Cwiczenie
1. Stworzyć komórkę o podanej chakterystyce.
2. Utworzyć opis prądu IT za pomocą języka NMODL 3. Dodać prąd IT do komórki
4. Dodać układ doświadczalny (IClamp [del = 500, dur = 500, amp = -0.05]).
5. Stworzyć plik init.hoc wywołujący cały model.
6. Zaobserwować zachowanie pradu IT oraz napiecia V.
Cwiczenie
Chakterystyka komórki:
soma { nseg = 1 diam = 18.8 L = 18.8 Ra = 123.0 insert hh ena = 71.5 ek = -89.1
gnabar_hh=0.25 gl_hh = .0001666 el_hh = -60.0 insert CaT eca = 126.1 }
Opis prądu IT wg. : http://web.mit.edu/neuron_v7.4/nrntuthtml/tutorial/tutD.html W powyższym opisie, wartosci ena, ek, eca zostaly zmodyfikowane wzgledem
domyslnych wartosci w NEURONIE, tak aby odpowiadały komórce ssaka (Johnston &
Wu, 1999).
Wyniki symulacji
