Elementy półprzewodnikowe; Katalog 44-R; Zastosowanie elementów półprzewodnikowych - Digital Library of the Silesian University of Technology

PÓŁPRZEW ODNIKOW YCH

MULTIWIBRATOR ASTABILNY

Icst to multiwibrator o kształcie napięcia wyjściowego najbardziej zbliżonym do prostokątnego.

Czasy narastania i opadania impulsu nie przekraczają 1 ¡¿s. K ształt napięcia jest niezależny od war­

tości współczynnika wzm ocnienia prądow ego h2ie . M ożna zaprojektować układ z tranzystorami

o 6.

Schemat multiwibratora astabilnego o przebiegu prostokątnym

Dane techniczne

N apięcie z a s i l a j ą c e ... U z = ( 4 —7,5) V M oc wydzielana w o b c ią ż e n iu ... P*y < 8 mW Czas narastania impulsu

(od 0,1 do 0,9 a m p lit u d y ) ...K < 0,5 ;xs Czas opadania impulsu

(od 0,9 do 0,1 amplitudy) ... / , < 1 txs Zm iana częstotliw ości

f * —fn,s ,

— przy zmianie napięcia zasilającego od 4 do 7,5 V ... —— • — < 5/o

— przy zmianie temperatury otoczenia od 25 do 5 0 ' C ... - - -■ - < 10%

J 2 5

f z —foo

— przy zm ianie rezystancji obciążenia R 0 — 3 kO. i R 0 = c o ... — - — < 1%

/ oo

Am plituda generowanych przebiegów o kształcie p r o s t o k ą t n y m ... U2m ~ U.

Zm iana amplitudy przy rezystancji obciążenia R 0 — 3 k i l i R„ — c o ... — — < 1%

Us Zakres c z ę s t o t l iw o ś c i... J .../--£C 50 k H z

1 C zęstotliw ość ( R 3 = R* = R ; Ci = C 2 = C ) ... f — •

1,4 ■ R C

W ykaz elementów R i = 4,7 k n ± 1 0 % ; 0,05 W R 2 = 2,2 k i l ± 1 0 % ; 0,05 W R 3 = 33 k i l ± 5 % ; 0,05 W R * = 33 k il± 5 % ; 0,05 W R s = 2,2 k il± 1 0 % ; 0,05 W R „ ^ 3 k il

C i , C 2 > 400 p F ± 5 % ; 8 W T y , T i — T G 2*

D — D O G 53

Przebieg napięcia na oporni­

ku R i

MULTIWIBRATOR NIESYMETRYCZNY

Jest to generator im pulsów prostokątnych. N a przykładzie pokazano m ożliw ości realizacji prze­

biegów o czasie trwania przerwy (/2) 2, 5, 10 razy dłuższym od czasu trwania im pulsu ( /,) . M ożna zrealizować układ o czasie trwania impulsu ( t y) 2, 5, 10 razy dłuższym od czasu trw a n ia przerwy, wykorzystując napięcie z kolektora tranzystora T x.

Zmieniając odpow iednio wartości m ożna uzyskać żąd an y stosunek — . M ożna uzyskać przebiegi h

o — > 10, jednak w tym przypadku układ jest niepewny i stosunek ten jest zależny od temperatury. ¿2 11

* M o ż n a ta k ż e z a s to s o w a ć tr a n z y s to r y A S Y 3 4 — A S Y 3 7 . U z y s k a s ię w te d y k r ó t s z e c z a sy n a r a s ta n ia i o p a d a n ia o r a z m n ie js z y w p ły w z m ia n te m p e r a tu r y . Z e w z g lę d u n a w ię k s z e w a r to ś c i //2 i £ tr a n z y s to r ó w A S Y m o ż e z a is t n ie ć k o n ie c z n o ś ć z w ię k s z e n ia w a r to ś c i r e z y s t o r ó w w o b w o d a c h b a z (/? j i R4^).

U w a g a ta o d n o s i s ię d o w s z y s tk ic h u k ła d ó w im p u ls o w y c h .

Schemat multiwibratora niesymetrycznego

Dane techniczne

N ap ięcie zasilające ... Uz — 6 V Czas narastania i m p u l s u ... 1 (is N ajkrótszy czas trwania impulsu ... (i = 0,1 ras Am plituda generowanych p r z e b ie g ó w ... Ulm — U.

Przebieg napięcia na oporniku R s

W ykaz elementów

Iłltl

2

• ,0 ^{U w a g i}

* . 470 n 470 n 470 i l ± 5 % ; 0,1 W

Rz 3,3 k il 8,2 k il 18 k i l ± 5 % ; 0,05 W

K i 3,3 k ii 3,3 k il 3,3 k il ± 5 % ; 0,05 W

R* 220 n 560 n 1,2 k il ± 5 % ; 0,25 W

Ro — Rs 220 i i 560 n 1,2 k il ± 5 % ; 0,25 W

C J C 2 2 2 2

C , > 50 n F ± 5 % ; 8 V D — D O G 53

r , , 7 \ — T G 2 363

MULTIWIBRATOR NASTAWNY

U kiad ten um ożliw ia płynne nastawianie stosunku czasu trwania impulsu do czasu trwania przer­

wy w dość szerokich granicach przy zachow aniu stałej częstotliw ości.

W adą układu jest konieczność stosow an ia tranzystorów o dużym współczynniku wzm ocnienia prądow ego hl l e .

Dane techniczne

Zakres r e g u la c ji... — = 0 ,2 5 —4 h

Napięcie zasilające ... U: — 6 ± 1 V Najw iększa c z ę s to tliw o ś ć .../ = 50 kH z

Czas trwania p r z e r w y ... t x = 0,7 • ( R 2 + Ra) • Ci Czas trwania i m p u l s u ... t 2 — 0,7 ■ ( R 3+ R B)• C 2

W ykaz elementów

364

R l = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W R 2 = 15 k i l ± 5 % ; 0,05 W R 3 = 15 k il ± 5 % ; 0,05 W R 4 = 2,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W P i = 47 k il typ A ; 0,5 W C i , C 2 > 1 nF ; 8 W T i , T2— T G 3A lub A SY 37

Przebieg napięcia na oporniku RA ( R B > Ra)

N ależy ograniczyć kąt obrotu potencjom etru o 20°, gdyż w krańcowych położeniach występuje 20% wzrost częstotliw ości (zmiana rezystancji spow odow ana nakładaniem warstwy oporowej na m etalizow ane końców ki).

MULTIWIBRATOR O REGULOWANEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

N a schem acie przedstawiono układ multiwibratora astabilnego o częstotliw ości regulowanej za pom ocą zm iany napięcia zasilającego w obw odzie baz.

Dane techniczne

N apięcie z a s ila j ą c e ... UzC — 9 V ± 1 0 % N apięcie zasilające bazy . ■... UlB = UzC (0 ,5 —4) Czas opadania impulsu (od 0,9 do 0,1 a m p l i t u d y ) ...1 jxs

A m plituda generowanych przebiegów ... U2m = (Jz Zakres c z ę s t o t liw o ś c i... 50 kHz

1 UzB+ U . c

C zęstotliw ość ( R 2 = R 3 = R b ; Ci = C 2 = C) ... — = R lt ■ C • l n --- —

f 2

Zakres regulacji c z ę s to tliw o ś c i...— =- 0 ,6 —2,5

f ( U . B = V 2 C '>

P rzy (Jtumi* występuje znaczny wpływ zmian napięcia zasilającego i zmian temperatury o to ­ czenia na częstotliw ość.

Charakterystyczną cechą układu jest m ożliw ość zastosow ania w obw odzie baz napięć zasilają­

cych przewyższających UCBmai, gdyż napięcie to nie występuje bezpośrednio między elektrodami. 365

W ykaz elementów

R i = 2,2 k il ± 5 % ; 0,25 W R 2 = 33 k i l ± 5 % ; 0,05 W R i = 33 k i l ± 5 % ; 0,05 W J?4 = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W C i — C 2 — 5 nF — 5 [i.F; 8 V T i , T 2— T G 3A lub A SY 37

a / —

c / -

7/7/7

O scylogram y’ napięć na opornikach R i i R s przy różnych na­

pięciach zasilających bazy a - U :B b - U cB

c - U . , ,

■ = 4 V , . U . c -- 9 V, : 30 V

W ykres zależności częstotliw ości od na­

pięcia zasilającego bazę

A — p r z e b ie g o d k s z t a łc o n e j

MULTIWIBRATOR NA NAPIĘCIE ZASILAJĄCE 30 V

U kład multiwibratora astabilnego na tranzystorach TG 5 jest przystosowany do zasilania ze źródła o napięciu 30 V. M oc układu ( R t lub R*) jest jednocześnie bardzo duża, gdyż 12-krotnie prze­

wyższa dopuszczalną m oc strat tranzystorów użytych w układzie. Jeżeli w układzie zastosuje się diody krzem owe ( D , , D 2), układ charakteryzuje się dużą stałością częstotliw ości przy zmianach temperatury.

Schem at multiwibratora na napięcie zasi­

lające 30 V

Dane techniczne

N ap ięcie z a s i l a j ą c e ...

M oc wydzielona w o b c ią ż e n iu ...

Czas opadania impulsu (od 0,9 do 0,1 amplitudy) ...

Zm iana częstotliw ości przy zmianie napięcia zasilającego od 20 do 30 V A m plituda generowanych p r z e b ie g ó w ...

Zakres c z ę s t o t l i w o ś c i ...

W ykaz elementów

R i = 1,5 k i l ± 5 % ; 1 W R z = 18 k i l ± 5 % ; 0,1 W R 3 = 18 k i l ± 5 % ; 0,1 W

= 1,5 k i l ± 5 % ; 1 W R } = 1 k i l ± 2 0 % ; 0,1 W

« 6 = 1 k i l ± 2 0 % ; 0,1 W C i , C 2 = 8000 p F —0,8 fiF ± 5 % T i , Tz - TG 5

D y , D 2 - D O G 58

Przebieg napięcia na opornikach R x i R*

40 V

367 Uz = 30 V

600 m W / / « i 2 ¡xs

J 3 0

Ulm = Uz / = 5 0 - 5 0 0 0 H z

MULTIWIBRATOR ASTABILNY Z BRAMKĄ

U kład generuje ciąg im pulsów o liczbie zależnej od długości impulsu sterującego. Szczególną cechą układu jest to, że czas trwania ostatniego im pulsu je st identyczny jak poprzednich, niezależnie od m om entu zakończenia im pulsu sterującego.

Układ m oże być zastosow any np. jako generator znaku kropki do półautom atycznego nada­

wania znaków M orse’a.

Dane techniczne

N ap ięcie z a s ila j ą c e ... Uz = 10 V ± 2 0 % Am plituda im pulsów steru jących ... U i = (4— 20) V M inim alny czas trwania impulsu sterującego powodujący wyzwolenie

pierwszego i m p u l s u ...r0 = 10 ¡¿s Czas trwania im pulsu s t e r u j ą c e g o ... U > to Am plituda generowanych i m p u l s ó w ... U2m = U- Czas trwania pojedynczego impulsu w y j ś c i o w e g o ...t 2 = 0,7 ■ R 2 ■ Ci Czas trwania przerwy m iędzy im p u ls a m i...t 3 = 0,7 • R 3 ■ C 2 Liczba generowanych im pulsów:

t 1 — /o ii = 1 dla 0 < —--- < 1

t 2 + t 3

n = 2 dla 1 < -1" f°- < 2 itd.

¿2 + ^3

M inim alny czas podawania dw óch im pulsów sterujących pow odujący generowanie dw óch k o ­ lejnych impulsów' r4 > t 2+ t 3 + t0 .

Jeśli na wejście układu podać kilka im pulsów w czasie (t2+ t 3) to układ wytworzy tylko jeden 368 im puls wyjściowy.

W ykaz elementów

Ri = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W R 2 = 33 k i l ± 5 % ; 0,01 W R 3 = 33 k i l ± 5 % ; 0,01 W

= 2,2 kH ± 5 % ; 0,05 W R s = 2,2 k i i ± 5 % ; 0,05 W R6 = 33 k il ± 5 % : 0,01 W .R, = 33 k i l ± 5 % ; 0,01 W tf0 > 4 , 7 k il; 0,05 W C , , C2 > 1 nF ± 5 % T i , T2 , T3— TG 5 D i — D O G 53

a)

O scylogram y charak­

terystycznych prze­

biegów (górny — im ­ puls sterujący U , , doln y — im puls wyj­

ściow y na oporniku Rs)

( g ó r n y — im p u ls ste r u ją c y t / j , d o ln y — im p u ls w y j­

ś c io w y n a o p o r n ik u R 5) a —1^{\ — t}0

b— t i < (t2+ h )

c— t i > ( t 2+ t } + t 0)

U

b)

c)

MULTIWIBRATOR TRÓJTAKTOWY

M ultiw ibrator trójtaktowy jest generatorem trzech napięć zbliżonych do prostokątnych kolejno p o sob ie następujących. Wzorując się na pokazanym schem acie m ożna budow ać układy cztero- i wie- lotaktow e, w których cztery lub więcej im pulsów będzie następow ało kolejno po sobie.

U k ład nadaje się szczególnie do układów autom atyki, jak o urządzenie kierujące cyklicznie w y­

konywaniem kolejno po sob ie następujących czynności , W y 2, W y 3).

¿¿ 'V n A' ^ 3*Sj !it?

m l i i i I S H ® f S1 I I I B i i t # !

k

Przebiegi napięć na kolektorach kolejnych tranzystorów

Dane techniczne

N ap ięcie zasilające ... U2 — 4 —7,5 V

M oc wydzielana w o b c i ą ż e n i u ... 8 mW

Zm iana częstotliw ości:

s

— przy zmianie napięcia zasilającego od 4 do 7,5 V ... ——— < 5%

/ 7 ,5

— przy zm ianie temperatury otoczenia od 25 do 5 0 ° C ... h f o ^ J is A m plituda generowanych p r z e b ie g ó w ... U2m — Uz Zakres częstotliw ości .../ = 50 kH z

1 C zęstotliw ość (R i = R 3 = Rs = R \ C , = C 2 = C 3 = C ) ... / = - y -

1 C zęstotliw ość dla n stopni (taktów ) ...j — — — -— —-—_

n ■ 0,7 ■ R - C

W ykaz elementów

373

/?, = 33 k i l ± 5 % ; 0,05 W /ć* = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W R 3 = 33 k il ± 5 % ; 0,05 W R+ = 2,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W R $ = 33 k i l ± 5 % ; 0,05 W R b = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W C l C 2, C3 > 500 pF ± 5 % ; 8 V T i , T2 , T3~ TG 2

MULTIWIBRATOR MONOSTABILNY

Układ multiwibratora m onostabilnego um ożliw ia uzyskanie impulsu wyjściow ego o stałych parametrach zależnych od układu a niezależnych od parametrów impulsu sterującego.

Dane techniczne

N ap ięcie zasilające ... UzC = 10 V U1B = 1,5 V Prąd z a s ila j ą c y ... 4 = 5 m A Czas trwania impulsu (o p ó ź n ie n ia ) ... 0,7 • R* • C 3 Najm niejszy czas trwania impulsu ( o p ó ź n i e n i a ) ...3 ¡zs Czas narastania im p u ls u ...ok. 0,3 y.s C zas opadania i m p u l s u ... ok. 1 jx.s A m plituda i m p u l s u ... U2m = UzC Im pulsy sterujące:

p o la r y z a c j a ... dodatnia czas trwania . . ... 0,2 os a m p litu d a ... 1— 3 V częstotliw ość n a jw y ż s z a ... 100 kH z Temperatura otoczenia n a jw y ższa ... tamax = 50°C

•

,

W ykaz elementów

R i = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W R i = 15 k i l ± 5 % ; 0,01 W R i = 5,1 k il ± 5 % ; 0,01 W

«4 = 33 k i l ± 5 % ; 0,01 W

= 2,2 k il ± 5 % ; 0,05 W Cy = 500 pF ± 5 % ; 15 V C 2 = 500 pF ± 5 % ; 15 V c 3 3 s 5 0 pF ± 5 % ; 15 V Ti , T2—TG 2

Cj=51pF Oscylogram impulsu wyjściow ego na opor­

niku R s

PRZERZUTNIK I

U kład ten m a dw a stany równow agi trwalej. M oże być stosow any jak o dzielnik częstotliw ości (na wyjściu dw ukrotnie mniejsza częstotliw ość). Jest to podstaw ow y układ techniki cyfrowej.

Dane techniczne

N apięcie zasilajace ... UzC = 12 V U:B — 1 V Prąd z a s i l a j ą c y ...4 ^ 5 m A 372 A m plituda napięcia w y j ś c i o w e g o ... U wm = U:C

i— s g g n :z I . .z." I wrnmm

Najw iększa c z ę s to tliw o ś ć ... z H lO O k Czas narastania i m p u l s u ... ok. 0,5 ¡¿s Czas opadania i m p u l s u ... ok. 2 ns Im pulsy sterujące:

p o l a r y z a c j a ... dodatnia czas t r w a n i a... ^ 0,5 ¡jls am plituda ... I V Temperatura otoczenia n a jw y ż s z a ... ... tamax = 50°C

W ykaz elementów Ry = 2,2 k « ± 5 % ; 0,05 W R 2 = 15 kQ ± 5 % ; 0,01 W R 3 = 5,1 k ft ± 5 % ; 0,01 W Rą = 2,2 kQ ± 2 0 % ; 0,01 W R s = 5,1 k i l ± 5 % ; 0,01 W

R b = 15 k i l ± 5 % ; 0,01 W O scylogram y:

R 1 = 2,2 k il ± 5 % ; 0,01 W i —n a r a s ta n ia , 2 — o p a -

^ ^ d a m a im p u ls u w y jś c io w e -

C l, C l, C 3 = 500 p F ± 5 % ; 15 V g o n a o p o r n ik a c h R y i R-,

Ty, T i —T G 2 (A „ , Ty ~ % lc T 2) D y , D 2— D O G 55

PRZERZUTNIK II

U k ład ten ma dwa stany równow agi trwalej. W łasnościam i odpow iada przerzutnikowi I. W adą układu jest większa liczba elem entów, zaletą — m ożliw ość stosow ania tranzystorów T G 2 bez spe­

cjalnego ich dobierania pod względem parametrów', większa pew ność pracy i większa częstotliw ość robocza.

Dane techniczne

N ap ięcie z a s i l a j ą c e ... u zC — 10 V UzB = 1 V i Prąd z a s ila j ą c y ...j t = 5 m A ] A m plituda napięcia w y j ś c io w e g o ... U2m = V zC C zęstotliw ość m a k s y m a ln a ...f = 200 kH z Czas narastania im p u ls u ... patrz oscylo-

Czas opadania i m p u l s u ... gramy 373

Im pulsy sterujące:

p o la r y z a c j a ... dodatnia czas t r w a n i a ...^ 0,5 [¿s am plituda ...6— 10 V Temperatura otoczenia najwyższa ... ...ta m ax 50°C

Schem at przerzutnika II

W ykaz elementów

374

R i = 2,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W R 2 = 11 k i l ± 5 % ; 0,01 W R 3 = 1,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W Rą = 4,7 k i l ± 5 % ; 0,05 W R s = 4,7 k i l ± 5 % ; 0,05 W R 6 = 1,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W R i = 11 k i l ± 5 % ; 0,01 W Ra = 2,2 k i l ± 5 % ; 0,05 W C u C 2 , C 3 = 500 p F ± 5 % ; 15 V D l t D 2 , D 3 , D 4 — D O G 55

T u r 2— T G 2

0 , 5 / i s

a ) O sc y lo g r a m y im p u ls u w y jś c io w e g o n a o p o r n i­

k a c h R \ i J?g

b ) O sc y lo g r a m y : I — n a r a s ta n ia , 2 — o p a d a n ia im p u ls u w y j ś c io w e g o

DEKADA LICZNIKA

U kład ten jest podstaw ow ą częścią licznika im pulsów elektrycznych. W oparciu o liczniki im pul­

sów elektrycznych buduje się obecnie przyrządy z cyfrowym odczytem w ielkości badanej, np. często­

tliw ości, czasu, napięcia, prądu, rezystancji itp.

Układ składa się z czterech identycznych przerzutników. D ekad a realizuje zliczanie im pulsów elektrycznych w układzie dw ójkow ym , dzięki jednak dodatkow ym sprzężeniom układ ma 10 charak­

terystycznych stanów , które odpow iadają jednej dekadzie układu dziesiętnego. N a rysunkach p o ­ kazano oscylogram y napięć w charakterystycznych punktach układu. A b y uzyskać określony stan wszystkich przerzutników (np. po włączeniu zasilania), w układzie znajduje się przycisk P, którego rozwarcie pow oduje podanie ujem nego napięcia na bazy prawych tranzystorów w przerzutnikach, a zatem przejście ich w stan nasycenia.

Schem at dekady licznika

Dane techniczne

N ap ięcie z a s i la j ą c e ... U. = 10 ± 1 V Prąd z a s ila ją c y ... / . = 25 m A A m plituda im pulsów sterujących ... 5 —10 V C zęstotliw ość robocza n a j w i ę k s z a ... / = 100 kH z Polaryzacja im pulsu s t e r u j ą c e g o ...dodatnia Czas trwania im pulsu ... 0,5— 5 [¿s Temperatura otoczenia najwyższa ... ... tamax 50°C

W ykaz elementów

R i = 2,2 k il ± 5 % ; 0,05

w

w

w

R

4

w

Ł

Rs = 20 k i l ± 5 % ; 0,01

w

Cx = 500 p F ±10% ;; 15 V (13 szt.) C l = 1 |J.F 3 V (4 szt.)

c) - c 3= 5,1 n F ± 1 0 %

;

T — T G 2 (9 szt.)

D — D O G 53 (9 szt.) ^{d j -}

P — przycisk zw iem y (1 szt

•)

O scylogram y przebiegów napięcia w de­

kadzie. Oznaczenia literow e o dn oszą się do punktów układu oznaczonych na sche­

macie

m i

= ~ l i

LICZNIK FOTOELEKTRYCZNY

Licznik jest sterow any strumieniem świetlnym . Zm iana natężenia strumienia św ietlnego pow oduje zm ianę rezystancji fotod iod y, na skutek czego zm ienia się wartość prądu płynącego w obw odzie wejściow ym . Zm iana prądu wejściow ego, w zm ocniona za p om ocą d w ustop niow ego wzmacniacza, pow oduje zadziałanie licznika. Przy odpow iednim ustawieniu fotod iod y (nie na ok n o lub dodatkow e źródło światła) układ m oże pracow ać przy św ietle dziennym .

376 Schem at licznika fotoelektrycznego

p n n m E M i

Dane techniczne

N apięcie zasilające ...

O świetlenie potrzebne do zadziałania Zakres temperatury otoczenia . . .

Uz = 12 V E„,„ = 1000 Ix t. = 15...30°C

W ykaz elementów i?! = 4,7 k i l ± 5 % ; 0,1 W Ti — T G 3A

T2 — TG53

£>i — F G 2 (fotodioda)

L — licznik produkcji „T elfa” o rezystancji cewki 100 i ł , nr katalogow y 256001 Ż — żarówka 12 V ; 0,1 A

Generator pracuje w układzie typu „C olpitts” , w którym*w gałąź dodatniego sprzężenia zw rot­

nego w łączono rezonator kwarcowy o częstotliw ości rezonansu szeregow ego f x = 500 kH z. D zięki zastosow aniu w układzie rezonatora kw arcowego, generator odznacza się bardzo dobrą stałością częstotliw ości generowanej oraz dużą niezależnością częstotliw ości drgań od temperatury.

GENERATOR KWARCOWY 500 kHz

i--- 1--- 2 G enerator kwarcowy

500 kH z

Dane wyjściowe

N ap ięcie zasilające . . N ap ięcie w yjściowe . . C zęstotliw ość oscylacji

U0 = + 2 0 V Ut f f = 3 V f„ = 500 kH z 377

W ykaz elementów

C , = 750 p F R t = 3,6 k i l 5%; 0,25 W C 2 = 180 p F R 2 = 13 k i l 5%; 0,25 W C3 = 110 p F R 3 = 5,1 k i l 5%; 0,25 W L — cewka 0,5 raH z rdzeniem ferrytowym X t„i — rezonator kwarcowy 500 kH z

T — tranzystor B F 504

OSCYLATOR SAMOW ZBUDNY PRZESTRAJANY

Oscylator pracuje w układzie typu „M eissner” z podaniem sygnału sprzężenia zw rotnego na emiter tranzystora. O scylator w takim układzie zapew nia dużą stabilność am plitudy drgań w danym zakresie częstotliw ości oraz dużą odporność na zm iany napięcia zasilającego (4,5— 9 V).

Oscylator ten z ostał zaprojektow any do zastosow ania jak o m ieszacz sam odrgający do odbiornika A M . W tym przypadku sygnał w ejściow y wielkiej częstotliw ości podaje się na bazę tranzystora T, a obw ód częstotliw ości pośredniej umieszcza się pom iędzy cewką L 2 a rezystorem R 3 .

jany

Dane wyjściowe

N ap ięcie z a s i la j ą c e ...

N ap ięcie na emiterze tranzystora 7' 378 Zakres przestrajania ...

t / « = - 9 V U'f f = 300 mV 8,3— 12,5 M H z

W ykaz elementów

C t = 33 n F R t = 9,1 k i ł 5%; 0,25 W C 2 = 22 n F R 2 = 39 k ił 5%; 0,25 W C3 = 22 n F « 3 = 510 i ł 5%; 0,25 W C* = 20 p F R* = 1 k i ł 5%; 0,25 W C5 = 30 p F trymer

C6 = 50 p F

C i = 5— 175 p F zmienny

L i = 1 zw. 0 0,25 Cu na cewce L 2

¿ 2 = 5 zw . 0 0,25 Cu na cew ce £ 3

L i — 15 zw. 0 0,25 Cu na korpusie 0 8 mm z rdzeniem ferrytowym T — tranzystor A F429

OSCYLATOR SAMOW ZBUDNY 10 MHz DO URZĄDZEŃ POMIAROWYCH

O scylator pracuje w układzie typu „T esla” z dzielnikiem pojem nościow ym pom iędzy bazą a k o ­ lektorem tranzystora T t . U k ład ten odznacza się bardzo dużą stabilnością drgań ze względu na duże wartości pojem ności kondensatorów dzielnika C 2— C4 . Są one o rząd wielkości w iększe od rów n o­

legle przyłączonych do nich pojem ności złącz kolektor-baza i baza-emiter tranzystora. Zm niejszono w ten sp osób bardzo znacznie wpływ sam cgojran zystora na częstotliw ość drgań oscylatora.

Oscylator sam ow zbudny 10 M H z do urządzeń pom iarow ych

D rugą cechą oscylatora typu „T esla ” jest zastosow anie zam iast elem entu indukcyjnego — sze­

regowego obw odu drgań o rezonan sie własnym leżącym poniżej częstotliw ości drgań oscylatora.

Przy częstotliw ości odpowiadającej częstotliw ości drgań oscylatora, obw ód C3 — L wykazuje cha­

rakter indukcyjny, stabilizując częstotliw ość oscylacji przez zm iany swej reaktancji przeciw ne do kierunku zm ian częstotliw ości.

Bsia Mmmm—■

Dane

wyjściowe

N apięcie z a s ila j ą c e ... U„ == 12 V N ap ięcie w y jś c io w e ... t/t / / = 3 V C zęstotliw ość o s c y l a c j i .../„ = 10 M H z

W ykaz elementów

Cj = 6,8 n F R x = 18 k i l 5%; 0,25 W C2 = 150 p F = 5,1 k i l 5%; 0,25 W

C3 = 51 p F = 510 O 5%; 0,25 W

C4 = 1500 p F R i = 25 k i l potencjom etr C5 = 150 p F = 10 k i l 5%; 0,25 W C6 = 6,8 n F R 6 = 15 k il 5%; 0,25 W C7 = 6,8 n F « 7 = 1 k i l 5%; 0,25 W C s = 6,8 n F Rb = 470 f i 5%; 0,25 W C9 = 150 p F T , , T2 — tranzystory A F429

Z)/ — dławik 0,5 m H sekcyjny

L — 47 zw. 0 0,2 Cu na korpusie 0 8 mm

OSCYLATOR SAMOW ZBUDNY 50 MHz DO URZĄDZEŃ POMIAROWYCH

Oscylator pracuje w układzie typu „C lapp” z dzielnikiem pojem nościow ym w bazie tranzystora i szeregowym obw odem drgań. Zaletam i tego oscylatora są: duża stabilność częstotliw ości genero­

wanych drgań oraz m ożliw ość uziem ienia kolektora tranzystora dla prądów wielkiej częstotliw ości.

Generator pracuje w układzie w spólnego kolektora W K , a obw ód drgań jest w łączony pom iędzy bazę tranzystora a m asę układu.

D zięki niskoom ow em u wyjściu generatora z emitera tranzystora, generator nie wymaga stopnia separującego.

O scylator sam ow zbudny 50 M H z

380 do urządzeń pom iarowych

Dane wyjściowe

N ap ięcie z a s ila j ą c e ... U , = + 2 0 V N ap ięcie w y jś c io w e ... Ue ff = 0,5 V C zęstotliw ość o s c y l a c j i ... / , = 50 M H z

W ykaz elementów

Cj = 6,8 n F R t = 5,1 k i l 5%; 0,25 W

C 2 = 30 p F trymcr = 3,9 k il 5%; 0,25 W C3 = 51 pF R 3 = 110 i i 5%; 0,5 W

C i = 51 p F y?4 = 1 1 0 i i 5%; 0,5 W C s = 51 pF

C6 = 6,8 nF

C7 = 6,8 nF

/- — 12 zw. 0 1,0 Cu na korpusie 0 8 mm

£>/ — dławik 0,5 mH T — tranzystor BF504

GŁOWICA UKF

G łow ica U K F służy do odbioru sygnałów w paśm ie radiofonicznym U K F i przetworzenia ich na częstotliw ość pośrednią odbiornika. Składa się ona z dw óch stopni — wzmacniacza wielkiej częstotliw ości oraz m ieszacza sam ow zbudnego. W głow icy zastosow ano strojenie indukcyjne ob w o­

dów w zm acniacza wielkiej częstotliw ości i oscylatora orazjpodstrajanie obw odów oscylatora w pros­

tym system ie autom atycznej regulacji częstotliw ości za p om ocą diody o zmiennej pojem ności.

W e wzm acniaczu wielkiej częstotliw ości pracuje tranzystor Ti w układzie ze w spólną bazą. Jest to standardowy układ pracy tranzystorów pracujących jak o wzm acniacze w tym zakresie często­

tliw ości, gdyż charakteryzuje się dużą stabilnością pracy. D rugą dodatnią cechą układu ze w spólną bazą jest mniejsza zm iana rezystancji wejściowej wzm acniacza przy wym ianie tranzystora, w p o ­ równaniu do układu ze w spólnym emiterem.

N a wejściu wzm acniacza znajduje się bardzo silnie sprzężony filtr pasm ow y L i — L , — C\ , nastrojony na środek zakresu przestrajania głow icy. Filtr pasm ow y dopasow uje antenę o rezystancji falowej 300 i i — sym etryczną lub 75 i i — niesym etryczną do rezystancji wejściowej wzm acniacza wielkiej częstotliw ości (rzędu 100 i i dla tranzystorów grupy A F515 na częstotliw ości 70 M H z).

D zielnik op orow y w bazie 7'1 R 2 — R i oraz opornik em iterow y R i zapewniają utrzymanie wybranego punktu pracy tranzystora Ti oraz jego stabilizację termiczną.

Tranzystor 7 \ pracuje z prądem emitera IE = 3 m A , gdyż ten punkt pracy zapewnia m aksy­

m alne w zm ocnienie m ocy stopnia. W obw odzie kolektorow ym tranzystora Ti znajduje się obw ód rezonansow y rów noległy Z,3— C4— C5 — strojony indukcyjnie w zakresie pracy głow icy. D o p a so - 381

wanie energetyczne do rezystancji wejściowej mieszacza uzyskuje się za p om ocą kondensatora C7, znajdującego się m iędzy kolektorem T i a emiterem T 2 .

W m ieszaczu — oscylatorze pracuje tranzystor T2 w układzie ze w spólną bazą. K ondensator C u jest pojem nością obw odu rezonansow ego pośredniej częstotliw ości 10,7 M H z (C i 1— L 6), a jed n o­

cześnie służy do sprzęgnięcia kolektora tranzystora T2 z obw odem rezonansow ym oscylatora.

W celu ułatwienia oscylacji oraz uzyskania odpowiedniej am plitudy drgań, pom iędzy emiter T 2 a obw ód oscylatora w łączono kondensator C i0 .

R ezystory R Ą, R 5 , R6 ustawiają punkt pracy mieszacza przy prądzie I E = 2 m A , zapewniając jego stabilizację termiczną. Przy wybranej wartości prądu emitera uzyskuje się duże w zm ocnienie m ieszacza przy niewielkich zniekształceniach nieliniowych.

W obw odzie oscylatora została użyta dioda o zmiennej pojem ności , jako elem ent dostrajający pracujący w układzie automatycznej regulacji częstotliw ości.

Żądany sygnał o częstotliw ości pośredniej 10,7 M H z jest wydzielany z m ieszacza przez filtr

¿ 6— C u znajdujący się w kolektorze T2 i sprzęgnięty ze wzm acniaczem częstotliw ości pośredniej cew ką sprzęgającą £ 7 .

Dane techniczne

N apięcie zasilające (uziem iony m in u s ) ... U„ = + 1 2 V Zakres p r z estr a ja n ia ... 62,0— 70,8 M H z Szerokość pasm a pośredniej c z ę s to tliw o ś c i... 300 kH z W zm ocnienie g ł o w i c y ... 24 dB 382 T łum ienie sygnałów lustrzanych ... 26 dB

Warunki pracy poszczególnych stopni głowicy

1. W zm acniacz wielkiej częstotliw ości

a. N ap ięcie m iędzy kolektorem a e m it e r e m ... Uce = — 9 V b. Prąd emitera ... / E = — 3 m A 2. M ieszacz — oscylator

a. N ap ięcie między kolektorem a e m it e r e m ... Uc E = — 10 V b. Prąd emitera ... / E = — 2 m A

W ykaz elementów głowicy R e z y s t o r y

R i = 1 k i l 5%; 0,15 W R 2 = 4,7 k i l 5%; 0,15 W R 3 = 18 k i l 5%; 0,15 W

« 4 = 1 k i l 5%; 0,15 W

« 5 = 4,7 k i l 5%; 0,15 W

= 22 k i l 5%; 0,15 W R-, = 9,1 k i l 10%; 0,15 W V?8 = 18 k i l 10%; 0,15 W

= 51 k i l 10%; 0,15 W

C e w k i

L , — 5 zw. 0 0,2 Cu Em na korpusie 0 4 mm z rdzeniem ferrytowym L z — 2 zw. 0 0,2 Cu Em przy cew ce Lj

Z.3 — 0,14 n H 0 1 C u A g

L i — 15 zw . 0 0,2 Cu A g na korpusie 0 4 mm L s — 0,2 u H 0 1 Cu A g

Z.6 — 12 zw . 0 0,2 Cu Em na korpusie 0 4 m m z rdzeniem ferrytowym Z.7 — 3 zw. 0 0,2 Cu Em na cew ce L 6

K o n d e n s a t o r y (wszystkie ceram iczne 25 V)

C t = 18 p F C g = 2,2 nF

C2 = 2,2 n F C , 0 = 5 pF

C3 = 22 n F C u = 100 pF

C4 = 18 pF C a = 18 p F

C s = 0,5— 6 p F trymer C J3 = 0,5— 6 p F trymer

C6 = 6,8 n F C i4. = 10 pF

C7 = 7 p F C 15 = 6,8 nF

C8 = 510 p F Ci 6 = 2,2 n F 383

E l e m e n t y p ó ł p r z e w o d n i k o w e Ti — tranzystor AF515

T2 — tranzystor A F514 Z>! — warikap BA505

GŁOWICA ODBIORNIKA TELEWIZYJNEGO

G łow ica jest przystosow ana do odbioru kanału 2, tj. stacji telewizyjnej W arszawa. W skład głow icy wchodzi wzm acniacz w ejściow y i stopień przemiany. W celu zapewnienia m ożliw ości pracy głow icy w innych kanałach, we wzm acniaczu w ejściow ym i heterodynie zastosow ano tranzystory A F 516, zaś w mieszaczu — tranzystor BF520.

Dane techniczne

W zm ocnienie m o c y ... 12 dB Szerokość p a s m a ... 12 M H z C zęstotliw ość ś r o d k o w a ... 62,5 M H z Zakres przestrajania heterodyny ... 95— 100 M Hz N ap ięcie z a s i l a j ą c e ... 12 V

384 Prąd p o b ie r a n y ... 5 m A

jV "

W ykaz elementów

R e z y s t o r y

R t

=

=

=

= loo ii

w

R6

=

w

R l

= ioo n

w

Rb

=

w

r9

=

w

Rio

=

w

R u

= ioo n

w

R i z

=

w

R n

=

w Rii =

w Ri 5= ioo ii

w Rio =

w

C e w k i

L i — Z zw. D N E 0, 5 0 8 l2 — 5 zw. D N E 0,35 0 8 L i — 20 zw. D N E 0,35 0 3 L i — 3 zw. D N E 0,35 0 8 Ls — 7 zw. D N E 0,35 0 8

K o n d e n s a t o r y

c,

c 2

3,3

c 3

a =

3,3

c 5

3,3

c6

c 7

c s

C y

_

C i o = 3,3 nF 25 V

C u = 3,3 n F 25 V

Ci2 = 5 p F ± 1 0 % ; 25 V C a = 3 p F ± 1 0 % ; 25 V C a = 8 p F ± 1 0 % ; 25 V C is = trymer 2— 10 pF

Cl 6 = 3,3 n F 25 V

C i 7= 3,3 n F 25 V

C,S = 75 p F ± 1 0 % ; 25 V

C19 = 3,3 p F 25 V

C20 100 p F ± 1 0 % ; 25 V

T r a n z y s t o r y T x — A F 516 T2 — A F 516 Ty — B F520

MIESZACZ-OSCYLATOR

M ieszacz — oscylator jest jednocześnie pierwszym stopniem kom binow anego wzm acniacza częstotliw ości pośredniej 465 kH z/10,7 M H z. W obw odzie kolektorow ym tranzystora T znajduje się cew ka B oscylatora, która służy do sprzęgnięcia obw odu rezonansow ego C oscylatora z tranzy­

storem . N ap ięcie sprzężenia zw rotnego jest podaw ane na emiter tranzystora T za pom ocą cew ki A oscylatora w odpowiedniej fazie do uzyskania oscylacji.

W obw odzie kolektorow ym tranzystora T oprócz cewki B oscylatora znajdują się rów nież szere­

gow o połączone obw ody rezonansow e na częstotliw ości pośrednie 465 kH z i 10,7 M H z. Ich impe- dancja na odpowiedniej częstotliw ości pośredniej jest znacznie w iększa od reaktancji cewki B oscyla- 385

tora na tych częstotliw ościach i nie przeszkadzają on e sob ie wzajemnie. Z drugiej strony, reaktancja cewki B oscylatora w paśm ie przestrajania oscylatora jest znacznie większa o d reaktancji obw odów o częstotliw ościach pośrednich w tym zakresie częstotliw ości.

U k ład m ieszacza-oscylatora jest obecnie jedynym układem tego typu stosow anym w odbiorni­

kach popularnych. D o jego zalet należą: użycie tego sam ego tranzystora jak o m ieszacza i lokalnej heterodyny, duża łatw ość w łączenia układu oscylatora do układu m ieszacza i niezależność pracy obydw u układów. D od atk ow o, dzięki wybraniu oscylatora typu „M eissnera” , uzyskuje się bardzo dobrą stałość amplitudy drgań oscylatora w całym zakresie jego przestrajania.

N a bazę tranzystora T podaje się sygnał z żądanego zakresu częstotliw ości przez strojone rezo­

nansow e obw ody wejściowe. Sprzężenie obw odów wejściow ych z bazą tranzystora T uzyskuje się 386 za p om ocą cewki B obw odów wejściow ych, a z anteną za p om ocą cewki antenowej A.

Pom iędzy zaciskiem antenow ym obw odów wejściow ych a ziem ią (m asą) znajduje się obw ód rezonansow y szeregowy Z.9—C 10, nastrojony na częstotliw ość pośrednią 465 kH z. O bw ód ten przeciwdziała dostawaniu się sygnałów pochodzących z anteny o częstotliw ości pośredniej 465 kH z do bazy m ieszacza, co zapobiega ewentualnym interferencjom i zniekształceniom odbioru.

R ezystor R t służy do zabezpieczenia ob w od ów wejściowych oraz tranzystora T przed w yłado­

waniam i atm osferycznym i.

Dane ogólne (t — 25°C)

N ap ięcie zasilające (uziem iony p l u s ) ... U0 = — 9 V Prąd m ieszacza ... IB = —0,5 m A N ap ięcie oscylacji na emiterze tranzystora T ... U 0,c 300 m V „

Zakresy częstotliwości

F ale d ł u g i e ...

F ale ś r e d n i e ...

Fale krótkie I ...

Fale krótkie II . . . .

O bw ody wejściowe 150—410 kH z 510— 1620 kH z 3.0— 4,3 M H z 6.0— 7,2 M H z

Obwody oscylatora 615— 875 kH z 975— 2085 kH z 3465—4765 kH z 6465— 7665 kHz

W ykaz elementów układu R e z y s t o r y

R v = 10 k i ł 10%; 0,1 W R 2 = 2 k i l 5%; 0,1 W

K o n d e n s a t o r y C t =

c 2 - C'3' - C

fłt

3 =

C i .

c : =

c ; l - C ' . c'> - c i ' -

c i -

Cn - C^{/ ł /}

? =

C 'k -

C

= 3— 30 p F

‘ 3— 30 p F 3— 30 pF 50 p F

= 47 pF

= 3— 30 pF 50 pF : 33 pF : 3— 30 pF 3— 30 pF 20 p F 3— 30 pF : 100 p F 3— 30 pF : 62 pF

trymer trymer trymer

trymer

trymer trymer

trymer

trymer

C , = 100 p F C io = 200 p F C u = 22 nF C 12 = 22 nF

Cj 3 -i 150/75 p F agregat Ci 4 j strojeniowy

W szystkie trymery są typu pow ietrznego. P ozostałe k on ­ densatory ceramiczne.

387

I n d u k c y j n o ś c i

W szystkie cew ki są nawinięte licą 7 X 0,07 mm na korpusie 0 4 m m z rdzeniem ferrytowym (oprócz cewek antenow ych L i i L%)

I

5 — 60 zw ojów na cew ce C — cew ka wejściow a fal długich

C —• 340 zw ojów na ferrycie 0 10 mm

A — 10 zw ojow na cewce C

L i B — 15 zw ojów na cew ce C — cew ka wejściowa fal średnich C — 80 zw ojów na ferrycie 0 10 mm

1

B — 6 zw ojów ob ok cewki C — cewka wejściow a fal krótkich II C — 46 zw ojów

I

B — 15 zw ojów na cew ce C — cew ka w ejściow a fal krótkich 1 C — 80 zw ojów

A — 1 zwój na cewce C

L i B — 30 zw ojów obok cewki C — cewka oscylatora fal długich C — 120 zw ojów

( A — 1 zwój na cew ce C

L 6 ! B — 10 zw ojów obok cewki C — cewka oscylatora fal średnich 1 C — 40 zw ojów

A —-2 zwoje na cewce C

£ 7 B — 14 zw ojów obok cew ki C — cew ka oscylatora fal krótkich II C — 56 zw ojów

(

B — 15 zw ojów obok cewki C — cew ka oscylatora fal krótkich I C — 60 zw ojów

L 9 — 0,5 m H

T — tranzystor typu AF428

KO M BINO W ANY W Z M A C N IA C Z CZĘSTOTLIWOŚCI POŚREDNIEJ 465 kHz/10,7 MHz

U kład składa się z trzech stop ni wzm ocnienia, w których pracują tranzystory T i ~ T 3 w układzie ze w spólnym emiterem. W kolektorach tranzystorów znajdują się szeregow o p ołączon e filtry pas­

m ow e o sprzężeniu pojem nościow ym dla obydwu częstotliw ości pośrednich. D op asow an ie energe­

tyczne m iędzy filtram i a tranzystoram i uzyskano przez zastosow anie dzielników pojem nościow ych 388 dla 465 kH z i obniżającej przekładni indukcyjnej dla 10,7 M Hz.

O bw ody pośredniej częstotliw ości w kolektorze T3 są obciążone detektorem stosunku dla często­

tliw ości pośredniej 10,7 M H z do odbioru sygnałów F M oraz diodą detekcyjną dla częstotliw ości pośredniej 465 kH z do odbioru sygnałów A M .

A utom atyczna regulacja w zm ocnienia działa tylko przy odbiorze sygnałów A M dla częstotliw ości pośredniej 465 kH z i uzyskuje się ją przez podanie składowej stałej z detektora A M przez filtr Rt— C l3 — C 14 do bazy tranzystora 7’2 oraz przez zastosow anie diody tłumiącej D , .

Przy odbiorze sygnałów F M tranzystor T3 łącznie z dyskryminatorem fazy 10,7 M H z pracuje jako układ obcinający (ogranicznik).

Schem at wzm acniacza częstotliw ości pośredniej 465 kH z/10,7 M H z

Dane wyjściowe

N ap ięcie z a s i l a j ą c e ... U „ = — 9 V W zm ocnienie toru A M — 465 k H z ... 65 dB W zm ocnienie toru F M — 10,7 M H z ...60 dB Szerokość pasma A M — 465 k H z ... ± 5 kH z Szerokość pasm a FM — 10,7 M H z ... 200 k H z Selektyw ność A M ± 9 k H z ...26 dB

Selektyw ność FM —300 kH z ... 26 dB 389

R e z y s t o r y K o n d e n s a t o r y

Ri = 33 k ii 5% 0,25 W C i = 33 000 p F C u — 2 200 p F r2 = 9,1 k fi 5% 0,25 ^W c 2 = 2 200 pF C22 — 82 p F

r3 = 1,1 k fi 5% 0,25 ^W c 3 = 82 p F C23 = 27 p F

R4 = 510 fi 5% 0,25 ^{W C i} = 33 000 p F C24 = 270 p F Rs = 500 k ii 5% 0,25 ^W Cs = 22 000 ^pF C25 = 150 pF Ro = 9,1 k ii 5% 0,25 ^W Ce = 27 p F C26 = 2 200 p F

R i = 22 k ii 5% 0,25 ^W C-, = 8 p F C27 = 82 p F

Rs = 3,9 k ii 5% 0,25 ^W c8 = 2 200 pF C28 = 27 p F

R9 = 220 i i 5% 0,25 ^W c9 — 82 p F C: 9 = 8 p F

R^io= 1,1 k ii 5% 0,25 W C10= 27 p F C30 = 33 000 p F

R n ^{3, 3} k ii 5% 0,25 W C a = 270 p F C3 1 = 2 200 p F

RX2 - 9,1 k ii ^5% 0,25 W C1 2 = 150 pF C32 = 120 p F R l3 = 220 i i 5% 0,25 ^W Cl 3= 33 000 p F C33 = 560 p F R n = 1,1 k ii 5% 0,25 W C14= 50 fiF; 12 V C34 = 33 000 p F Rl5 = 100 i i 5% 0,25 ^W C,5 = 2 200 p F C 3s = 330 p F Rl6 = 10 k ii ^5% 0,25 W C16 = 82 p F C36 = 330 p F R i 7 = ^{1, 5} k ii 5% 0,25 W Cl7 = 33 000 p F C37 = 5,0 ¡¿F;

R i s = 1, 5 k il 5% 0,25 W Cis = 27 p F C38 — ⁴ 700 p F

Ri9 R20

_ 1, 5 k ii 5%

10 k ii 5%

0,25 0,25

W c19^— 8 p F c39 = 5,0 (JiF;

= W C20= 33 000 pF C40 33 000 p F

* 2 1 R2 2 ^__

10 k il 5%

510 k ii 5%

0,25 W 0,25 W

T r a n z y s t o r y T i - T 3 — A F 428

D i o d y D i - D i — D O G 62

390

F i l t r y

D la 465 k H z — naw inięte na rdzeniach kubkowych

£-i> L 3 , I s , L&, Lu , L u po 56 zw ., lica Cu 7 x 0 ,0 7 D la 10,7 M H z — naw inięte na rdzeniach ferrytowych 0 3 mm L 2 , L iy L y , L 9 , L1 2 — po 30 zw.

0 0,1 Cu

L s , L i o — po 3 zw. 0 0,1 Cu naw inięte na rdzeniach L i i L 9 L a — 2 x 1 0 zw . 0 0,1 Cu L 1 S— 3 zw . 0 0,1 Cu nawinięte na rdzeniu cewki L , 2

W $

TELEWIZYJNY W ZM A C N IA C Z CZĘSTOTLIWOŚCI POŚREDNIEJ 38 MHz

Jest to trzystopniow y w zm acniacz asynchroniczny zakończony na wyjściu detektorem wizji.

K ażdy ze stop ni wzm acniacza zawiera dwójkę tranzystorów O C — OE. Najistotniejszą w łaściwością takiej dwójki jest zmniejszenie ok o ło //2, c-krotne parametru Y i2 wypadkowej macierzy adm itan- cyjnej układu OC— OE w porównaniu z w ielkością Y llc pojedynczego tranzystora. D zięki takiemu układowi wzm acniacz jest stabilny i nie wym aga stosow ania unilateryzacji. W zm acniacz został zaprojektow any w oparciu o średnie parametry tranzystorów i nie jest wrażliwy na ich wym ianę.

Schemat telewizyjnego wzm acniacza częstotliw ości pośredniej 38 M Hz

Dane techniczne

W zm ocnienie m o c y ... 90 dB Szerokość pasm a BjjB ... 6,2 M H z Selektancja dla częstotliw ości 30 M H z (67,25 M H z ) ... 15 dB Selektancja dla częstotliw ości 31,5 M H z (65,75 M H z ) ... 5 dB Selektancja dla częstotliw ości 38 M H z (59,25 M H z ) ... 3 dB Selektancja dla częstotliw ości 39,5 M H z (57,75 M H z ) ... 9 dB D ynam ika sygnału wyjściow ego przy zmianach sygnału w ejściow ego w zakresie

50 \i.Y — 50 m V ... 0,5— 1,2 V N ap ięcie z a s i l a n i a ... 12 V

Prąd pobierany:

— przy sygnale wejściow ym 50 38 m A

— przy sygnale wejściow ym 50 mV ... 17 m A U w a g a . Liczby podane w nawiasach odnoszą się do wzm acniacza w połączeniu z głowicą opisaną na str. 384.

W ykaz elementów

R e z y s t o r y

f ii = 16 k il ± 1 0 % ; 0,1 W f i2 = 680 i i ± 1 0 % ; 0,1 W

= 100 i ł ± 1 0 % ; 0,1 W fi* = 10 k il ± 1 0 % ; 0,1 W R , = 100 i ł ± 1 0 % ; 0,1 W Re = 3,3 k£l ± 1 0 % ; 0,1 W Rn = 510 i i ± 1 0 % ; 0,1 W fis = 16 k il ± 1 0 % ; 0,1 W f i9 = 100 i i ± 1 0 % ; 0,1 W fiio = 680 i i ± 1 0 % ; 0,1 W f i u = 10 k i l ± 1 0 % ; 0,1 W f i 12 = 100 i ł ± 1 0 % ; 0,1 W R a = 3,3 k i l ± 1 0 % ; 0,1 W f i 14 = 510 i i ± 1 0 % ; 0,1 W f i i 5 = 8,2 k i l ± 1 0 % ; 0,1 W f i i 6 = 620 n ± 1 0 % ; 0,1 W R \ i = 7,5 i i ± 1 0 % ; 0,1 W f i is = 1,1 k il ± 1 0 % ; 0,1 W f i 19 = 10 k ił ± 1 0 % ; 0,1 W f i2 0 = 100 i i ± 1 0 % ; 0,1 W R 2l = 10 kQ ± 1 0 % ; 0,1 W R 22 = 11 k il ± 1 0 % ; 0,1 W

T r a n z y s t o r y i d i o d y Ti — Te — BF520

D — dioda germ anowa DG 51

K o n d e n s a t o r y Ci = 200 pF ± 2 0 % ; 25 V

c 2 ⁼ 3,3 nF 25 V

c 3 ⁼ 200 pF ± 2 0 % ; 25 V

c 4 ⁼ 3,3 nF 25 V

Cs ⁼ 30 pF ± 5 % ; 25 V

C6 = 3,3 nF 25 V

c 7 ^{= 3,3 nF 25 V}

Ca ⁼ 200 pF ± 20%; 25 V c„ ⁼ 200 pF ± 2 0 % ; 25 V

^10⁼⁼ 3,3 nF 25 V

C n ⁼⁼ 3,9 pF ± 5 % ; 25 V

^ 1 2 3,3 nF "ł < ^{\ r}

“ Z J V

£ 1 3 = - 3,3 nF 25 V

C i 4. = 200 pF ± 2 0 % ; 25 V

C X5 = 200 p F ± 20%; 25 V

C1 6 = 33 p F ± 5% ; 25 V

C1 7 = 3,3 nF 25 V

C is = 6 p F ± 10%; 25 V

C e w k i

L i — 4 zw. D N E , 0,3; 0 8 L 2 — 4 zw. D N E 0,3; 0 8 L 3 — 4 zw. D N E 0,3; 0 8 * L 4 — 6 zw. D N E 0,3; 0 8*

392 * C e w k i £ 3 i 7.4 s ta n o w ią tr a n sfo r m a to r , u z w o je n ia z o s ta ły n a w in ię te n a je d n y m k o r p u s ie .

UKŁAD O DCHYLANIA PIONOWEGO ODBIORNIKA TELEWIZYJNEGO

Jest to uktad przystosow any do pracy z typow ym kineskopem oraz cewkam i odchylającymi odbiornika telewizyjnego typu „T op az” . U kład zawiera trzy stopnie, wszystkie zbudow ane przy użyciu tranzystorów krzem owych. Pierwszy stopień — generacyjny stanow i generator sam odlaw ny, odznaczający się dużą stałością częstotliw ości w funkcji temperatury i dużym zakresem synchroni­

zacji. W celu odseparow ania stop nia m ocy od generatora i zapewnienia dostatecznego wysterowania, jak o drugi stopień układu zastosow ano wzm acniacz prądow y, w układzie wtórnika em iterow ego.

Stopień m ocy został zbudow any jak o pojedynczy w zm acniacz pracujący w klasie A. D zięk i zastoso­

waniu tranzystorów krzem owych, stabilność cieplna układu jest duża, tak że przy zm ianach tem ­ peratury do o k o ło 50°C częstotliw ość generatora pozostaje stała.

Schemat układu odchylania p ion ow ego

Dane techniczne

400 m A 1,2 ras 24 V

200 m A 393 Prąd odchylający w cewkach

Czas p o w r o t u ...

N apięcie z a s i l a n i a ...

Prąd p o b i e r a n y ...

.

W ykaz elementó«'

R e z y s t o r y R , = 27 k il ±10%

R 2 = 10 k il ±10%

« 3 = 1 0 0 k il ± 1 0% R i = 1 0 k il ± 1 0% R 5 = 390 i i ±10%

* 6 = 3 k il ± 1 0%

* 7 = 5,6 k il ±10%

i?6 = 2 2 Í1 ± 1 0 % r9 = i o n ± 10%

* 1 0 = 47 i ł ±10%

t f u = 2 0 k il ± 1 0% /? ,2 = 30 Í1 ± 1 0 %

* ,3

=

±

%

* i a = 4 ń ± 1 0 %

« , 5 = 1 0 Í1 ± 1 0 %

T r a n z y s t o r y i d i o d y T, — B F520

T2 — BF520 7-j — B U Y 52 Z>i — A A Y 37 D 2 — A A Y 37

K o n d e n s a t o r y C i = S [xF; 500 V C2 = 0,1 fiF; 25 V C3 = 6,8 nF ; 25 V C4 = 4 ¡jlF; 500 V C5 = 2 x 3 2 ¡xF; 450 V C6 = 2 x 3 2 (iF; 450 V C7 = 1000 ¡xF; 100 V C8 = 4,7 n F ; 100 V

T r a n s f o r m a t o r — Trl rdzeń kubkow y M 2 5 /2 0 /4 F 1001 z , — 350 zw . D N E 0,1

Zj — 300 zw. D N E 0,1 z 3 — 50 zw. D N E 0,1

D ł a w i k

rdzeń 1 6 x 3 0 o szczelinie 0,2 mm Z\ — 850 zw . D N E 0,5

W ZM A C N IA C Z MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 2 W DO ODBIORNIKA SAMOCHO­

DOWEGO

W zm acniacz składa się z trzech stopni w zm ocnienia: przedwzm acniacza, stop n ia sterującego oraz stopnia m ocy.

Stopień m ocy wzm acniacza pracuje w układzie beztransform atorowym . Praca tranzystorów w takim układzie charakteryzuje się dużą spraw nością, szerokim pasmem przenoszonych częstotli­

w ości oraz prostym układem . D o d a tk o w ą zaletą jest zm niejszenie ciężaru całego układu dzięki zrezygnowaniu z dużego transform atora głośnikow ego.

Schemat układu do badania m ożliw ości w ykorzystania pary tranzystorów A D 365 przedstawiono na rysunku. W układzie tym zm ieniano napięcia zasilania oraz rezystancję obciążenia, a tranzy­

story sterow ano sygnałam i 1 k H z aż do obcięcia wierzchołków sinusoidy. M aksym alną nie znie­

kształconą m oc wyjściową m ierzono m iernikiem m ocy wyjściowej. D o opisyw anego wzm acniacza 394 zastosow ano punkt pracy stopnia koń cow ego U„ = 12 V i R a = 8 i ł.

W stopniu w ejściow ym wzm acniacza pracuje tranzystor m aioszum ny AC 361. Tranzystor pra­

cuje w układzie ze w spólnym kolektorem w celu uzyskania dużej rezystancji wejściowej wzm acniacza.

W stopniu sterującym pracuje tranzystor T2 sprzęgnięty bezpośrednio z emiterem przed- wzmacniacza. Tranzystor T2 pracuje w klasie A w układzie wzm acniacza transform atorow ego i steruje stopień m ocy przez dw a uzwojenia wtórne nawinięte bifilarnie dla uzyskania symetrii pracy stopnia koń cow ego. Transform ator dopasow uje rezystancję wejściow ą każdego z tranzystorów stopnia k oń cow ego do rezystancji wyjściowej wzm acniacza sterującego.

Tranzystory pracujące w stopniu m ocy są przym ocow ane na m ałych radiatorach 5 0 x 5 0 x 3 , gdyż m oc tracona w nich jest bardzo mała.

Pętlą ujem nego sprzężenia zw rotnego o wartości ok oło 6 dB objęto dwa stopnie: wzm acniacz sterujący oraz wzm acniacz m ocy. N ap ięcie sprzężenia zw rotnego jest podaw ane z głośnika przez układ R , 2 — C i na emiter wzm acniacza sterującego.

U kład do analizy m ożliw ości zastosow ania pary tranzystorów TG 60

Dane ogólne (f = 25°C, / = 1 kH z)

O gólne w zm ocnienie m ocy w z m a c n ia c z a ... 75 dB R ezystancja w e j ś c i o w a ... 32 k il Rezystancja g ł o ś n i k a ... 8 £1 M oc m aksym alna (h = 8 % ) ... 2 W

Pasm o przenoszenia 3 d B ... 150 H z — 7 k H z Czułość przy pełnym wysterowaniu ... 60 m V 395

WWIW L&łiwhWi.-.

Warunki pracy poszczególnych stopni Wzmacniacza

1. Przedwzm acniacz

N apięcie m iędzy kolektorem a e m it e r e m ... U CE = — 10,8 V Prąd emitera ... I E = —0,35 mA

2. W zm acniacz sterujący

N ap ięcie m iędzy kolektorem a e m it e r e m ... U Ce = — 10,5 V Prąd emitera ... I E = — 5,5 m A

3. W zm acniacz m ocy

Prąd emitera przy P WfJ = 0 W ... IE — — 20 m A Prąd emitera przy P wyJ = 2 W ... I E — —235 m A N ap ięcie m iędzy emiterem a k o l e k t o r e m ... UCE = — 6 V M oc tracona w jednym tr a n z y s to r z e ... P ,„ = 0,41 W Spraw ność stopnia k o ń c o w e g o ... 7]k = 71%

4. C ałość wzm acniacza

N ap ięcie z a s i l a n i a ... U0 — — 12 V Prąd pobierany przy P wyJ = 0 W ... /„ = — 50 m A Prąd pobierany przy P wfJ = 2 W ... /„ = —260 m A 396 Spraw ność ogólna w z m a c n ia c z a ... ??„ = 65%