Rys. 42.10. a) W domieszkowanym półprzewodniku typu n poziomy ener- getyczne elektronów donora znajdują się w małej odległości Ed poniżej dna pasma przewodnictwa. Ponieważ elek- trony te można łatwo wzbudzić do pasma przewodnictwa, w paśmie tym jest teraz znacznie więcej elektronów niż w przypadku półprzewodnika nie- domieszkowanego. W paśmie walencyj- nym znajduje się taka sama liczba elek- tronów jak poprzednio. b) W domiesz- kowanym półprzewodniku typu p po- ziomy energetyczne elektronów akcep- tora znajdują się w małej odległości Ea
powyżej wierzchołka pasma walencyj- nego. W paśmie walencyjnym będzie te- raz znacznie więcej dziur niż w przy- padku półprzewodnika niedomieszko- wanego. W pasmie przewodnictwa po- zostanie taka sama liczba elektronów jak w niedomieszkowanym półprzewod- niku. Stosunek koncentracji nośników większościowych do koncentracji nośni- ków mniejszościowych jest w rzeczywi- stości znacznie większy, niż sugerują to ilustracje