Pełen tekst

(1)

      

  

  

These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line–operated switchmode applications.

• Switching Regulators

• Inverters

• Motor Controls

• Deflection Circuits

• Fast Turn–Off Times

30 ns Inductive Fall Time — 75 _ C (Typ) 50 ns Inductive Crossover Time — 75 _ C (Typ) 600 ns Inductive Storage Time — 75 _ C (Typ)

• Operating Temperature Range – 65 to + 200 _ C

• 100 _ C Performance Specified for:

Reverse–Biased SOA with Inductive Loads Switching Times with Inductive Loads Saturation Voltages

Leakage Currents

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

MAXIMUM RATINGS (2)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Rating

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

VCEO(sus)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

450

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

VCEV

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

850

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter Base Voltage

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

VEB

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

6.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Current — Continuous

— Peak (1)

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

IC ICM

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

15 20

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Adc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base Current — Continuous

— Peak (1)

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

IB IBM

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

10 15

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Adc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Total Power Dissipation @ TC = 25_ C

@ TC = 100_ C Derate above 25 _ C

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

PD

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

175 100 1.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Watts W/ _ C

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Operating and Storage Junction Temperature Range

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

TJ, Tstg

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

– 65 to + 200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_ C

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

THERMAL CHARACTERISTICS (2)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Thermal Resistance, Junction to Case

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

R θJC

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

1.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_ C/W

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5.0 Seconds

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

TL

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

275

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

_ C

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle v 10%.

(2) Indicate JEDEC Registered Data.

Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.

Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.

  

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Order this document by 2N6836/D

 

15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR

450 VOLTS 175 WATTS

CASE 1–07 TO–204AA

(TO–3)

(2)

2N6836

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_ C unless otherwise noted)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Characteristic

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Symbol

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Min

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Typ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Max

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Unit

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

OFF CHARACTERISTICS (1)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Sustaining Voltage (Table 2) (IC = 100 mA, IB = 0)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCEO(sus)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

450*

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(VCEV = 850 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc)

(VCEV = 850 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ICEV

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

0.25*

1.5*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector Cutoff Current

(VCE = 850 Vdc, RBE = 50 Ω, TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ICER

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

2.5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Emitter Cutoff Current (VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

IEBO

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1.0*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

mAdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

SECOND BREAKDOWN

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

IS/b

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

See Figure 15*

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

RBSOA

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

See Figure 16

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ON CHARACTERISTICS (1)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5.0 Adc, IB = 0.7 Adc) (IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)

(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VCE(sat)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1.2 2.5*

3.0*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)

(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc, TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

VBE(sat)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1.5*

1.5

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

Vdc

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DC Current Gain

(IC = 10 Adc, VCE = 5.0 Vdc) (IC = 15 Adc, VCE = 5.0 Vdc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

hFE

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

8.0*

5.0

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

30*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

DYNAMIC CHARACTERISTICS (2)

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Current Gain — Bandwidth Product

(VCE = 10 Vdc, IC = 0.25 Adc, ftest = 10 MHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

fT

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

10*

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

75*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

MHz

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1.0 kHz)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

Cob

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

50*

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

400*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

pF

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

SWITCHING CHARACTERISTICS

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Resistive Load (Table 1)

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Delay Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, VCC = 250 Vdc,

IB1 = 1.0 Adc, PW = 30 µs, Duty Cycle v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IB2 = 2.6 Adc, RB2 = 1.6 Ω)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

td

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

20

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

100*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Rise Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, VCC = 250 Vdc, IB1 = 1.0 Adc, PW = 30 µs, Duty Cycle v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IB2 = 2.6 Adc, RB2 = 1.6 Ω)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tr

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

500*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, VCC = 250 Vdc, IB1 = 1.0 Adc, PW = 30 µs, Duty Cycle v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(IB2 = 2.6 Adc, RB2 = 1.6 Ω)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ts

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

3000*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

IB1 = 1.0 Adc, PW = 30 µs, Duty Cycle v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tf

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

200

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

250*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Duty Cycle v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(VBE(off) = 5.0 Vdc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ts

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

650

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

v 2.0%)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(VBE(off) = 5.0 Vdc)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tf

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

80

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ

Inductive Load (Table 2)

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 5.0 Vdc, VCE(pk) = 400 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsv

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

800

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1500*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ns

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 5.0 Vdc, VCE(pk) = 400 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(TC = 100_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

50

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

150*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

(IC = 10 Adc, IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 5.0 Vdc, VCE(pk) = 400 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

90

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

200*

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Storage Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

IB1 = 1.0 Adc, VBE(off) = 5.0 Vdc, VCE(pk) = 400 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(TC = 150_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tsv

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

1050

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Fall Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

VCE(pk) = 400 Vdc)

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

(TC = 150_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tfi

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

70

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

Crossover Time

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

ÎÎÎÎÎÎÎÎ

_ C)

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

tc

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

120

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

ÎÎÎ

(1) Pulse Test: PW ± 300 µs, Duty Cycle v 2%.

(2) fT = |she| ftest.

* Indicates JEDEC Registered Limit.

(3)

2N6836 TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

V CE , COLLECT OR–EMITTER VOL TAGE (VOL TS)

Figure 1. DC Current Gain IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

3.0 0.2 0.5 1.0 10 20

10

5.0

Figure 2. Collector Saturation Region 2.0

0.02

IB, BASE CURRENT (AMPS)

0.1 0.05 0.1 0.2 0.5 5.0 10

0.7 0.5

0.3

0.2 IC = 1 A

TC = 25° C 10 A

50

20

h FE , DC CURRENT GAIN

TC = 100 °C 25 ° C

VCE = 5.0 V

5.0 2.0

5 A 1.0

1.0

15 A

2.0

V BE , BASE–EMITTER VOL TAGE (VOL TS) V CE , COLLECT OR–EMITTER VOL TAGE (VOL TS)

Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage 5.0

0.15

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

0.05 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 15

2.0 1.0 0.50

0.20

βf = 5 TJ = 25° C 3.0

0.10

βf = 10 TJ = 100° C βf = 10

TJ = 25° C

1.5

0.15

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

0.20 0.50 1.0 3.0 5.0 15

1.0 0.70

0.40 0.30

0.15

Figure 4. Base–Emitter Voltage 0.50

0.70

0.30

0.07

0.3 0.7 2.0 7.0 10

0.20

100°C 75°C

TC = 25° C βf = 10

0.30 0.70 2.0 7.0 10

104

– 0.4

Figure 5. Collector Cutoff Region VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 103

101

100

10–1

, COLLECT OR CURRENT ( A) µ

I C

– 0.2 0 + 0.2 + 0.4 + 0.6

VCE = 250 V TJ = 150° C

100 ° C

25 ° C

REVERSE FORWARD

102 125°C

75 ° C

10000

0.1

Figure 6. Capacitance VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

10 1.0 100 850

C, CAP ACIT ANCE (pF)

2000

100

Cob Cib 5000

3000

1000

200 300 500

20 50

10

TC = 25 °C

(4)

TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS

5000

1.5

Figure 7. Storage Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

0.05 3.0 5.0 7.0 10 15

500 3000

t sv

, ST ORAGE TIME (ns)

β f = 5 TC = 75 °C VCC = 20 VOLTS VBE(off) = 0 VOLTS

VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS

Figure 8. Storage Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) t sv

, ST ORAGE TIME (ns)

200 1000 2000

100 300

0.07 2.0

VBE(off) = 0 VOLTS

VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS

βf = 10 TC = 75° C VCC = 20 VOLTS 5000

0.05 500 3000

200 1000 2000

100 300 700

1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15

1000

1.5

Figure 9. Collector Current Fall Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

10 2.0 3.0 5.0 10 15

50 500

, COLLECT OR CURRENT F ALL TIME (ns) t fi 20 100 200

1000

Figure 10. Collector Current Fall Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 10

50 500

t fi , COLLECT OR CURRENT F ALL TIME (ns) 20 100 200

β f = 5 TC = 75 °C VCC = 20 VOLTS

VBE(off) = 0 VOLTS

VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS 300

7.0

VBE(off) = 0 VOLTS

VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS β f = 10

TC = 75 °C VCC = 20 VOLTS 300

1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15

1500

Figure 11. Crossover Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS) 15

50 500

t c , CROSSOVER TIME (ns)

20 100 300

Figure 12. Crossover Time IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

t c , CROSSOVER TIME (ns)

1000

200

β f = 5 TC = 75 °C VCC = 20 VOLTS

VBE(off) = 0 VOLTS VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS

1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15

VBE(off) = 0 VOLTS

VBE(off) = 2.0 VOLTS

VBE(off) = 5.0 VOLTS βf = 10

TC = 75° C VCC = 20 VOLTS

1.5 2.0 3.0 5.0 7.0 10 15

1500

15 50 500

20 100 300 1000

200

(5)

2N6836

Figure 13. Inductive Switching Measurements TIME

Figure 14. Peak Reverse Base Current I B2

, REVERSE BASE CURRENT (AMPS)

10

0

VBE(off), REVERSE BASE VOLTAGE (VOLTS)

0 3.0 4.0

9 8 7

1

IB1 = 2.0 AMPS

IC = 10 AMPS TC = 25 °C

1.0 2.0 5.0

6 5 4 3 2

IB1 = 1.0 AMPS 90% VCE(pk)

IC

90% IC(pk)

IC pk VCE(pk)

tc

90% IB1 VCE

IB 10% VCE(pk) 2% IC

tsv trv tfi tti

10%

IC pk

GUARANTEED SAFE OPERATING AREA LIMITS

20

5.0

Figure 15. Maximum Forward Bias Safe Operating Area VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 5.0

2.0 1.0 0.50

0.02 10 20 30 50 450

0.10

I C 0.05

, COLLECT OR CURRENT (AMPS)

TC = 25 °C dc

1 ms

70 100 200 300 BONDING WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT

SECOND BREAKDOWN LIMIT

10 µs 10

20

100

Figure 16. Maximum Reverse Bias Safe Operating Area

VCE, PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) 14

10

0 150 200 250 350 850

6.0

I C(pk) 2.0

, PEAK COLLECT OR CURRENT (AMPS)

Bf w 4 TC v 100 ° C

450 600 700 18

VBE(off) = 0 V

VBE(off) = 1 to 5 V

SAFE OPERATING AREA INFORMATION FORWARD BIAS

There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and second break- down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation;

i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa- tion than the curves indicate.

The data of Figure 15 is based on TC = 25_C; TJ(pk) is variable depending on power level. Second breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated when TC w 25 _ C. Second breakdown limitations do not derate the same as thermal limitations. Allowable current at the voltages shown on Figure 15 may be found at any case temperature by using the appropriate curve on Figure 18.

TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 17. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power

that can be handled to values less than the limitations im- posed by second breakdown.

REVERSE BIAS

For inductive loads, high voltage and high current must be

sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with

the base–to–emitter junction reverse biased. Under these

conditions the collector voltage must be held to a safe level

at or below a specific value of collector current. This can be

accomplished by several means such as active clamping, RC

snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these de-

vices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area and

represents the voltage–current condition allowable during re-

verse biased turn–off. This rating is verified under clamped

conditions so that the device is never subjected to an ava-

lanche mode. Figure 16 gives the RBSOA characteristics.

(6)

Figure 17. Thermal Response t, TIME (ms)

1.0

0.01 0.1

0.01 0.1 1.0 10 100 1 k

r(t), TRANSIENT THERMAL RESIST ANCE (NORMALIZED)

R θJC(t) = r(t) RθJC R θJC = 1.0 °C/W TJ(pk) – TC = P(pk) Rθ JC(t)

100

80

60

40

0 20

0 40 80 120 200

Figure 18. Power Derating TC, CASE TEMPERATURE ( °C)

POWER DERA TING F ACT OR (%)

THERMAL DERATING

SECOND BREAKDOWN DERATING

160

Table 1. Resistive Load Switching

H.P. 214 OR EQUIV.

P.G. *IB *IC

td and tr ts and tf

RL 50

TUT

VCC RB = 10

Vin 0 V

[ 11 V

tr v 15 ns

VCC = 250 Vdc RL = 25 Ω IC = 10 Adc IB = 1.0 Adc

0 V

[ – 35 V

+ Vdc [ 11 Vdc

20

100

2N6191

50

500

10 µ F 0.02 µF

1.0 µF

RB1 A RB2 100

– V 0 V

+ V

– 5 V A

*Tektronix P–6042 or equivalent.

VCC = 250 IB1 = 1.0 Adc RB1 = 10 Ω RL = 25 Ω IB2 = 2.6 Adc RB2 = 1.6 Ω IC = 10 Adc For VBE(off) = 5.0 V RB2 = 0 Ω H.P. 214

OR EQUIV.

P.G.

2N5337 0.02 µF

+ –

*IB *IC RL

50

TUT

VCC

(7)

2N6836 Table 2. Inductive Load Switching

V(BR)CEO Inductive Switching RBSOA

L = 10 mH L = 200 µ H L = 200 µ H

RB2 = R RB2 = 0 RB2 = 0

VCC = 20 Volts VCC = 20 Volts VCC = 20 Volts

RB1 selected for desired IB1 RB1 selected for desired IB1

*Tektronix Scope — Tektronix

*P–6042 or 7403 or

*Equivalent Equivalent Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.

T1

T1 [ Lcoil (ICpk)

T1 adjusted to obtain IC(pk) VCC

0 V

≈ – 35 V

+ V [ 11 V

20

100

2N6191

50

500 10 µ F

1.0 µF

RB1 A RB2 100

– V

0 V

+ V

– V A

H.P. 214 OR EQUIV.

P.G.

2N5337 0.02 µF

+ –

50 *IB

T.U.T.

VCC 0.02 µF

*IC

IB IC

IC(pk)

VCE(pk)

IB1

IB2 VCE

Vclamp + –

L

VCE(pk) = VCE(clamp) MR856

TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS

IC(pk) = 10 Amps IB1 = 1.0 Amp VBE(off) = 5.0 Volts VCE(pk) = 400 Volts TC = 25° C

Time Base = 20 ns/cm

tsv tfi, tc

IC(pk) = 10 Amps IB1 = 1.0 Amp VBE(off) = 5.0 Volts VCE(pk) = 400 Volts TC = 25° C

Time Base = 100 ns/cm

VCE(pk)

0 I B1

I B2 VCE(sat)

tsv= 370 ns

IC(pk) tfi = 20 ns

VCE(pk)

VCE(sat) 24 ns tc

(8)

PACKAGE DIMENSIONS

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.

STYLE 1:

PIN 1. BASE 2. EMITTER CASE: COLLECTOR

DIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERS INCHES

A 1.550 REF 39.37 REF

B ––– 1.050 ––– 26.67

C 0.250 0.335 6.35 8.51 D 0.038 0.043 0.97 1.09 E 0.055 0.070 1.40 1.77 G 0.430 BSC 10.92 BSC

H 0.215 BSC 5.46 BSC

K 0.440 0.480 11.18 12.19 L 0.665 BSC 16.89 BSC

N ––– 0.830 ––– 21.08

Q 0.151 0.165 3.84 4.19 U 1.187 BSC 30.15 BSC V 0.131 0.188 3.33 4.77

A N

E

C

K

–T– SEATING

PLANE

D 2 PL

Q M

0.13 (0.005) M T Y M

Y M

0.13 (0.005) M T –Q–

–Y–

2

1

U L

G B

V

H

CASE 1–07 TO–204AA (TO–3)

ISSUE Z

How to reach us:

USA / EUROPE: Motorola Literature Distribution; JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki,

P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 1–800–441–2447 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315

MFAX: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE (602) 244–6609 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, INTERNET: http://Design–NET.com 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298

Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters can and do vary in different applications. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part.

Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

Obraz

Updating...

Cytaty

Powiązane tematy :