ĆWICZENIE Nr 7
Pomiar e/k
I. Zagadnienia teoretyczne:
1.Półprzewodniki i ich własności elektrofizyczne.
2. Procesy elektronowe w kryształach półprzewodnikowych.
3. Zjawiska kontaktowe (złącze p – n).
4. Elektronowe procesy na powierzchni.
5. Wpływ temperatury na przewodnictwo elektryczne półprzewodników.
6. Zasada działania tranzystora II. Literatura:
1. F. Blatt – „Fizyka zjawisk elektronowych w metalach i półprzewodnikach”.
2. P.S. Kiriejew – „Fizyka półprzewodników”.
3. C. Kittel – „Wstęp do fizyki ciała stałego”.
4. E. Koziej, B. Sochoń – „Elektrotechnika i elektronika”.
5. C. Wert, R.M. Thompson – „Fizyka ciała stałego”.
6. M.N. Rudden i in. – „Elementy fizyki ciała stałego”.
7. G.I. Jepifanow – „Fizyczne podstawy mikroelektroniki”.
8. J. Ginter – „Wstęp do fizyki atomu, cząsteczki i ciała stałego”.
9. P. Wilkes – „Fizyka ciała stałego”.
III. Przyrządy:
Woltomierz VC-10T, dzielnik napięcia Dna-18, mikroamperomierz, ultratermostat, tranzystor n-p-n BF 519, zasilacz P 317.
IV. Wykonanie ćwiczenia:
1. Zestawić układ pomiarowy wg schematu i przedstawić go prowadzącemu.
E – emiter ( zielony) K – kolektor (czerwony) B – Baza (niebieski)
2. Wyznaczyć zaleŜność prądu kolektora Ic od napięcia emiter-baza w zakresie 0,45 – 0,70 V co 0,02 V w temperaturach Tp (temperatura
pokojowa – otoczenia) Tp + 5o, Tp + 10 o, Tp + 15o, Tp + 20 o
Uwaga! Przy zmianie temperatury odczekać 15 minut w celu ustalenia się temperatury tranzystora.
Dla kaŜdej temperatury zdjąć 2-krotnie krzywą przy zwiększeniu napięcia emiter-baza i 2-krotnie przy zmniejszaniu tego napięcia.
V. Opracowanie wyników:
1 .Korzystając z zaleŜności Ic=Ioexp(eUEB/kT) wykonać dla wszystkich temperatur wykresy lnIc = f ( UEB/T). Zastosować metodę regresji liniowej. Na wykresie zaznaczyć niepewność pomiarową.
2. Dla kaŜdej temperatury wyznaczyć wartość e/k i obliczyć odchylenia standardowe. Wyniki zestawić w tabeli.
3. Obliczyć średnią waŜoną e/k i porównać z wartością tabelaryczną.
e/k = ( 1,160465 + 0,00001) 104 [CK/J]
