• Nie Znaleziono Wyników

Diody typu DG51, DG52 oraz DG51S, DG52S; Elementy półprzewodnikowe - Digital Library of the Silesian University of Technology

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "Diody typu DG51, DG52 oraz DG51S, DG52S; Elementy półprzewodnikowe - Digital Library of the Silesian University of Technology"

Copied!
3
0
0

Pełen tekst

(1)

U K D 621.382.2

N O R M A B R A N Ż O W A

BN-71

E L E M E N T Y E le m e n ty p ó łp rz e w o d n ik o w e

Diody łypu DG51, D G 5 2 oraz DG51S, D G 5 2 S

3375-15

A r k u s z 0 2 P Ó Ł P R Z E W O D N I K O W E

G r u p a k a t a lo g o w a X I X 2 3

1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są germa­

nowe diody ostrzowe typu DG 51 i DG 52 przezna- ozone do pracy w urządzeniach elektrcmloznyoh. pro­

fesjonalnych oraz typu DG51S i DG 52S przeznaczo­

ne do pracy w urządzeniach elektronioznyoh speo- jalnych, o danych oharakterystyoznyoh wg załącz­

nika 1.

Diody przeznaczone są do praoy w układaoh prze- łąozająoyoh średniej prądkośoi.

Kategoria klimatyczna wg PN-60/T-04550s a) 566 - dla diod typu DG 51 i DG52, b) 465 - dla diod typu D G 5 1 S i DG52S.

2. Przykład oznaozenla

a) diody typu DG 51, o kategorii klimatyoznej 566 s

DIODA DG 51 566 BN-71/3375-15 ark. 02 b) diody typu DG51S, o kategorii klimatycznej 465:

DIODA DG 51S 465 BN-71/3375-15 ark. 02 3. Wymiary diody - wg BN-65/3277-04, obudowa ty­

pu 0S1,

4. Parametry elektryczne - wg załąoznika 3.

5. Klasa lntensywnośol uszkodzeń - wg tabl. 1.

6. Warunki obciążenia w badaniu wg Błf-6y3375-06 p. 5.5.16, przy pracy w układzie prostownika jed- nopołówkowego z oboiążeniem rzeozywistym, podano w tabl. 2.

Załączniki 4

Tablica 1

Badanie wg BN-69/3375-06

Typ diody

Klasa intensywności uszkodzeń

Odporność na długo­

trwałe suche ciepło . (5.5.1 5)

DG51S 3

DG 51 5

Odporność na długo­

trwałe ciągłe obciążenie elek­

tryczne (5.5.1 6)

DG52S 5

DG52 7

Tablica 2

Napięcie wyjściowe na trans- foraatorze

U,r

Prąd wyprostowany

‘o

18 V 16 mA

7. Parametry elektryczne mierzone w badanlaoh pełnyoh - wg załąoznika 4.

8. Sposób mocowania. W badaniu wg BN-69/3375-06 p. 5.5.7 i 5.5.8 diody powinny być mooowane do stołu wstrząsarki sztywno za wyprowadzenia w od- ległośoi 6 ±1 mm od obudowy.

K 0 II I E C

INFORMACJE DODATKOWE do BN-71/3375-15 ark. 02

Dotychczas ustanowiono następujące arkusze do BII-71/3375-15 dotyczące: ark. 01 - diody typu AAYP37 i AACP37.

N a u k o w o - P r o d u k c y j n e C e n t r u m P ó łp r z e w o d n ik ó w

U s ta n o w io n a p rz e z N a c z e ln e g o D y re k to r a Z je d n o c z e n ia P rz e m y słu E le k tro n ic zn e g o U N I T R A dn ia 3 0 listop ad a 1 9 7 1 r.

jako n o rm a o b o w iq zu jq ca w z a k re s ie p rod uk cji i ob rotu od dnia 1 p a źd z ie rn ik a 1 9 7 2 r.

(M o n . Pol. nr 1 9 / 1 9 7 2 poz. 1 1 7 )

W Y D A W N IC T W A N O R M A L IZ A C Y J N E Druk. W rd. Norm. W -wo Ark. w,d. 0 , 4 0 Noki. 2 6 0 0 * 5 0 Zom. 1 0 1 7 / 7 2

(2)

Z a łą c z n ik 1 do B N -71/3375-15 a rk . 02

DANE CHARAKTERYSTYCZNE DIOD TYPU EG 51. DG 52 ORAZ DG51S. DG52S

1. Układ wyprowadzeń diody - wg rys. Z1-1.

l337S-15ark.02-Z1-1l

Rys. Z1-1

Zalaklerowanie wyprowadzeń nie powinno przekraczać odległośoi 6 mm od obudowy.

2. Zależność prądu wstecznego od temperatury otoczenia - wg rys. Z1-2.

tamb l3 3 7 5 - 1 5 a rk .0 2 -Z l-2 l

Rys. Z1-2

Załącznik 2 do BN—77/3375—15 ark. 02

DOPUSZCZALNE WARTOŚCI PARAMETHOw DIOD TYPU DG 51. DG 52 ORAZ DG513. DG 523

Lp. Nazwa parametru Oznaczenie Jednostka

Wartości parametrów

= 25°C t„ mb> 250c

1 Średni prąd wyprostowany ( / 3=50 Hz) aax mA 16 ---- • 1625

omt>

2 Prąd przewodzenia 1 f max mA 35

25 7--- • 35

4am b

3 Szczytowy prąd przewodzenia !f m aa* mA -150 -

4 Niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia h sni nax mA 200 -

5 Napięcie wsteczne max V 35 -

6 Szczytowe napięcie wsteczne ( / 5=50 Hz) V 3S

r m max

7 Temperatura przechowywania * s<0 °C -55 do 70

8 Temperatura złącza 1 j max °c 75

(3)

Załącznik 3 do BN-71/3375-15 ark.02

PA R A M E T R Y E L E K T R Y C Z N E D I O D T Y P U D G 51. D G 52 ORAZ D G 51S, D G 525

Lp. Nazwa parametru Ozna­

czenie Symbol badania

Typ diody

Jed­

nostka

Wartości

graniczne Warunki pomiaru to m „ = £5°c

Metoda . pomiaru min max «S

1 Prąd wsteczny

II DG 51

DG 51S pA - 4

= 1,5 V

BN-70/3375-12 ark. 01 II DG 52

DG 52S pA - 8

I DG 51

DG 51S pA - 7

U H = 10 V

I DG 52

DG 52S pA - 15

2 Napięcie przewodzenia UF

I DG 51

DG 51S V 0,4 1

I F = 3 rnA BN-70/3375-12 ark. 02

I DG 52

DG 52S V 0,4 1

3

Prąd ustalania cha­

rakterystyki wstecz­

nej

V

I DG 51

DG 51S pA - 700 po 0 ,5 ps

V m = 30 mA!

,WRM = 35 V

BN-70/3375-12 ark. 05 150 po 3,5 ps

I

DG 52

DG 52S pA -

700 po 0,5 ps 150 po 3,5 ps

Załącznik A do BN-71/3375-15 ark. 02 P A R A M E T R Y ELEKTR Y C Z N E DIOD T Y P U D G 51. D G 52 ORAZ TG 51S. DG 52S M I E R Z O N E W B A D A N I A C H P E ŁNYCH ____________

Badanie wg

BN-69/3375-06 Typ diody

Parametry elektryczne mierzone

w czasie badania po badaniu

Badany parametr

Wartości

graniczne Warunki

pomiaru

Metoda pomiaru

we

Badany parametr

Wartości gra­

niczne, warunki i metoda po­

miaru wg J ed-

npstka min max

1 2 3 4- 5 6 7 8 9 10

Odporność na zimno (5.5.4)

DG 51, DG 51S

DG 52, DG 52S V - 1,5 I F = 5 nA

BN-70/

3375-12 ark. 02

h,

“ r załącznika 3 lR - wg lp. 1 przy UR = 10 V llF - wg lp. 2 Odporność na gorąco

(5.5.5)

DG 51, DG 51S

DG 52, DG52S pA - 80

17 0 U n = 10 V

BN-70/

3375-12 ark. 01 Wytrzymałość na na­

głe zmiany tempe­

ratury (5.5.6) Wytrzymałość na uda­

ry (5.5.7) Wytrzymałość na wi­

brację (5.5.8) Wytrzymałość na dłu­

gotrwałą wilgoć (5.5.9)

Lutowność (5.5.12)

DG 51, DG 51S

DG 52, DG 52S -

Odporność na niskie ciśnienie (5*5*10)

D G 5 1 . D G 5 1 S

DG 52, DG52S u r V 0,4 1 / = 10 mA

BN-70/

3375-12 ark. 02

-

Odporność na długo­

trwałe suche ciepło (5.5.15)

Odporność na długo­

trwałe ciągłe ob­

ciążenie elektrycz­

ne (5.5.1 6)

DG 51, D G 51S

1

n pA - 14 U R = 10 V

BN-70/

3375-12 ark. 01

-

Uf V 0,4 1 I F = 5 mA BN-70/

3375-12 ark. 02

U F - 15 IF = 5 mA

DG 52.DG52S

'r pA - 30 U K = 10 V

BN-70/

3375-12 ark. 01 V 0,4 1 I F = 5 mA BN-70/

3375-12 ark. 02

% - 15 I F = 5 mA

Cytaty

Powiązane dokumenty

Obciążenie wyjść przy pomiarach parametrów dynamicznyciji CT zawiera pojemno q sondy i złącza

tranzystorem typu n— p— n# Jest wykonany w 6-wyprowadzeniowej obudowie typu DIL z tworzywa sztucznego. Znajduje zastosowanie w systemach automatyki sterowania i

[r]

D zięki zastosow aniu w układzie rezonatora kw arcowego, generator odznacza się bardzo dobrą stałością częstotliw ości generowanej oraz dużą niezależnością

[r]

m etrach elektrycznych (odpowiedniki poprzedzone znakiem mają niektóre param etry różniące się od param etrów wyrobów krajowych), za odpowiednikiem znajduje się

prąd ustalenia charakterystyki wstecznej skuteczny prąd przewodzenia tyrystora średni prąd przewodzenia tyrystora skuteczny prąd przewodzenia tyrystora. niepowtarzalny szczytowy

E d y ta HETM ANIO K, Damian SŁOTA, Alicja WRÓBEL, Adam ZIELONKA Zastosowanie homotopijnej m etody perturbacyjnej do układów. równań całkowych typu Fredholma