Elementy półprzewodnikowe i układy scalone; Katalog skrócony 1975 - Digital Library of the Silesian University of Technology

ELEMENTY

PÓŁPRZEWODNIKOWE I UKŁADY S CAL ONE

K A T A L O G S K R Ó C O N Y 1 9 7 5

NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM PÓŁPRZEWODNIKÓW

NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM PÓŁPRZEWODNIKÓW

ELEMENTY

PÓŁPRZEWODNIKOWE I UKŁADY SCALONE

KATALOG SKRÓCONY 1975

WARSZAWA 1975

Katalog opracował zespół autorski pod kierownic twain Teresy SZYMCZAKOWEJ

Opracowanie redakcyjne Dział Wydawnictw PIS ZOIUTB

Okładkę projektowała v

art. grafik Z. SZYMKIEWICZ

Prace poligraficzne wykonał zespół pod kierownictwem Krystyny CHKISŁEWSKISJ

PIB-ZOIHTE 154/75. wyd.I. maj 1975

Spis treści

s t r .

Alfabetyczny wykaz wyrobów . . . ... . 7

Oznaozenia parametrów . . . . . . ... . . . 11

WIROBY PÓŁPRZEWODNIKOWE PRZEZNACZOBB DO SK80WAEIA W SPRZĘCIE PROPESJOHALNYU I W SPHZ^CIB POWSSECEHEGO ... 17

1. D iody... . . ... 17

1.1. Diody genasnowe prostownicae . . . 17

1.2. Diody krsesowe prostownicze ... . . . 18

1.3. Mostki prostownicze w układzie Oraetza . . . 19

1.4. Diody germanowe uniwersalne ... 20

1.5. Diody germanowe impulsowe . . . 20

1.6. Diody krzemowe impulsowe . . « ... 21

1.7. Stabiliatory /diody Zenera/ małej mocy . . . 22

1.8. Stabiliatory /diody Zenera/ średniej mocy ... . ... . . . 25

1.9* Diody pojemnościowe - warikapy . . . ... . . . 26

1.10. Diody pojemnościowa - waraktory . . . ... • 27

2. Tranzystory... 28

2.1. Tranzyatory germanowe małej tiooy, małej częstotliwości . ... 28

2.2. tranzystory krzemowe małej mocy, stałej częstotliwości . . . 29

2.3. Tranzystory krzemowe małej mooy, wielkiej osęetotliwośoi . . . 31

2.4. Tranzystory germanowe średniej mocy, małej częstotliwości . . . 34

2.5* Tranzystory Icrzeaowe średniej mooy, małej osęetotliwośoi... 34

2.6. Tranzystory germanowe dużej mooy, małej częstotliwości . . . 35

2.7. Tranzystory krzemowe dużej mocy, małej częstotliwości . . . 35

2.8. Tranzystory krzemowe wysokonapięciowe średniej mooy, wielkiej częstotliwości • 36 2.9. tranzystor krzemowy połowy z izolowaną bramką /MOS-FET/ . . . 37

2.10. Tranzystory germanowe małej mocy, przełączające . . . 37

2.11. Tranzystory krzemowe małej mooy, przełąozające ... . . . 38

2.12. Tranzystory krzemowe średniej 1 dużej mocy, wielkiej częstotliwości . . . 39

3. Elementy optoelektroniczne... 40

3.1. Fotodiody germanowe ... 40

3.2. Fotodioda krzemowa . . . ... . . . 40

3.3. Fototranzystory krzemowe . . . ... . . . 41

3.4. Fotoresystory ... 41

3>5* Elementy elektroluminescencyjne ... 43

3.6. Transoptor . . . . ... . . . . 44

4. Hallotrony... 44

s t r .

5* Termistory • • • • • • • • • • • • • • • • • ■ • • 45

5-1. Termistory o ujemnym współczynniku temperaturowym ... 45

5-2. Termistory o skokowej rezystancji ... • • # . . • • • • • • . • 45

6. Analogowe układy scalone . . . ... . . . 46

6.1. Analogowe monolityczne układy scalone ... 46

6.2. Analogowe hybrydowe układy scalone ... . . . 55

7. Cyfrowe układy scalone... 59

7.1. Cyfrowo monolityczne układy scalone . . . 59

7.2. Cyfrowe hybrydowe układy scalone . . . 64

8. Bierne hybrydowe układy scalone . . . ... . . . . 65

PRZYRZĄDY PÓŁPRZSWODHIKOWE DO ST030WABIA W SPECJAIJTYCH URZ-i D ŁĘKI ACH ELERTROHICZHYCH . . . 66

9* Diody krzemowe ... . . . . . . . . . 66

9.1. Diody krzemowe impulsowa . . . 66

9.2. Diody krzemowe prostownicze ... 67

9.3« Stabillotory /diody Zenera/ ... 68

10. Tranzystory krzemowe ... . . . ... . 71

10.1. Tranzystory krzemowe małej mocy, małej częstotliwości . . . . ... 71

10.2. Tranzystory krzemowe małej aooy, wielkiej częstotliwości . . . 72

10.3. Tranzystory krzemowe średniej mocy, małej częstotliwości . . . 73

10.4. Tranzystory krzemowe dużej mooy, małej częstotliwości . . . ... . 73

10.5. Tranzystory krzemowe wysokonapięciowe średniej mooy, wielkiej częstotliwości . . 74

10.6. Tranzystory krzemowe przełąozające małej i średniej aooy . . . ... * 74

10.7. Tranzystory krzemowe średniej 1 dużej mocy, wielkiej częstotliwości . . . 75

11. Elementy mikrofalowe . . . ... . . . 75

11.1. Diody krzemowe pojemnościowe «• waraktóry . . . 75

11.2. Diody z arsenku galu pojemnościowe - waraktory . . . 76

11.3* Diody krzemowe ładunkowe . . . 76

11.4« Diody krzemowe lawinowe . . . 77

11.5. Diody krzemowe p-i-n . . . . . ... . . . 77

11.6. Diody Schottky'ego... 78

11.7. Dioda Gmina z arsenku g a l u ... 78

12. Elementy optoelektroniczne . . . ... 79

12.1. Diody elektroluminescencyjne ... . . . 79

12.2. Trasaoptor ... . . . ... . . . 79

12.3. Fotodioda krzemowa . . . 80

12.4. Fototranzystory krzemowe . . . ... . . . 80

13. Analogowe hybrydowe układy scalone ... . . . . 81

14. Cyfrowe monolityczne układy scalone . . . ... . . . 82

O d Redakcji

Elementy Półprzewodnikowe 1 Układy Scalone - Katalog Skrócony 1975 ukazuje się corocznie od 1972, zawiera wybrana parametry wyrobów pół­

przewodnikowych wytwarzanych w Naukowo-Produkcyjnym Centrum Półprze­

wodników UKITRA CEHI. Katalog obejmuje wyroby podbranży SWW - 1156 /UKD 621.382/« diody, tranzystory, elementy optoelektroniczne, tennl»- tory, hallotrony oraz monolityczne 1 hybrydowe układy scalona.

Katalog jest przeznaczony dla użytkowników wyrobów półprzewodniko­

wych, projektantów układów elektronicznych 1 konstruktorów sprzętu elektronicznego jako pomoc przy wyborze odpowiednich typów wyrobów.

Katalog zawiera wyroby przeznaczone do sprzętu powszechnego użytku 1 do sprzętu profesjonalnego oraz wyroby do zastosowań specjalnych.

Katalog składa się z alfabetycznego wykazu typów wyrobów, oznaczeń 1 nazw parametrów wyrobów, tablic parametrów oraz rysunków przedsta - wlających wygląd, wymiary 1 oznaczenia wyprowadzeń omawianych wyrobów.

Katalog nie podaje sposobu wykonania wyrobu, wytwórcy, odpowiedni­

ków zagranicznych, terminów dostaw wyrobów wprowadzanych do produkcji oraz cen. Natomiast szczegółowe informacje techniczne można uzyskać w odpowiednich komórkach organizacyjnych ONITRA CEMI a także znaleźć w normach przedmiotowych i wydawnictwach PIE-ZOOTE. Wykaz dotychczas wydanych publikacji znajduje się na trzeciej stronie okładki.

Będziemy wdzięczni Czytelnikom za nadsyłanie pod adresem wydawcy uwag 1 życzeń odnośnie formy 1 treści Katalogu, co umożliwia lepsze przygotowanie następnych jego wydań.

tr.

33 32 32 32 32 32

39 31 31 32 32 32 32 32 32 32 33 33 33 32 32 36 36 36 36 36 36 75 39 80 80 80 41 41 40 74 74 74 74 74 ALFABETYCZNY WYKAZ WYROBÓW

str.

20 BAP 811

str.

22 BC 147

str.

29 BFE 215

20 BAP 812 22 BC 148 29 BFP 519

20 BAP 814 22 BC 149 29 BFT 520

20 BAP 815 22 BC 157 29 BFP 619

20 BAP 816 22 BC 158 29 BFP 620

20 BAP 855 21 BC 159 29

BFP 621

34 BAVP 17 21 BC 177 29

34 BAVP 18 21 BC 178 29 BFYP 99

35 BAVP 19 21 BC 179 29 BF 167

35 BATP 20 21 BC 211 34 BF 173

35 BAVP 21 21 BC 237 30 BF 180

40 BAYP 43 21 BC 238 30 BF 181

37 BATP 44 21 BC 239 30 BF 181D

37 BA 152P 21 BC 313 34 BF 182

37 BA 182 21 BC 527 30 BF 183

37 BBP 602 27 BC 528 30 BF 194

37 BBP 624 27 BDAP 54 73 BF 195

66 BB 105A 26 BDAP 55 73 BF 196

78 BB 105AD 26 BDCP 20 73 BF 197

78 BB 105B 27 BDCP 25 73 BF 200

77 BB 105G 27 BDP 620 35 BF 214

77 BB 105GD 27 BDP 621 35 BF 215

77 BCAP 07 71 BDY 23 35 BF 257

77 BCAP 08 71 BDY 24 36 BF 258

78 BCAP 09 71 BDY 25 36 BF 259

78 BCAP 11 73 BD 135 34 BF 457

77 BCAP 13 73 BD 136 34 BF 458

77 BCAP 77 72 BD 137 34 BF 459

21 BCAP 78 72 BD 138 34 BLCP 22

21 BCAP 79 72 BD 139 34 BLYP 22

21 BCE 107 30 BD 140 34 BPDP 22

66 BCE 108 30 BD 254 35 BPDP 23

66 BCE 109 30 BD 255 35 BPDP 30

66 BCE 177 30 BFAP 15 72 BPYP 21

66 BCE 178 30 BFAP 57 74 BPYP 22

66 BCE 179 31 BFAP 58 74 BPYP 30

66 BCP 627 30 BFAP 59 74 BSBP 05

21 BCP 628 30 BFAP 80 72 BSBP 07

21 BC 107 29 BFAP 83 72 BSBP 19

21 BC 108 29 BFCP 99 75 BSBP 22

21 BC 109 29 BFE 214 33 BSDP 20

BSDP 59 str.

74 BTAP 80-600 str.

67 BZAP 20-0571

str.

68 BZAP 30-011

str.

68

BSWP 30 37 BTBP 10-50 67 BZAP 20-0576 68 BZAP 30-012 68

BSXE 92 39 BZBP 10-100 67 BZAP 20-C672 68 BZAP 30-013 68

BSXE 93 39 BZBP 10-200 67 BZAP 20-0678 68 BZAP 30-015 69

BSXE 94 39 BZBP 10-400 67 BZAP 20-0775 69 BZAP 30-016 69

BSZP 59 38 BZBP 10-600 67 BZAP 20-0872 69 BZAP 30-018 69

BSZP 60 38 BZBP 10-800 67 BZAP 20-0971 69 BZAP 30-020 69

BSZP 61 38 BZBP 10-1000 67 BZAP 20-010 69 BZAP 30-022 69

BSZP 65 38 BZP 401-50 18 BZAP 20-011 69 BZAP 30-024 69

BSZP 66 38 BZP 401-100 18 BZAP 20-012 69 BZAP 30-027 69

BSZP 67 38 BZP 401-200 18 BZAP 20-C13 69 BZAP 30-030 69

BSZP 87 38 BZP 401-400 18 BZAP 20-015 69 BZAP 30-C33 70

BSZP 92 38 BZP 401-600 18 BZAP 20-016 69 BZAP 30-Jrt 70

BSZP 93 38 BZP 401-800 18 BZAP 20-018 69 BZAP 30-JP373 70

BSZP 9* 38 BZP 401-1000 18 BZAP 20-020 69 BZAP 30-0379 70

BSZP 04 38 BZP 660-50H 18 BZAP 20-022 69 BZAP 30-0477 70

BSZP 05 38 BZP 660-10GR 18 BZAP 20-024 69 BZAP 30-0576 70

BSZP 06 38 BZP 660-300IR 18 BZAP 20-027 69 BZAP 30-0678 70

BSZP 07 38 BZP 660-5008 18 BZAP 20-01 70 BZAP 30-0872 70

BSXP 62 38 BZP 660-700R 18 BZAP 20-D379 70 BZAP 30-010 70

BSZP 63 38 BZP 680-50 18 BZAP 20-D477 70 BZAP 30-012 70

BUTP 52 36 BZP 680-50R 18 BZAP 20-0576 70 BZAP 30-015 70

BÜTP _Vf^l _V^N 36 BZP 680-100 18 BZAP 20-0678 70 BZAP 30-018 71

BUTP 5» 36 BZP 680-100R 18 BZAP 20-0872 70 BZAP 30-022 71

BZDP 75 BZP 680-300 18 BZAP 20-010 70 BZAP 30-027 71

BZDP ♦3 75 BZP 680-3008 18 BZAP 20-012 70 BZAP 30-030 71

BZDP 44 75 BZP 680-500 18 BZAP 20-015 70 BZAP 30-033 71

BZDP 45 75 BZP 680-500R 18 BZAP 20-018 70 BZP 611-0373 22

BZSP 46 76 BZP 680-600 18 BZAP 20-022 70 BZP 611-0376 22

BZDP 47 76 BZP 680-600R 18 BZAP 20-027 68 BZP 611-C379 22

BZSP 48 75 BZZP 80-50 19 BZAP 30-0373 68 BZP 611-0473 22

BZDP 51 75 BZZP 80-50R 19 BZAP 30-0376 68 BZP 611-0477 22

BZDP 64 77 BZZP 80-100 19 BZAP 30-0379 68 BZP 611-0571 22

BZDP 65 77 BZZP 80-100R 19 BZAP 30-0473 68 BZP 611-0576 22

BZEP 44 75 BZZP 80-300 19 BZAP 30-0477 68 BZP 611-0672 22

BZZP 14 27 BZZP 80-300R 19 BZAP 30-0571 68 BZP 611-0678 22

BXZP 43 27 BZZP 80-500 19 BZAP 30-0576 68 BZP 611-0775 22

BZZP 44 27 BZZP 80-500R 19 BZAP 30-0672 68 BZP 611-0872 22

BZZP 51 27 BZZP 80-600 19 BZAP 30-0678 68 BZP 611-0971 22

BZAP 80-50 67 BZZP 80-600R 19 BZAP 30-0775 68 BZP 611-010 22

BTiP 80-100 67 BZAP 20-C5V9 68 BZAP 30-0872 68 BZP 611-01 22

BZAP 80-300 67 BZAP 20-C4V3 68 BZAP 30-0971 68 BZP 611-0573 23 BIAP 80-500 67 BZAP 20-C4V7 68 BZAP 30-010 68 BZP 611-D379 23

- r .

57 58 56 56 57 57 65 65 65 45 45 45 45 45 45 45 45 41 42 41 41 41 42 41 42 41 41 41 42 42 42 42 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 28 str.

23 EZP 630-C11

sur.

23 CTR 300

str.

45 HLI 7011R

23 BZP 630-C12 23 CXDP 21 76 HLT 7021R

23 B2P 630-C13 23 CXDP 25 76 HLX 1400R

23 BZP 630-C15 23 CXDP 43 78 HLX 1402R

23 BZP 630-C16 23 DAC 8B 58 HLX 1403R

25 BZP 630-CI6 23 DAC 10B 58 HLX 1404R

25 BZP 630-C20 23 DG 51 20 HR! 0800R

25 BZP 630-C22 23 DO 52 20 HRT 1400R

25 BZP 630-C24 24 DKWP 40 44 HRT 8000R

25 BZP 630-C27 24 DKJfP 60 44 NTC 110

25 BZP 630-D1 24 DK 60 18 NTC 120

25 BZP 630-D4V7 24 DK 61 18 NTC 210

25 BZP 630-D5V6 24 DK 62 18 NTC 211

25 BZP 630-D6V8 24 DK 63 18 NTC 213

25 BZP 630—D8V2 24 DZG 1 17 NTC 220

25 BZP 630-010 24 DZ6 2 17 NTC 221

25 BZP 630-012 24 DZG 3 17 NTC 230

25 BZP 630-015 24 DZG 4 17 RPP 111

25 BZP 630-018 24 DZG 5 17 RPP 120

25 BZP 630-022 24 DZG 6 17 RPP 121

25 BZP 630-027 24 DZG 7 17 RPP 130

25 BZP 630-D30 24 FG 2 40 RPP 13 1

25 BZP 687-OV75 24 HCX 1042 65 RPP 135

25 BZTP 13C6T2 24 HCT 1101R 64 RPP 211

25 BZTP 13C6T8 24 HCT 1102R 64 RPP 220

25 BZTP 1306T2 24 HCT 1105R 64 RPP 221

25 CADP 52 78 HCT 1111R 64 RPP 23O

26 CQPP 18 79 HCT 1112R 64 RPP 231

26 CQDP 20 79 HCT 1113R 64 RPP 337

26 CQDP 21 79 HCT 1121R 64 RPP 550

26 CQDP 31 79 HCT 1131R 64 RPTP 62

26 CQ3P 15 43 HCT 1141R 64 RFYP 63

26 CQIP 1? 43 HCT 1142R 64 TG 2

26 CQJP 18 43 HCT 1143R 64 TG 3A

26 CQIP 19 43 HCT 1161R 64 TG 3?

26 CQÏP 21 43 HCT 1162R 64 TG 4

26 CQIP 31 43 HCT 1163R 64 TG 5

27 CQIP 51 43 HLA 53500R 81 TG 5E

23 CQIP 52 43 HLA 53501R 81 TG 8

23 CQ 11BP 44 HLA 6100 81 TG 50

23 CQ 11BPA 79 HLA 6200 81 TG 51

23 CTR 100 45 HLT 1052R 55 TG 52

23 CTR 201 45 HLI 7003R 56 TG 53

Str.

48 48 48 48 49 49 50 50 51 51 52 52 53 53 54 54 54 19 19

str. str. str.

28 OCT 74H00N 62 OCT 7460» 60 OL 1211N

82 OCT 74H50N 62 OCT 7472N 60 OL 1221»

82 OCT 74H53N 62 OCT 7473» 60 OL I23IN

82 OCT 74H72N 62 OCT 7474N 60 OL 1241»

82 OCT 74H74N 62 OCT 7475» 60 OL 1321»

82 OCT 7400» 59 OCT 7483» 61 OL 1401L

82 OCT 7401N 59 OCT 7486» 61 OL 1402L

82 OCX 7402» 59 OCT 7493» 61 OL I4O3L

82 OCT 7403N 59 OCT 74107» 61 OL 1405L

82 OCT 7404» 59 OCT 74121» 61 OL 1461L

82 OCT 7407» 59 OCT 7 4 1 5 1» 61 OL 1490»

83 OCT 741OR 59 OCT 74153» 61 OL I49IR

83 OCT 7420N 59 OCI 74157» 62 OL 1492R

83 OCT 7430» 59 OCT 74180» 62 OL 1493R

83 OCT 7440» 59 OL 1000L 46 OL I55OL

83 OCT 7442» 59 OL 1101» 46 OL 1601»

83 OCT 745ON 60 OL 1111» 47 OL 1611»

83 OCT 7451» 60 OL 1201» 47 4BTP 401-40

83 OCT 7453» 60 OL 1202L 47 4BTP 401-80

83 OCT 7454» 60

OZNACZENIA PARAMETRÓW

AGC - zakres automatycznej regulacji wzmocnienia Ad - wzmocnienie mocy

Au - wzmocnienie napięciowe

A Au - płynna regulacja wzmocnienia napięciowego Aup - różnicowe wzmocnienie napięcia

AuCM _ wzmocnienie sygnału wspólnego B - indukcja magnetyczna

BW - szerokość pasma przenoszenia Cg - pojemność złącza emiterowego Cę - pojemność złącza kolektorowego C.... CQ BO “ pojemność obudowy

C - pojemność między wejściem i wyjściem transoptora Cj - pojemność złącza

Cr - pojemność diody przy określonym napięciu wstecznym Cto^ - pojemność całkowita

C12es “ pojemność sprzężenia zwrotnego /wejście zwarte dla przebiegów zmiennych w układzie wspólnego emitera/

Cj2b - pojemność wyjściowa tranzystora w układzie wspólnej bazy - pojemność obciążenia

Ev - natężenie oświetlenia F - współczynnik szumów F g - powierzchnia czynna

f - częstotliwość

C - pojemność

- częstotliwość sygnału wejściowego tę - częstotliwość synchronizacji tr - częstotliwość odcięcia

- częstotliwość graniczna - przewodność przejściowa

h - współczynnik zawartości harmonicznych

hj-jj, - statyczna wartość współczynnika wzmocnienia prądowego w układzie wspólnego emitera h ^ g - statyczna wartość współczynnika wzmocnienia prądowego w układzie wspólnej bazy ho* - małosygnałowa wartość zwarciowego współczynnika przenoszenia prądowego w układzie

wspólnego emitera

A l - różnica wartości średnich prądu wyprostowanego dla pary diod

Ig - prąd bazy

Ic - prąd kolektora IęgO - prąd zerowy kolektora

*CC* zasilania

^CCH “ zasilania dla stanu wysokiego na wyjściu - prąd zasilania dla stanu niskiego na wyjściu

11

- spoczynkowy prąd zasilania

- prąd zasilania lampki sygnalizacyjnej - prąd zerowy emitera

- prąd drenu - prąd upływu drenu

- prąd emitera, prąd jasny fotorezystora - prąd przewodzenia

- szczytowy prąd przewodzenia

- niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia - prąd upływu bramki

- prąd wejściowy w stanie wysokim - prąd wejściowy w stanie niskla

- średni prąd wyprostowany, prąd wyjściowy - prąd odcięola

- prąd wyjśolowy w stanie wysoki»

- prąd włączania

- zwarciowy prąd wyjśolowy - transmltanoja prądowa - fotoprąd

- prąd wsteczny diody

- prąd wsteczny po przełączeniu impulsowym - prąd wejściowy hallotronu

- znamionowy prąd wejściowy hallotronu - prąd stabilizacji

- temperaturowy współczynnik strat teraiotor*

- całkowita szeregowa lndukcyjność zastępcza - moc równoważna szumowi

- moc

- obciążalność aocowa - moc tracona w kolektorze - moc tracona

- moc promieniowana - moc sygnału wejściowego - moc generowana

- niepowtarzalna wartość udarowa mocy - moc wyjściowa

- moc oałkowlta - dobroć

- rezystancja jasna fotorezy stora - rezystancja sprzężenia zwrotnego - rezystancja źródła /generatora/

- rezystancja termiczna

R*

Ry

*bb'CC rDS/ON/

S Ta T TKOz TS t tamb

^case

tOFF

*0N

bo ld teet up

OLH

*010,

*pHL

^ L H rr nBE U/BR/CB0 U/BR/CEO

^HEsat UBR/I-0/

°CB

0CE UISE UCES

- r e z y s t a n c j a w ejśc io w a - r e z y s t a n c j a o b c ią ż e n ia

- rezystancja ciemna fotorezystora, rezystancja wyjściowa - rezystancja znamionowa termistora

- rezystancja wejściowa hallotronu - rezystancja wyjściowa hallotronu

- stała czasowa sprzężenia zwrotnego przy wielkiej częstotliwości - rezystancja włączenia dren - źródło

- rezystancja szeregowa - rezystancja dynamiczna - czułość

- zakres temperatur pracy - s z e r o k o ś ć im p u lsu

- temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji - zakres temperatur przechowywania

- czas przejścia - temperatura otoczenia - temperatura obudowy - temperatura złącza - czas wyłączania - czas włączania - czas narastania - czas opadania

- temperatura źródła światła - czas przetrzymywania - czas ustalenia - czas trwania Impulsu

- czas narastania impulsu wyjściowego - czas opadania Impulsu wyjściowego

- czaa propagacji przy zmianie stanu sygnału wyjściowego z wysokiego na niski - czas propagacji przy zmianie stanu sygnału wyjściowego z niskiego na wysoki - czas ustalania charakterystyki wstecznej

- napięcie baza - emiter

- napięcie przebicia kolektor - baza - napięcie przebicia kolektor - emiter - napięcie nasycenia baza - emiter - napięcie przebicia wejście - wyjście - napięcie kolektor - baza

- napięcie zasilania

- napięcie kolektor - emiter - napięcie na wejściu pojedynczym

- napięcie stałe między kolektorem a emiterem przy zwartej bazie z emiterem

CEsat UDG UDS UDSS UEB

°F

^GS UGSS Uin

JI0

“gs/t o/

IL

OH UOL UOsat

°Oreg

URM URSM URWM

y, a Uyo UZ WPS ZI

rt

“ OT

“ 02 ZID

XF Au A.i

Y

- napięcie nasycenia kolektor - emiter - napięcie dren - bramka - napięcie dren - źródło

- napięcie dren - źródło przy zwartej bramce ze źródłem - napięcie między emiterem a bazą

- stałe napięcie przewodzenia - napięcie bramka - źródło

- napięcie bramka - źródło przy drenie zwartym ze źródłem - napięcie szumów na wejściu

- napięcie szumów na wyjściu

- wejściowe napięcie niezrównoważenia - napięcie progowe bramki

- napięcie wejściowe

- napięcie wejściowe w stanie niskim - napięcie wejściowe w stanie wysokim - napięcie wejściowe dla sygnałów zmiennych - amplituda napięcia wyjściowego

- napięcie wyjściowe

- napięcie wyjściowe w stanie wysokim - napięcie wyjściowe w stanie niskim - napięcie wyjściowe w stanie nasycenia - zakres napięć wyjściowych

- stałe napięcie wsteczne - szczytowe napięcie wsteczne

- niepowtarzalne szczytowe napięcie wsteczne - szczytowe wsteczne napięcie pracy

- zakres napięcia wysterowania

- napięcie wyjściowe hallotronu przy określonej wartości prądu wejściowego 1 magnetycznej

- napięcie wyjściowe hallotronu przy zerowej wartości Indukcji magnetycznej ciowym prądzie znamionowym

- napięcie stabilizacji - współczynnik fali stojącej - lmpedancja wejściowa

- rozbieżność wiązki promieniowej, współczynnik temperatury czułości - termiczny współczynnik regulacji

- temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji - wejściowa lmpedancja różnicowa

- lmpedancja charakterystyczna - lmpedancja wyjściowa

- lmpedancja wyjściowa na częstotliwości pośredniej

- temperaturowy współczynnik łapięcia wyjściowego hallotronu - szerokość widma promieniowania

- tłumienie

indukcji

1 wejś-

tłumienie w kierunku przewodzenia tłumienie w kierunku zaporowym długość fali promieniowania sprawność

czas zaniku prądu fotoelektrycznego stała czasowa cieplna termistora

oo LACVi

*0

_CO

■p

V

N

Pł R 8 R ^OO

C\J

oo

r A R

rc\

O

§

§

O -PP*

1

^lA_O^{m <A}_O^•» _O*^{I A l A}_O^{m rA}_O ^KN_O ^{K \}_O^•»

Z ł

*3

o i

* A

Z o

3

£

ł»

«, -

►

n

2 t !

D 0

(3

Ul

Z X 0

u w

“ E £ o

Ł K in i ,

I s Soi

25 sir n

Z N (A

g * S

0 I o 1 w a.

S S ui

95 < 0

1 5 ur

•i 1 N

0 S K

Ł J Ł

* ? «

g§s K IS

^“

1 0

> O

0

N

£ 1 o I

«•

(A 0

t ,

a 4 » s « fi c

0 «

* I

_{ł » §}

a

’ B o

■p

sa A0

•p

r?

a>

1

ro

p

O oIA CU

■s

_<o

•P

§

uba

U)

2

P«

&

-P a>

co

a

Pk«0 M

Pi

D *

z>

o

D *

5 W 51?

ii

Ś S

I O CO <D O - H -P C

co as CC $K

fr3

r A

« O

l A

«»

O

I A ( N

O N cT

I A O

R

I AOJ fA O

I A

•»

O

I A

O N O *

rA

cT

O O

OJ I A

l A CM

rA O

IA

•>

O

IA

On

O

rA O

R

3

I A C\J

K \ O *

I A O

l A D -

O N O

rA cT

O OOJ

it V D

COIA

KN

« O

IA

rA

cT r*

o

rA•>

O

lA

K\

O

rA•*

O

l AC'-

K\

a

oo

rA

IAON

I A OJ

RIA

lA OJ

O

§

00CVJ

lA OJ

6H r OJ fA lA (N

O O O O CJ O O

tsl CSJ Csl Csl N ISJ

Q o Q O « «

17

1/V/ układach prostowniczychśredniej mocy

1.2. Diodykrzemoweprostownicze

O - P0)

?>S P O<D O

-PŁfN J * C U COP II

CD

O 0 GJ

T>»-P - PP\

0) aco p CO

O O O O Q O O O O O O O O O O O Q O O O O

0 Q 0 0 t A 0 0 Q 0 Q 0 « A 0 0 Q 0 u\ O O Q O

rA uS i>- r* r (\l 5 «3 ® O v* fA iA CN v fA uS \D

t o o o o i a c t n i a i a i a i a i a o o o O o

íR R R ¡a R

V D l D l D V D v O V O V O V O V D

O O O c T v r ' ^ v v v ' r ' O O O O O lA lA lA lA IA

c \ | f y J C v j c \ i ^ - 5 r t - t “ r - r * r - 0 0 0 0 0 fA rA rA k\ k\

r - ^ - r - r - r - ^ r - r - r - r - r - r ^ - c - r - r - r * C" c- r* c“ t- ZD4

l A l A l A l A l A l A I A l A l A l A l A L A l A l A l A Ł A Q O O O Q O j O J C \ J O J t > - l > - 0 . 0 - C N C >- - £ N C \ » f V j C V J O J { \ l IA lA lA ¡A (A

OO

»A O J

II JO

§N

■HO

aco

&

0>

a oM

<0 3P<

UO

■p

©a C0

<P0

Ps

o o o o o o o o o o o o o o o o

O O O O r - r - r - ^ - r - T - r - r - T - r - t - t -

I A l A l A I A l A ł A ( A

I I I | C \ J < \ J < \ | C \ J C \ J C \ ] C \ J | | | | ! R R R R R

Pm VD VD V£> V0 R R R R R R R ^{l A IA «A IA IA O} VD ^OVD

8

^oVD O VD

VD VD VD VO

O O o cT

VO U) VD VD VS

O O O c O IA IA lA IA

o* I I I I

8

^O

i §

^OOo

O O O O Q O O O

O Q O O Í A O O Q

f A l A O- v r OJ i ° o 8

I A Cr\ R 8 ^oo

fA

8

ID

CO •

& CQ 5 ?»

T j P

a s s

■3- 4- 4- O ' O ' C r a ' C T ' ^ O N l A r A r A l O K N

c \ j c \ j c \ j c \ j r - ^ v r - < ę - r - i r c v j c \ i c \ j c v j c \ j

“1--- o CO Q)

O *H

■P CS_{03 O} CO £ C<3

f\l ( 5 ( i ( Í C\J OJ

P«

i R

i o r * CVJ fA

KD VD VO

« « W M

M Q

OO Oo oo 8 Q o 8 7 ^t\J t ^V0 r- r* t” r- r* r*

O 3 o

i * § 9 3

£ « &m Pi« m& PQ

Ri o

Pi « « os

8 oo ^OR ^Oo

o1

f A LV

o O o

VD vo VO VI)

V0 VD vo VD

£PQ PQ § PQ

os pj « o:

go 88 88 88 88

» 0 * 0 r r l A r Ą i f \ i Ą

I I I I I

1.2. Diodykrzemoweprostownicze

hPi O

i?00 K i4 ) 0 -P l A X CM

S u Ato p

0 a

«0

■p

§<0 1 u p«

P m

sf

OO

»ACM

liCO -P

flN O d CO

CNO d Pl

5

p6 8o

<0 U

to Pi

a

M *

a c?5

a

<0 • 9t W Q ?>

co o>

O- H QB CO

&3« »

R 8

R R R R R

I A I A VA I A I A

K\ K\ K\ K\ KN r r r r r

R R R R R

o O o o o

R R R R R

S

^{O VD O VO O VD QVD}

l A I A I A I A I A

S

^O _M) ^O _O ^O _O ^O_O

r- uS a) o

* I I 8 i

V0 10 V0 VD Vf>

r r r r r

K\ fOy K\ K\ *\

I r

U c c OO o o

& I r

8 S ₃ C O ₀₀

P S fc 88

«« i II P P P Qi «C P

^3«

iO

0)N CO

8Pi

•H© a>O Hu

&

»

&

0

SO

X}o

&

• H _*'"3

g_a

•o a>

4) *-ł

•3 2 s p

.d U N O NO

1 I O o

-p -p CO co

2 2

p , • Pl

A M ,d 0 4> <3

® h o

*0 *a *0

<0 P <0

rM iM

3 8 , 3

» § E=

«)•

§ 1

«

<d*

do

N

rM_•ds*

O O P * *

-po Mco

0 0

I

_4>

N O

s M O

&

«

&

■p

O

.oa)

f

?»

d -pi

coo u

P «

»d

iMco

3

Bs

a

N

••

o

a 0

L

N TJ

a

■»

x

3

9 N 0 c

* mo (0 o L a 32«*

w o

Z

\

o

oIA OJ

N

Pi

PS g §

a

co V .p

O

d

N

O

P?»

(0r>>

«

p

<0 u

<a.

U

N

P l

P

O

_ii

co

O

iJ_tA

CM

*3co P

•S

v>

s

O lo

^i*a

0 o

1 8

CM f

0 0 00

O O

Ico

CO3

P i

XfO

p

§

o _{9 S}

<0

P i

O •* CO

%oa 55 V0

CM

oi

CO CD

p d 0«H

co as

co *

*Q

3

§ i

ca m

19

x/Przyobciążeniu rezystancyjnym.1/Zasilacze sieciowe

1.4. Diodygermanów* uniwersalne

0 i * i a01

u a© s-p

§« o? ł -p©

&

•p© M U© M0

&

4»

1 8© P4

to U

Pi^{O i} 1 VD 1 1 1

r*

>W

<J t H© a

•

CM 1 O 1 1 1

T*

N PPi*4 N

i i

c s

• * 1 - 1 ^ 1

O O IA

r* r* k\

C 5

a 65 65 50

&

PiU = * _> i 100 10 30 50 10 20

1 Xo

a 0,25 0,2 0,1 0,3 0,15 0,3

T>>

NU

Pi M 1 i 10 10 101 10 10 10

>

X© a

CM O OJ IA IA CM

•* •> o* •» e «*

CM x- cm r* r- cm

sN TiO d©

&

rHŁTN s £

© C\|

NO II N© £ i 2 0 Pi © O -P

^ *S

&

-P©

©a Pi©

i-»

*P O

O H

§ 75 75 75 75 75 75

Ms _t

©X

a 8 R ¡R R R R

Mf * 1 X

a 25 16 16 16 16 16

>

X©

a o R S \ Ja £ \ £\

V“

>

X

§

ou

ou

Si

01

ou

OL

Obu­ dowa nrrys,

D- IN IN C^ C^- r v t - r* r* *“

Zasto­ sowa­ nie ...

> S r > > ^ a

1

--

'• -

-- --

O CM K\ IA V CM OJ IA IA lf\ V£> VD r r r r r r

ea 2j e? a ea es

<• «j; «jj

*>

MO

-P©

*§

f

^«

g §

?5 cT r-

ll V»

P»N P.

*>

i a

i%

-p X

§ o j

•H0 *H

1»

?3

•o CM§ x o rł ,M O

© *H -P 'd

i B

•s

»»

§

§

e

■

Pt Pi

O O

<■ R It II

O L>

c:

o *

R R

© II

HQ «

N O O

I A OJ II

1©

4»

*N

Hs

0 J ?©

&

©

f i

©2 1 O

&

4»©

a© u© P i

ł>>

fSJ U

P i > 1 > >

I A I A K \ K \

>&

-1 t

M©

a S\ R

r - r -

P *N U P i

04 f> ⁱ 10 10

t M©

a ^IAT”

r s

sP i 1 i I A I A

tCr, D >

min - max

r r*

I I

■St # O O *

Ni

■HO

s

&

© ON 3 8 .

© O J M 8 "

© «O a i O 4*

•C iN .

+>i ?

©a

©

© p«

TO 4> o°

H©

a 75 75

►e

4 1

X

§ r* r-^{R R}

ł f 1 ^sa ³

5 35

> X

©a

I A I A K \ fA

> ^X© a

I A I A K> KN

Obudowa nrrys.

IN CS r r

Zastoso­ wanie N ^\ _{r r}

V CM

łA IA

O e

n

■sjPrzyUjjjj = 35V j 1^= 30mApo3,5Ais 1/Układyprzełączająceśredniej szybkości