Diagnostyka
monitoring maszyn
część Ia
Pomiary wielkości
nieelektrycznych
metodami elektrycznymi
przetworniki elektryczne
Czujniki pomiarowe elektryczne
Klasyfikacja funkcjonalna czujników
parametryczne (bierne)
–
wielkość mierzona powoduje zmianę
wartości wielkości elektrycznej, takiej jak rezystancja, indukcyjność,
pojemność (czujniki te wymagają zasilania – np. tensometry)
rezystancyjne (potencjometryczne, półprzewodnikowe)
pojemnościowe (ze zmienna szczeliną)
indukcyjne (ze zmienną szczeliną lub z ruchomym rdzeniem)
Ultradźwiękowe
generacyjne (czynne)
-
w których wielkość mierzona powoduje
powstanie siły elektromotorycznej, czyli czujniki te są źródłami prądu
elektrycznego (np. termopary typu K)
termoelektryczne
magnetoindukcyjne (elektrodynamiczne i elektromagnetyczne)
piezoelektryczne
fotoelektryczne
radiacyjne
Podstawowe warunki przetwarzania sygnału
Zadaniem przetwornika jest zapewnienie odpowiednich przemian energetycznych
sygnału, które będą spełniać warunek:
y=f(x),
gdzie
x
– wartość wielkość zmienna,
a
f(x)
określa funkcje przenoszenia przetwornika.
Podstawowe warunki, które muszą być spełnione, aby przetwornik
pomiarowy zapewniał optymalne wykonanie zadania pomiarowego
Wartość sygnału
y
powinna być zależna wyłącznie od wartości zmiennej
x
(selektywność,
brak wpływów, dokładność)
Funkcja przenoszenia powinna być jednoznaczna w możliwie szerokim przedziale wartości
x
oraz niezmienna w czasie (duży zakres, stabilność)
Pochodna
dy/dx
, czyli czułość, powinna mieć dużą wartość i powinna być wielkością
niezależną od wartości
x
, drugi postulat, jednoznaczny z równomiernością podziałki
(y=cx),
jest szczególnie ważny przy zastosowaniu do automatycznej regulacji
Dogodna postać energii sygnału
y
(sygnał elektryczny)
Niski poziom szumów w stosunku do sygnału pomiarowego,
Małe oddziaływanie przetwornika na zmienną
x
obiektu, w którym dokonuje się pomiaru
(oznacza to dużą impedancję wejściową przetwornika w stosunku do zmiennej
x
)
Małe opóźnienie pomiarowe
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
czujniki wytwarzane techniką konwencjonalną oraz czujniki
półprzewodnikowe
jako mikrosystemy składają się z części elektronicznych np.:
rezystorów, tranzystorów, fotodiod itp. oraz z części
mechanicznych, np.: membrany, turbinki itp..
(stanowią one
około 90% wszystkich czujników obecnie produkowanych na świecie);
czujniki inteligentne
tzn. programowalne, działające autonomicznie, adaptacyjnie,
z możliwością komunikacji z innymi urządzeniami.
Podział czujników z uwagi na ich budowę i funkcjonalność
Czujniki do pomiaru temperatury:
A) termoelektryczne
B) termorezystancyjne
C) termistorowe
Czujniki termoelektryczne
- połączenie dwóch przewodów z różnych
metali lub ich stopów
1 – spoina pomiarowa w temperaturze kontrolowanej,
2 – termoelektrody,
3 - wolne końce w temperaturze ustalonej
Między wolnymi końcami pojawia się siła
termoelektryczne STE w [mV], będąca funkcją
różnicą temperatury (
ν
1− ν
2).
Stąd
STE = k
T(
ν
1− ν
2),
gdzie podstawowym
parametrem termoelementu jest tzw,
współczynnik termoelektryczny k
T[
µV/
0C],
który decyduje o jego czułości, gdyż stanowi
nachylenie jego charakterystyki.
Współczynnik ten zmienia się w funkcji
temperatury.
Na termoelementy wybiera się materiały, które
zapewniają jak największe siły
termoelektryczne.
Czujniki termoelektryczne
Termoelement typu K
> nikiel+chrom+aluminium: k
T=42,7[
µV/
0C] dla 500
0C
-> elektroda dodatnia –>
chromel
(90%-Ni, 10%-Cr)
-> elektroda ujemna –
alumel
(94%-Ni, 3%-Mn, 2%-Al, 1%- Si),
Termoelement typu J
> żelazo/miedź-nikiel,
k
T=55,9[
µV/
0C] dla 500
0C
-> elektroda dodatnia: z czystego żelaza, ->elektroda ujemna – stop o zawartości 45%-60% miedzi
Termoelement typu T
> miedź/miedź+nikiel; k
T=38,7[
µV/0C] dla 400
0C
-> elektroda dodatnia: z czystej miedzi, ->elektroda ujemna – stop o zawartości 45%-60% miedzi
Termoelement typu S
> platyna-rod/platyna, k
T=10,0[
µV/0C] dla 500
0C
-> elektroda dodatnia: z czystej platyny, -> elektroda ujemna – stop 90% Pt – 10% Rh
Przebieg napięcia wyjściowego odbiega od liniowości, stąd wprowadza się na etapie obróbki cyfrowej sygnału, algorytm przekształceń (funkcję przejścia) – algorytm korygujący w postaci wielomianu:
ν
= a
0+ a
1U + a
2U
2+ …… a
nU
ngdzie: U –
napięcie z termoelementu [mV],
ν -
temperatura w [oC],a
1… a
n–
współczynniki charakterystyczne dla określonego typu termoelementu podawane w postaci tabelarycznej……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
Stałość temperatury odniesienia
uzyskiwana jest poprzez stosowanie
układów utrzymujących stałą
temperaturę
ν
οa) z termostatem elektronicznym
b) wykorzystujące stałość
temperatury 0
0wody z lodem
c) z elementem termoczułym R
ν,
włączonym w układ mostka,
A, B – przewody kompensacyjne
Czujniki termoelektryczne
a)
b)
c)
Termorezystory RTD
(ang. Resistance Temperature Detector)– wykorzystują zjawisko zależności
rezystywności metali od temperatury.
Budowane są jako: metalowe uzwojenie lub umieszczona na kształtce z materiału izolacyjnego
warstwa rezystancyjna. Rezystancja znamionowa takiego termorezystora wynosi najczęściej 100Ω.
Najpowszechniej stosowanym materiałem w budowie termorezystorów – platyna.
Zależność dla platyny w funkcji temperatury w zakresie 0-600
0C opisana jest funkcją:
R
ν
=R
O
(1+α
ν
+β
ν
2
)
gdzie:α, β – temperaturowe współczynniki zmiany rezystancji
czujnika, dla platyny α = 3,91*10
-3[1/
0C], β = -5,8*10
-7[1/
0C],
Czujniki termorezystancyjne
Stosunek rezystancji termorezystora Rν do jego rezystancji R0 w temperaturze 00C w funkcji temperatury ν , dla Pt, Ni i Cu
Termorezystory pałeczkowe Pt, gdzie: a) uzwojenie na rdzeniu kwarcowym, b) uzwojenie wewnątrz ceramicznej rurki, 1 – wyjście, 2 – uzwojenie, 3 – pręt, 4 – warstwa ochronna, 5 – rurka, 6 - izolacja
a)
b)
Czujniki termorezystancyjne
Sposoby kompensacji wpływu zmian rezystancji przewodów łączeniowych: układy mostków zrównoważonych: a) dwuprzewodowych, trójprzewodowych c) czteroprzewodowych
Rezystancja czujnika Pt100 w wybranych wartościach temperatury.
Uwaga: dwuprzewodowy układ stosuje się wówczas, gdy rezystancja przewodów łączeniowych jest stała (warunki dla przewodów quaziustalone), jeżeli zmienia się pod wpływem otoczenia, stosowane są wówczas układy trójprzewodowe i czteroprzewodowe.
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
Czujniki termistorowe
Termistory są to rezystory o dużym temperaturowym współczynniku zmian rezystancji.
Przeznaczone są one do pomiarów w dość wąskim zakresie zmian temperatury.
W pomiarach wykorzystuje się termistory o ujemnym temperaturowym współczynniku
zmian rezystancji
NTC
(ang. Negative Temperature Coefficient).
Ich rezystancja zmienia się z zależnością:
T
T
T
T
T
T
R
e
R
0
0
0
⋅
∆
⋅
⋅
=
α
T – temperatura w [K],
R
T– rezystancja termistora w temperaturze T
R
T0– rezystancja w temperaturze odniesienia T
0(np.. 293K)
α
Τ0– temperaturowy współczynnik zmian rezystancji termistora w temperaturze odniesienia T
0∆T – różnica temperatur T – T
0Charakterystyka zmian rezystancji w funkcji temperatury dla typowego termistora
Typowe konstrukcje termistorów:
a-b) perełkowy, c-d) pręcikowe, e) płytkowy, f) bagietkowy
Zalety:wyższa czułość, znaczna rezystancja przez co praktycznie eliminuje się wpływ przewodów, małe wymiary
Wady:mniejszy zakres pomiarowy oraz niższe wartości dopuszczalne temperatury max. 2500C, nieliniowa charakterystyka,
trudności w normalizacji charakterystyki. mniejsza stabilność
Pomiary tensometryczne
]
[
m
2N
E
const
=
=
ε
σ
Geneza elektrycznej tensometrii oporowej
Bezpośredni pomiar naprężeń mechanicznych w elementach maszyn i urządzeń jest bardzo
trudny, często wręcz niemożliwy, dlatego powszechnie stosowana jest metoda pośrednia,
polegająca na pomiarze odkształceń materiału konstrukcji i obliczaniu na ich podstawie
poszukiwanych naprężeń. Związek między naprężeniem a odkształceniem został ustalony
doświadczalnie i nosi nazwę prawa Hooke’a.
Stanowi ono, że w określonych granicach naprężeń iloraz naprężenia
σ
i odkształcenia
ε
jest
wartością stałą dla danego materiału i nosi nazwę modułu Younga
E
.
σ - poszukiwane naprężenie jednostkowe materiału (siła
działająca na jednostkę pola powierzchni)
ε - wydłużenie jednostkowe materiału (przyrost długości
materiału odniesiony do długości początkowej)
E – moduł sprężystości, nazywany także modułem Younga
F – siła powodująca naprężenie i towarzyszące jej
wydłużenie materiału
S – pole powierzchni materiału (w szczególności próbki
materiału poddawanej rozciąganiu)
l – pierwotna długość próbki (długość przed poddaniem jej
działaniu siły)
∆l – przyrost długości próbki
]
[
m
N
2S
F
=
σ
E
l
l
σ
ε
=
∆
=
]
[
m
m
l
l
∆
=
ε
]
[
m
2
N
l
S
F
⋅
∆
⋅
l
=
E
Tensometria oporowa wykorzystuje (więc) znane zjawisko fizyczne, polegające na zmianie rezystancji drutu metalowego podlegającego wydłużeniu pod działaniem sił mechanicznych. Zjawisko to zostało odkryte przez wybitnego fizyka i konstruktora angielskiego Williama Thomsona (późniejszego lorda Kelvina) w roku 1856, wykorzystane zaś do celów tensometrii oporowej po raz pierwszy przez E.E. Simmonsa z California Institute of Technology dopiero w roku 1937. Idea tensometru rozwinięta została dalej przez A.C. Ruge’a z Massachusetts Institute of Technology. Nakleił on drut na podkładkę papierową, którą z kolei przykleił do powierzchni badanego elementu, co stanowiło już właściwie prototyp współczesnego tensometru. W roku 1939 firma Baldwin Southwork Company uruchomiła ich normalną produkcję.
Siły F działające na drut metalowy rozciągają go, powodując:
• wzrost jego długości z wartości lodo l1,
• zmniejszenie pola powierzchni przekroju poprzecznego S, • wzrost rezystywności
ρ
,co prowadzi do wzrostu rezystancji R, określonej znaną zależnością
Pomiary tensometryczne
]
[Ω
=
S
l
R
ρ
Wzrost rezystywności wynika ze wzrostu odległości
między atomami metalu przy rozciąganiu/ściskaniu go
i zmniejszeniem/zwiększeniem ruchliwości
swobodnych elektronów.
Zmiana rezystywności ma największy wpływ na
zmianę rezystancji tensometrów półprzewodnikowych.
Zmiana rezystywności wynika tam z naruszenia
struktury krystalicznej materiału
półprzewodnikowego.
Deformacja drutu pod wpływem sił rozciągających
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
Rezystancyjne czujniki tensometryczne
Tensometry są elementami rezystancyjnymi wykonanymi z metalu lub przewodnika,
w postaci cienkich drutów lub folii. Na skutek deformacji mechanicznej zmieniają one
wymiary geometryczne i rezystywność, a w rezultacie rezystancję.
ε
⋅
=
∆
k
R
R
Odkształcenie przewodnika pomiarowego (wydłużenie lub skrócenie) powoduje zmianę jego oporności w pewnych granicach wartości odkształceń i zmiana oporności przewodnika jest proporcjonalna. Między opornością R, jej zmianą ∆R oraz jednostkowym odkształceniem ε cienkiego przewodnika zachodzi związek:
gdzie:
k -współczynnik czułości odkształceniowej tensometru(stała tensometru) wartość współczynnika czułości kzależy od własności fizycznych stopu z którego wykonano przewodnik oporowy tensometru.
Dla stosowanych obecnie materiałów do budowy tensometrów wartości stałej k mieszczą się w granicach: 1,6 – 3,6. ε – względne odkształcenie podłużne materiału o długości l, E – moduł Younga, σ – wytężenie materiału
E
l
l
σ
ε
=
∆
=
Tensometr wężykowy Tensometr kratowy Tensometr foliowy Tensometr półprzewodnikowy
Rezystancyjne czujniki tensometryczne
Materiałami używanymi do budowy tensometrów są stopy oporowe, z których najczęściej wykorzystywany jest
konstantan
(60% Cu, 40% Ni). Ma on liniową charakterystykę przetwarzania, to znaczy zależność zmian rezystancji od odkształcenia liniowego, mały współczynnik temperaturowy rezystancji, możliwość kształtowania w formie bardzo cienkich drucików. Jego współczynnik tensoczułościK
ma wartość2
. Przy wyższych temperaturach pracy stosowane są tensometry wykonane z nichromu (80% Ni, 20% Cr). Współczynnik tensoczułości tego stopu ma wartość, podobnie jak konstantan: 2,1 – 2,3. Coraz częściej do budowy tensometrów stosowane są półprzewodniki, głównie krzem (tzw. tensometry półprzewodnikowe).Budowa tensometru drutowego: a – siatka oporowa, b – podkładka izolacyjna, c,d – wyprowadzenia; e – nakładka, f – warstwa kleju, g – element badany
Wielkość mechaniczna jaką jest zmiana długości obiektu badanego jest przetwarzana na wielkość elektryczną –
zmianę rezystancji tensometru. Zmiana rezystancji jest zazwyczaj bardzo mała (∆R/R=10
-5–10
-2). Przyjmując
więc, że rezystancja tensometru ma wartość początkową np. 120[Ω], jej przyrost podczas pomiaru może
wynieść od 1,2·10
-3[Ω] do 1,2[Ω].
Tak małe zmiany rezystancji muszą być
mierzone specjalnymi metodami
. Odpowiednie do tego celu są
metody
mostkowe pomiaru rezystancji
. Klasyczny mostek Wheatstone’a okazuje się tu niestety za mało czuły.
Stosowane są więc zwykle
zmodyfikowane mostki Wheatstone’a
, na wyjściu których umieszczany jest
wzmacniacz. O ile w mostkach niezrównoważonych wystarczy stosowanie odpowiednio czułego wzmacniacza,
to w mostkach zrównoważonych trzeba zapewnić precyzyjną, więc kilkustopniową regulację rezystancji.
Dodatkową komplikacją jest też konieczność wstępnego równoważenia amplitudowego i fazowego
(nierówność rezystancji). Wszystkie te zagadnienia są istotne nie tylko przy pomiarach tensometrycznych, ale
wszędzie tam gdzie wielkością wyjściową jest mała zmiana rezystancji. Mostki mogą by zasilane zarówno
napięciem stałym jak i przemiennym. Obecnie najczęściej są używane mostki prądu przemiennego ze względu
na niszy koszt wzmacniacza i możliwość wyeliminowania wpływu sił termoelektrycznych.
Rezystancyjne czujniki tensometryczne
Sposoby połączenia tensometrów w układzie mostka Wheatstone’a
gdzie:
U
b- napięcie zasilania,ε
– odkształcenie względne,k
– współczynnik tensoczułości……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
……….……..
.……….……...
………..………….
……….…………..
……….……...
………..…….
………..….
………..….
Czujniki drgań mechanicznych
Czujnik drgań może być modelowo przedstawiony jako mechaniczny element oscylacyjny II rzędu
MECHANICZNY MODEL CZUJNIKA DRGAŃ
Model czujnika z masą sejsmiczną m, sprężyną o współczynniku sprężystości ki tłumieniem (współczynnik b) uwarunkowanym głównie tarciem lepkim. Wskazówka przyczepiona do masy mporusza się na tle skali y(t)związanej z obudową czujnika. Drgania obudowy opisuje x(t).
Na masę sejsmicznąm działa siła sprężystości , siła oporu
oraz będąca wynikiem przyspieszonego ruchu obudowy czujnika siła bezwładności Dla tak działających sił równanie ruchu masy jest następujące:
co po uporządkowaniu prowadzi do równania
Odpowiedni dobór parametrów m, k, bpozwala wstępnie oszacować przydatność takiego układu do wyznaczania wielkości kinematycznych opisujących drgania obiektu, do którego przymocowany jest czujnik.
A)Przyjmując duże m, małe bi małe k, można w/w równanie zapisać w formie przybliżonej,
w wyniku pominięcia odpowiednich składników i po obustronnym scałkowaniu, napisać w postaci uproszczonej
Taki czujnik pełni rolę elementu pomiarowego przemieszczenia (wibrometr).Ruch układu wygląda w ten sposób, iż obudowa drga a masa bezwładna nie porusza się.
B)Przyjmując małem, dużebi małekuzyskuje się równanie , taki czujnik służy do pomiaru prędkości
C)Przyjmując małe m, małebi duże kotrzymuje się odpowiednio taki czujnik pełni rolę akcelerometru
Czujniki drgań mechanicznych
Równanie opisujące działanie akcelerometrujest w istocie stwierdzeniem faktu, że wychylenia wskazówki na skali y(t)są proporcjonalne do przyspieszenia obudowy czujnika dla przypadku, gdy częstość drgań w obiektu jest dużo mniejsza od
częstości drgań własnychωοukładu słabo tłumionego
>>
W praktyce czujniki drgań konstruuje się tak, aby nie obciążały elementu drgającego (mała masa sejsmiczna). Tak więc wytwarza się czułe przyspieszeniomierze, a pozostałe parametry drgań uzyskuje się w wyniku całkowania elektronicznego.
Dla ogólnej analizy pracy czujnika przyspieszenia wygodnie jest równanie napisać w postaci operatorowej po dokonaniu przekształcenia Laplace’a. Mnożąc to równanie stronami przez
i całkując otrzymuje się zależność:
ostatecznie można zapisać w postaci transmitancji H(s):
gdzie Y(s) jest transformatą Laplace’a wychylenia masy sejsmicznej oraz A(s) transformatą Laplace’a przyspieszenia
Przyjmującs = jw widać, że w ogólności transmitancja jest funkcjąω. Niezależność wskazań czujnika od częstotliwości uzyskuje się dopiero dla warunku <<
Częstotliwość rezonansowa drgań słabo tłumionych jest ponadto powiązana z czułością akcelerometru ( Sa= y/a = m/k):
Tak więc wzrost czułości daje spadek ωοi na odwrót. W praktyce wybiera się rozwiązanie kompromisowe, tzn. aby czułość nie była za mała ale jednocześnie niezbyt niska, aby nie zawężać zakresu badanych częstotliwości ω.
Czujniki drgań mechanicznych -
CZUJNIK PIEZOELEKTRYCZNY
W czujniku piezoelektrycznym masa bezwładna działa siłą F = mana materiał piezoelektryczny powodując jego odkształcenie i wygenerowanie ładunku proporcjonalnego do naprężenia, a więc jest to czujnik przyspieszenia. Materiałem piezoelektrycznym może być płytka wycięta z kwarcu lub ferroelektryka, spiek ceramiczny lub warstwa, np. ZnO, o właściwościach
piezoelektrycznych. Podstawą działania czujnika jest zjawisko piezoelektryczne, które polega na pojawieniu się ładunków elektrycznych na ściankach kryształu przy jego deformacji sprężystej. Zmiana kierunku odkształcenia powoduje zmianę znaku ładunku. Istnieje też zjawisko odwrotne, przyłożenie napięcia do elektrod przylegających do ścianek kryształu powoduje zmianę jego wymiarów. Usunięcie deformacji daje zanik ładunku .
Przy ściskaniu i rozciąganiu zmiany gęstości powierzchniowej ładunku są natychmiastowe
gdzie: kp - moduł piezoelektryczny [C/N]; σ- naprężenie [N/cm2-]; q - gęstość powierzchniowa ładunku [C/cm2]. Przykładowo dla kwarcu mamy kp = 2,2 x 10-12[C/N], dla turmalinu kp = 5,9 x 10-12[C/N], dla ferroelektryków moduł piezoelektryczny jest około 100 razy większy. Przyłożone siły są przekazywane na płytkę piezoelektryczną za pomocą igły, kulki czy też membrany. Największe znaczenie techniczne ze względu na stałość parametrów ma kwarc.
W krysztale kwarcu (struktura heksagonalna) można w ogólności wyróżnić jedną oś optyczną z (dla promienia biegnącego wzdłuż tej osi nie występuje podwójne załamanie) oraz prostopadłe do niej trzy osie elektryczne i trzy osie mechaniczne leżące w przekroju sześciokątnym
Osie charakterystyczne (elektryczne i mechaniczne) kryształu kwarcu. Osie elektryczne przechodzą przez krawędzie, a mechaniczne są prostopadłe do ścianek.
Konstrukcja akcelerometru piezoelektrycznego: 1 - masa bezwładna; 2 - element piezoelektryczny; 3 -element napinający; 4 - zintegrowany wzmacniacz ładunkowy; 5 - wyjście elektryczne.