet 30%, co powoduje obni¿enie sztywnoœci matrycy sprê¿ystej.

3. Modelowanie mikrostruktury porowatej

3.1. Opis porowatoœci materia³u

Zagadnienie wzrostu pêkniêæ rozpatrzymy na przyk³adzie cien- kiej p³ytki wykonanej z Al2O3 poddanej jednoosiowemu quasi-sta- tycznemu rozci¹ganiu (rys.1).

W ogólnym przypadku struktura polikrystalicznej ceramiki jest niejedno- rodna, gdy¿ zawiera statystycznie rozmieszczone pory, mikropêkniêcia, granice ziaren. Dla uproszczenia zagadnienia przyjmiemy, ¿e pory maj¹ kszta³t cylin- dryczny i s¹ równomiernie rozproszone na ca³ej powierzchni próbki. Zgodnie z [4] mo¿na wprowadziæ nastêpuj¹cy skalarny parametr porowatoœci:

po 2 ( ) 1

1

N

s s

p r

A

=

= ∑

(1)

gdzie r(s) jest promieniem “s-tego” pora, A oznacza powierzchniê prób- ki, a Npo jest ca³kowit¹ liczb¹ porów.

Porowatoœæ obni¿a tzw. efektywny modu³ Younga (tab. 1) [3, 6, 7], przez co roœnie podatnoœæ matrycy sprê¿ystej.

3.2 Powstawanie i wzrost pêkniêæ

Niezwykle istotny jest wp³yw porów na zjawisko pêkania cera- miki [8]. Pory stanowi¹ koncentratory naprê¿eñ, które wskutek ró¿- nych czynników, np. naprê¿eñ cieplnych przy spiekaniu, staj¹ siê Ÿró- d³ami mikropêkniêæ [2], bêd¹cych po³¹czeniem prostego pêkniêcia z centralnym porem (rys. 2). Powsta³e mikropêkniêcie mo¿e dalej pro- pagowaæ siê, jeœli wspó³czynnik energii uwalnianej G jest równy po- dwojonej krytycznej wartoœci energii powierzchniowej pêkania [7]:

c

2

eff

G = γ

(2)

Rozwa¿my pojedyñczy por osadzony w matrycy sprê¿ystej, cha- rakteryzuj¹cej siê pewnym efektywnym modu³em Younga [3], z któ- rego propaguj¹ siê dwa prostoliniowe pêkniêcia pod k¹tem (rys. 2).

Ze wzglêdu na wspó³czynnik intensywnoœci naprê¿eñ, por z prostymi pêk- niêciami mo¿na traktowaæ jak zwyk³e proste pêkniêcie [5, 1], jeœli: a / r > 1.22.

W rozpatrywanym przypadku mamy do czynienia z mieszanym schematem pêkania (po³¹czone mody I oraz II). Sumuj¹c wspó³czyn- niki energii uwalnianej [4] otrzymujemy:

2 2

( )

I II

11 1

0

( , , , ) K K

G p a f p

ϕ σ = E +

(3)

cienka p³ytka z Al2O3

powierzchnia próbki A

σ11

Rys. 1. Schemat obci¹¿enia i mikrostruktura badanej ceramiki

Autor f1(p) Eeff(p)

Kachanov, 1973 f1(p)=(1+3p)-1 Ostrowski-Rõdel, 1999 f1(p)=(1-2p)1,35 Pampuch,1988 f1(p)=(1-2p)

Eeff(p) = E0·f1(p) Tab. I. Efektywny modu³ Younga (E0=Eeff(p=0))

(2)

NAUKA I TECHNIKA

14 E

KSPLOATACJAI

N

IEZAWODNOήNR

5/2001

gdzie KI, KII oznaczaj¹ wspó³czynniki intensywnoœci naprê¿eñ dla odpowiednich schematów pêkania materia³u bez porów.

Z analizy stanu naprê¿eñ w uk³adzie odniesienia zwi¹zanym ze szczelin¹ wynika, ¿e wartoœæ wspó³czynnika energii uwalnianej G silnie zale¿y od k¹ta ϕ, zgodnie z równaniem:

( )

4 2

( )

2

11 1 11

0

( , , , ) cos 1sin 2

4

G p a a f p

E

ϕ σ =π  ϕ+ ϕ σ (4)

Funkcja 2

( )

4 2

cos 1 sin 2

f ϕ = ϕ + 4 ϕ

osi¹ga maksimum dla ϕ = 0°, wiêc uprzywilejowanym kierunkiem propagacji pêkniêcia jest kierunek prostopad³y do obci¹¿enia. Osi¹gniêcie przez pêkniêcie d³u- goœci krytycznej acr bezpoœrednio poprzedza makroskopowe znisz- czenie materia³u.

4. Przyk³ad obliczeniowy

Do wyznaczenia rozk³adu funkcji G przyjêto dane materia³owe zebrane w tablicy 2. Rysunek 3 przedstawia wp³yw porowatoœci oraz k¹ta nachylenia pêkniêcia na wartoœæ wspó³czynnika energii uwal- nianej G dla Eeff obliczonego zgodnie z [3].

Na rys. 4 przedstawiono wp³yw zawartoœci porów na krytyczn¹ wartoœæ wspó³czynnika energii uwalnianej, gdzie (materia³ bez po- rów), zaœ Gc oznacza krytyczny wspó³czynnik energii uwalnianej dla materia³u zawieraj¹cego pory, przy czym ich wp³yw na podatnoœæ materia³u oceniono w oparciu o tablicê I.

5. Podsumowanie i wnioski

W pracy przeanalizowano wp³yw porowatoœci na krytyczny wspó³czynnik uwalniania energii Gc. Wystêpowanie porów znacznie obni¿a odpornoœæ na pêkanie polikrystalicznych materia³ów ceramicz- nych. Ponadto przedyskutowano model rozwoju pêkniêæ powstaj¹- cych na skutek koncentracji naprê¿eñ na brzegu pora.

σ11

2a

ϕ r

Rys. 2. Pêkniêcia proste spowodowane koncentracj¹ naprê¿eñ wo- kó³ pora.

Tab. 2. Dane materia³owe badanej ceramiki

Wielkoœæ Oznaczenie Wartoœæ Jednostka Modu³ Younga materia³u rodzimego E0 410 GPa

Energia powierzchniowa pêkania γ0 20 J/m2 Porowatoœæ p 0 ÷ 0,20 -

Œredni promieñ porów rsr 1 µm

0 0.04 0.08 0.12 0.16 0.2

0 .002 0 .004 0 .006 0 .008

G /(σ211a) [GPa-1]

p ϕ=0o

ϕ=10o ϕ=20o ϕ=30o ϕ=45o

Rys. 3. Zale¿noœæ wspó³czynnika energii uwalnianej G od zawarto-

œci porów przy ró¿nych k¹tach propagacji pêkniêcia

0 0 .04 0 .08 0 .12 0 .16 0 .2

0 .5 0 .6 0 .7 0 .8 0 .9 1

K a ch a n o v

O s tro w ski-R ö d e l P a m p u ch Gc/Gc o

p

Rys. 4. Zale¿noœæ krytycznego wspó³czynnika energii uwalnianej Gc od zawartoœci porów dla jednoosiowego rozci¹gania

6. Literatura

[1] Broek D.: Elementary engineering fracture mechanics. Noordhoff International Publishing, Leyden 1974r.

[2] Fett T., Munz D.: Why can microcracks in ceramics propagate at extremely low stress intensity factors?. Journal of Materials Science Letters, 11(1992), 257-260.

[3] Kachanov M.: On the effective moduli of solids with cavities and cracks. Int. J. Fracture, 59(1973), R17-R21.

[4] Lawn B. R., Wilshaw T. R.: Fracture of brittle solids. Cambridge University Press, Cambridge 1975r.

[5] Murakami Y.: Stress Intensity Factors Handbook. Pergamon Press, Oxford 1988r.

[6] Ostrowski T., Rõdel J.: Evolution of Mechanical Properties of Porous Alumina during Free Sintering and Hot Pressing. J. AM. Ceram.

Soc., 82(1999)11, 3080-86.

[7] Pampuch R.: Materia³y ceramiczne. Zarys nauki o materia³ach nieorganiczno-niemetalicznych. PWN, Warszawa 1988r.

[8] Sammis C. G., Ashby M. F.: The failure of brittle porous solids under compressive stress states. Acta metall., 34(1986)3, 511-526.

Cytaty

Powiązane dokumenty

Przy po !czeniu szeregowym kondensatorów o jednakowej pojemno#ci, pojemno#' zast$pcza jest równa pojemno#ci jednego z kondensatorów podzielonej przez liczb$

nadnapi"ciowych s diody w! czane na wej$ciu i wyj$ciu stabilizatora oraz równolegle do elementów regulacyjnych. Podczas normalnej pracy stabilizatora diody te s

7. Jakie s! podstawowe zadania uk#adów wej$ciowych w systemach cyfrowych?.. Uwaga ! Przed za#!czeniem napi"cia zasilania uk#ad musi sprawdzi% nauczyciel. Sposób wykonania %wiczenia

1) zapozna$ si" z zasadami konfigurowania i udost"pniania po# czenia internetowego w komputerach wyposa!onych w system Windows. 2) uruchomi$ siec typu

usuni&te z pola widzenia pracuj$cego. Powinno by% stosowane o wietlenie ogólne, bez.. do wietlania o wietleniem miejscowym, ze wzgl&du na powstawanie zjawiska

który odb tóry odbędzie si tóry odb tóry odb dzie si dzie si dzie się w dniu w dniu w dniu 1 w dniu 13 1 1 3 3 3....01.2010 01.2010 01.2010 01.2010 o godz. Dionizy Czekaj

Wodne dyspersje polimerowe butadienowo-akrylonitrylowe (XNBR) i buta- dienowo-styrenowe (XSBR) zastosowano w kompozytach polimerowych przez- naczonych do materia³ów ciernych..

 Dla pokazanej historii obciążenia przedstawić wynik zliczenia cykli metodą rainflow w formie tabeli o kolumnach: liczba cykli, zakres,