• Nie Znaleziono Wyników

Elementy półprzewodnikowe; Katalog 44-R; Tranzystory krzemowe - Digital Library of the Silesian University of Technology

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "Elementy półprzewodnikowe; Katalog 44-R; Tranzystory krzemowe - Digital Library of the Silesian University of Technology"

Copied!
56
0
0

Pełen tekst

(1)

4. TRANZYSTORY KRZEMOWE

(2)
(3)

C i ę ż a r o k o ło 1,2 G

BF504

n-p-n

T ran zystor

T ran z y sto r krzem ow y BF504, w obudow ie m etalow ej T O -5, k o n stru k cji m esa, średniej m ocy, wielkiej częstotliw ości je s t w yk o n an y technologią dyfuzyjną. B aza tran z y sto ra je s t p o łączo n a elek­

trycznie z o b u d o w ą.

T ran z y sto r B F 504 je s t przeznaczony do stosow ania w u k ład ach au to m a ty k i, w zm acniaczach w.cz. i oscy lato rach .

T yp w ycofany — d an e d la celów serw isow ych

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-em iter Uc e o 15 V

N apięcie k o lek to r-b az a Uc b o 15 V

N apięcie em iter-b aza Ue b o 4 V

P rąd k o lek to ra Ic 50 m A

P rą d bazy Ib 5 m A

T em p era tu ra złącza <J 150 °C

T em p era tu ra sk ład o w an ia - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o le k to ra = 25°C) P c 300 raW

O porności term iczne złącze k o lek to ra-p o w ietrze złącze k o lek to ra-o b u d o w a

R t h U - a >

R t h ( J - c )

< 4 2 0

< 150

d e g /W deg /W

P a ra m e try statyczne b = 25°C)

Ic U C E Ib li 2 1E I U B E U c E s a t

m A V m A — V V

10 6 0,33 « 1) 30 10)* I 0,8

__

10 — 1 10 I — 0,4 « 0,8)

* Tranzystory BF504 m ogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na wartość /¡21K według kodu:

grupa /j2i£ 10...30 25...35 30...70 60...90 70...130 110...170

kolor kropki czarny niebieski szary żółty brązowy zielony

cyfra i II m a III IV V

209

(4)

n-p-n

P rą d w steczny k o lek to r-b aza

p rzy Ucbo = 6 V Icbo 0 , 0 1 « 0,5) S*A

P rą d w steczny k o lek to r-b aza

przy Ucbo = 6 V (/«„* = 150°C) Icbo 1 0 « 200) [aA

N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-b az a

przy Icbo = 10 (i.A U (BRJCBO 30 0 15) V

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em iter

przy Iceo = 10 m A U(BR)CEO 45 O 15) V

N ap ięcie p rzebicia em iter-baza

przy I EBO = 10 (aA U (BR1EBO 1 5 ( > 4 ) V

P a ra m e try dynam iczne (tamb — 25°C) C zęstotliw ość przenoszenia

przy UCE = 6 V, / c = 10 m A ,

/ „ = 20 M H z / r 85 O 50) M l-

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia prąd o w eg o

przy Uce = 6 V, / c = 5 m A ,

h = 1 k H z h llE 3 0 ( > 10)

P o jem n o ść k o lek to ra przy UCB = 6 V, / c = 0,

/ p = 5 M H z Cc 1 5 « 25) p F

S tała czasu sprzężenia zw rotnego przy Ucb = 6 V, / c = 10 m A ,

/ r = 5 M H z rbb ■ C c 1 , 5 « 2,7) ns

210

(5)

BF504

n-p-n

T ran zystor

C h a rak tery s ty k a wyjściowa I c = f ( Uce) \ Ib = p a ram etr

( U k ła d w sp ó ln eg o em ite ra)

P rą d k o lek to ra Jc = f ( U BE) ‘,

>amb — p a ra m e tr (U kład wspólnego emitera)

C h a rak tery sty k a w yjściow a I c = f ( U CE)', Ib — p a ra m e tr

(U kład wspólnego em itera) 21 1

W sp ó łczy n n ik w zm ocnienia p rą d o w eg o h 21E = / ( / c ) ;

tamb = p a ra m e tr

(6)

n - p - n

I I I

*am± 'L

■K -3T R e■N >-o II

,

J

t

I

I I I 0 0,2 0,4 Ofi ua c [v ] 1

P r ą d k o le k to ra I c = I B = p a ra m e tr (U kład wspólnego em itera)

C zęstotliw ość p rzen o szen ia f r = A / c ) ; U CE = p a r a m e tr ;

/„ = 20 M H z

CcBO = f(JJcBO) P o jem n o ść em iter-b aza

Ce b o — f ( Ue b o)

Z ależn o ść tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego Icb o — f(Jamb) j — w artość graniczna, 2 — wartość

średnia

(7)

BF504

n-p-n

T ran zystor

Z ależność te m p e ra tu ro w a m ocy s tra t Pc = f ( t ) ; R ,h = p a ram etr

R ezy stan cja wejściow a W spółczynnik sprzężenia z w ro t­

k i i c = / ( / c ) ; U cz = p a ra m e tr; nego h i 2 e — f U c ) \ Uc e = P a ra ­

j ą 1000 H z m e tr; / = 1000 H z 213

(8)

n-p-n

Z w arciow y w spółczynnik w zm ocnienia p rąd o w eg o h2ii = / ( / c ) ; Ucf. = p a ra m e tr:

/ = 1000 H z

A d m ita n c ja w yjściow a liiie = f d c ) \ Uck = p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

214

(9)

BF505

n-p-n

T ran zystor

C i ę ż a r o k o ło 1,2 G

T ran z y sto r krzem ow y BF505 w obudow ie m etalow ej T O -5, kon stru k cji m esa, średniej m ocy, wielkiej częstotliw ości je s t w ykonany technologią dyfuzyjną. B aza tran z y sto ra jest p o łączo n a elek­

trycznie z ob u d o w ą.

T ran z y sto r B F505 je s t przeznaczony d o stosow ania w układach au to m aty k i, w zm acniaczach w.cz. i oscy lato rach .

Typ w ycofany — d an e dla celów serwisow ych

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-em iter Uceo 30 V

N apięcie k o lek to r-b aza Ucho 30 V

N apięcie em iter-baza Ulbo 4 V

P rąd k o lek to ra Ic 50 m A

P rąd bazy Ib 5 m A

T em p era tu ra złącza <J 150 °C

T em p era tu ra sk ład o w an ia tslg - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o lek to ra (tamb — 25’C) Pc 300 m W

O porności term iczne

— złącze ko lek to ra-p o w ietrze

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a P a ra m e try statyczne (tamb = 25°C)

R t h ( J - a )

Rthfl-c)

< 4 2 0

< 150

deg /W I dcg /W

Ic U CE Ib llHE U BE UCEsat

m A V m A V V

10 6 0,33 « 1) 30 10)* 0,8

10 — 1 10 — 0,4 K 0,8)

• Tranzystory BF505 m ogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na wartość h2\E według kodu:

grupa h2\E 10...30 25...35 30...70 60...90 70...130 | 110...170

kolor kropki czarny i niebieski szary żółty brązowy zielony

cyfra 1 II Ilia III IV | V

215

(10)

n-p-n

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rzy Uc b o = 6 V

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rz y Uc b o = 6 V ( t a m b = 150°C) N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-b az a przy Icbo = 10 ¡xA

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em iter przy Iceo = 10 m A

N ap ięcie p rzebicia em iter-b aza przy I EBO = 10 u A

P a ra m e try dynam iczne (tamb — 25°C) C zęstotliw ość p rzenoszenia

przy Uce = 6 V, I c = 10 m A , f p = 20 M H z

W spó łczy n n ik zw arciow y w zm o cn ien ia p rąd o w eg o p rzy UCE = 6 V, I c — 5 m A ,

/„ - 1 k H z P o jem n o ść k o le k to ra p rz y UCB — 6 V, I c = 0,

/ „ = 5 M H z

S tała czasu sprzężenia zw rotnego p rzy Ł/cb = 6 V, / c = 10 m A ,

/ „ = 5 M H z

Icbo 0,01 « 0,5) (¿A

Icbo 1 0 « 200) ¡¿A

U(BR)CBO 45 O 30) V

U (b r>ceo 55 O 30) V

U(DR)EBO 1 5 ( > 4) V

f r 95 O 50) M H z

h ztc 30 0 10) —

Cc 15 « 2 5 ) p F

l'bb ‘ Cc 1,0 « 2 , 7 ) ns

216

(11)

BF505

n-p-n

T ran zystor

C h a rak tery s ty k a wyjściowa / c = / ( Ł rc t) ; Ib = p aram etr

( U k ła d w sp ó ln eg o em ite ra)

P rą d k o lek to ra I c = /(U b e );

tamb = p a ra m e tr (U kład wspólnego emitera)

C h a rak tery s ty k a w> r. i I c == f(U Ce) » == pi r«J !l

(U kład w spólnego em iter*' W spółczynnik w zm ocnienia

p rąd o w eg o h 2lE = / ( / c);

= p a ra m e tr

(12)

n-p-n

1 ,

1 mb'=25 7 ^ -2? "I -

... .

/ / / t l i

0 0.2 0,4 a s U tc[v ] 1

P rą d k o le k to ra I c = I B = p a ra m e tr (U kład wspólnego em itera)

C zęsto tliw o ść p rzenoszenia h = / ( / c ) ; Uce = p a ra m e tr;

f v = 20 M H z

40

[PF]

35

30 25

20

15

10

5

0

P o jem n o ść k o lek to r-b az a Cc b o — f ( U c B o ) P o jem n o ść e m iter-b aza

Cebo = f ( U EBo) 1000

kio (mĄ

100

10

1

0,1

0 30 60 30 tamb[°C] 150 Z ależn o ść te m p e ra tu ro w a p rą d u

w stecznego I CBO = fthm b) 1 — wartość graniczna, 2 — w artość

średnia

5 10 1SHm UuoHf] 25

(13)

BF505

n-p-n

T ran zystor

\ 1

\\

'"(i

X V

\ V

\

1,0-

\

•< \

N

\ \

s .S \ V

0 3 0 6 0 9 0 t[°C ] ISO

A Z ależność tem p e ra tu ro w a m ocy s tra t Pc = / ( i ) ; Rth = p a ra m e tr

3.2

(io-<)

"izt 2,8

2,4

2,0

1,6

1.2

0,8

0,1

i i i

tamb “ 25 °C

*

Hafj£V_li

V_

= 1000 H z

8 lc faA]

W spółczynnik sprzężenia z w ro t­

nego / i 2 i e = / ( / c ) ; U C E — p a ­

ra m e tr; / = 1000 H z 21«

(14)

n-p-n

Z w arcio w y w spółczynnik w zm ocnienia p rą d o w eg o h iic = / ( / c ) ; Uce. = p a ra m e tr;

f = 1000 H z

A d m ita n c ja w yjściow a l'2 2t = f( J c ) \ Uce = p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

220

(15)

BF506

n-p-n

T ranzystor

C i ę ż a r o k o ło 0,5 G

T ran z y sto r krzem ow y BF506 w obudow ie m etalow ej T O -5, k o nstrukcji m esa, średniej m ocy, wielkiej częstotliw ości je s t w ykonany technologią dyfuzyjną. B aza tran z y sto ra je s t p o łączo n a elek­

trycznie z o b u d o w ą.

T ran z y sto r B F506 je s t p rzeznaczony d o stosow ania w u k ład ach au to m a ty k i, w zm acniaczach w.cz. i oscylatorach.

T yp w ycofany — d an e d la celów serw isow ych

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-em iter Uceo 45 V

N apięcie k o lek to r-b az a Ucbo 45 V

N apięcie em iter-b aza Uebo 4 V

P rąd k o lek to ra I c 50 m A

P rąd bazy Ib 5 m A

T em p eratu ra złącza tj 150 °C

T em p eratu ra sk ła d o w a n ia ¡stg - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o le k to ra = 25°C) Pc 300 m \V

O porności term iczne złącze k o lek to ra-p o w ietrze złącze k o lek to ra-o b u d o w a

Pth(J-o) Rthu-c)

< 4 2 0

< 150

deg /W d eg/W

P a ra m e try sta ty c zn e (tal„b — 25°C)

I c Uc i: Ib h u E U b e UCEs a l

m A V | m A — V V

10 6 | 0,33 « 1) 30 O 10)* 0,8

i

j

10 - 1 1 10 — i 0,4 « 0,8)

* Tranzystory BF506 mogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na w artość /i2i £ według kodu:

grupa H2ie 10...30 25...35 30...70 60...90 70...130 110...170

kolor kropki czarny niebieski szary żółty brązowy zielony

cyfra 1 II Ilia III IV V

221

(16)

n - p - n

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rzy Uc b o = 6 V

P rą d w steczny k o lek to r-b aza przy Uc b o = 6 V ( t a m b = 150°C) N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-b aza przy / CBO = 10 ¡xA

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em iter przy Iceo = 10 m A

N apięcie p rzebicia cm iter-baza przy / « o = 1 0 jj-A

P a ra m e try dynam iczne (r„mb — 25°C) C zęstotliw ość p rzenoszenia

przy Uce = 6 V , / C = 10 m A , f„ = 20 M H z

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia prąd o w eg o przy Uce = 6 V, I c = 5 m A .

f p = 1 k H z P o jem n o ść k o lek to ra przy UCB = 6 V, I c - 0,

/„ = 5 M H z

S tała czasu sprzężenia zw rotnego przy UCB = 6 V, I c — 10 m A ,

I C B O

1 C B O

U ( B R ) C B O

U ( B R ) C E O

U ( B R ) E B O

f r

h u c

Cc

(17)

BF506

n-p-n

T ran zystor

W spółczynnik w zm ocnienia p rą ­ dow ego h 2 iE = f U c ) \

t„mb = p a ram etr

C h a ra k te ry s ty k a wyjściowa l c = f ( U CE); Ib = p a ram etr

( U k ła d w sp ó ln eg o em itera)

C h a rak tery sty k a w yjściow a Ic = R Uce)\ Ib = p a ra m e tr

(U kład wspólnego em itera) 40 Ic [mA]

P rą d k o lek to ra / c = / ( £ / b E);

tamb = p a ram etr (U kład wspólnego emitera)

223

(18)

n-p-

224

40 k [mA]

30

20

W

0

P rą d k o le k to ra I c — / { Ube)', Ib — p a ra m e tr

(U kład wspólnego em itera)

C zęstotliw ość p rzen o szen ia;

f r — fU c ) ; UCE = p a ra m e tr /„ = 20 M H z

P o je m n o ść k o lek to r-b az a CcBO — f(JU cno) P o jem n o ść e m iter-b aza

Ce b o — / ( Ue b o)

Z ależność tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego I CBo

1 — wartość graniczna, 2 — wartość średnia

(19)

BF506

n-p-n

T ran zystor

800 Pc m700

600

500

400

300

200

100

0

\

\\

\\fihtj-c}

\\

\

\\ s,

\

s

\

fyhlj-al \

s

s

\ \

N V\

Z ależność tem p e ra tu ro w a m ocy stra t P c = / ( 0 ; Rth = p a ram etr

R ezy stan cja wejściow a h i i ' = f ( U c); UCe = p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

W spółczynnik sprzężenia z w ro t­

nego h l2c = / ( / c ) ; t / ci; = p a ra ­

m e tr; / = 1000 H z 22

5

(20)

n-p-n

Z w arciow y w spółczynnik w zm ocnienia p rąd o w eg o / h u = f V c ) ; UCE — p a ra m e tr;

= 1000 H z

A d m itan cja w yjściow a l'2 2c = f ( I c ) ; - U c e = p a ra m e tr;

f = 1000 H z

226

(21)

BF510

n-p-n

T ran zystor

T ran z y sto r krzem ow y B F510 w o budow ie m etalow ej TO -18, m alej m ocy, wielkiej częstotliw ości jest w yk o n an y tech n o lo g ią e p itak sjaln o -p lan arn ą. B aza tran zy sto ra jest p o łączo n a elektrycznie z obudow ą.

T ran z y sto r B F510 jes t przeznaczony d o stosow ania w układ ach a u to m a ty k i, w zm acniaczach w.cz. i oscylatorach.

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N ap ięcie k o lek to r-em iter U CEO 30 V

N ap ięcie k o lek to r-b aza Ucbo 30 V

N apięcie em iter-baza Uebo 5 V

P rą d k o lek to ra Ic 50 mA

Szczytow y p rą d k o lek to ra ICU 100 m A

P rą d bazy IB 3 m A

Szczytow y p rą d bazy IIIM 5 m A

T em p era tu ra złącza tj 150 °C

T em p e ra tu ra sk ład o w an ia tstg - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o lek to ra (tamb = 25°C) Pc 150 m W

O porności term iczne

— złącze k o lek to ra-p o w ietrze Prh(J-c) < 830 deg/W

— złącze k o łek to ra-o b u d o w a Rth(J-c) < 300 dcg/W

P a ra m e try statyczne (,cmb = 25°C)

I c | UCE IB I'2iE U b e UcEsat

m A | V m A

---

V V

10 : 6 < 0 , 5 20* < 0 , 8

__

10 — 1 10 — 1

* Tranzystory B F5I0 m ogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na wartość Ii2ie według kodu:

grupa h 2 \ E 20...70 60... 90 70... 130 110...170 150...220 200

kolor kropki szary żółty brązowy zielony czerwony biały

cyfra II III IV v VI VII

P rąd w steczny k o lek to r-b aza przy Uc b o = 6 V

Prąd w steczny k o lek to r-b aza przy Uc b o = 6 V, t a m b - 150 C

Ic b o

I cao

; o , o i ( < o , 5 ) ¡aA

¡ 1 « 100) tiA

227

(22)

228

n-p-n

N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-b az a p rzy Icbo = 10 S*A

N ap ięcie p rzeb icia k o iek to r-em iter przy I CEO = 10 m A

N a p ięcie p rzebicia em iter-b aza p rzy Iebo = 10 ¡¿A

P a ra m e try dynam iczne (tamb = 25°C) C zęstotliw ość p rzen o szen ia

p rz y Ucr, = 6 V, I c = 2 m A , f„ = 20 M H z

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia p rąd o w eg o

przy Uce = 6 V , / c = 2 m A , f t = 1 k H z

P o jem n o ść k o lek to ra p rzy U CB '*= 6 V , I c — 0,

/ „ = 5 M H z

S tała czasu sprzężenia zw rotnego przy UCB = 6 V, / c = 2 m A ,

/ „ = 5 M H z

/bi — 2 /b2 — 2 m A C zas o p ó źn ien ia C zas n a ra sta n ia C zas p rzeciągania C zas o p a d an ia

U ( B R ) C B O > 3 0 V

U ( B R ) C E O > 3 0 V

U ( B R ) E B O > 5 V

f r > 80 M H z

llllc > 10 —

C c < 5 p F

>'bb ‘ C c < 1 ns

na ry su n k u poniżej) przy l c = 10 m A ,

U 30 ns

t r 70 ns

t, 750 ns

250 ns

Generator imp.prosf.

Tj * 5fis tr < 2ns t f <10 ns

Oscyloskop Cnej i 50p f Rwej > i m tr * 10 ns

S ch em at u k ład u po m iaro w eg o p a ra m e tró w przełą­

czan ia

(23)

BF510

n-p-n

T ran zysto

C h a rak tery sty k a w yjściow a Jc — f ( Uce)> Ib = p a ram etr

(U kład wspólnego emitera)

C h a ra k te ry s ty k a w yjściow a I c ~ Ib ~ p a ra m e tr

( U k ia d w sp ó ln eg o em ite ra)

W spółczynnik szum ów F = = p a ra m e tr

(24)

n - p - n

230

Z ależn o ść tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego I CBo = /('-m e) 1 — w artość graniczna, 2 — wartość

średnia

Z ależn o ść te m p e ra tu ro w a m ocy s tra t P c = / ( i ) ; R ,h — p a ra m e tr

(25)

I

■&

24tl 5,3 - 0,4

BF511

n-p-n

T ran zy stor

C i ę ż a r o k o ło 0,8 G

T ran z y sto r krzem ow y BF511 w obudow ie m etalow ej TO-18, m alej m ocy, wielkiej częstotliw ości jest w ykonany tech n o lo g ią ep itak sjain o -p lan arn ą. B aza tran zy sto ra je s t p o łączo n a elektrycznie z o budow ą.

T ran z y sto r BF511 jest przeznaczony do stosow ania w układach a u to m aty k i, w zm acniaczach w.cz. i oscy lato rach .

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-em iter U C E O 50 V

N apięcie k o lek to r-b aza Uc b o 50 V

N apięcie cm iter-b aza Ue b o 5 V

P rąd k o lek to ra lc 50 m A

Szczytowy p rą d k o lek to ra Ic m 100 m A

P rąd bazy Ib 3 m A

Szczytowy p rą d bazy I h m 5 m A

T em p era tu ra złącza 150 °C

T em p era tu ra sk ład o w an ia *Stg - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o lek to ra (tamb = 25°C) Pc 150 m W

O porności term iczne

— złącze ko lek to ra-p o w ietrze P t h ( J - a ) < 8 3 0 deg/>

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a Plh(j-c) < 3 0 0 d e g /\

P a ra m e try statyczne = 25°C)

Ic U CE Ib h u t Ube UcEsat

m A V m A V V

10 6 < 0,5 > 2 0 * I < 0,8

. .

10 — 1 10 1 - < 1

* Tranzystory B F511 m ogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na wartość h u E według kodu:

grupa h 2 ]E 20...70 I 60...90 70... 130 110...170 | 150...220 200

kolor kropki szary żółty brązowy zielony czerwony biały

cyfra III IV V VI VII

Prąd w steczny k o lek to r-b az a przy Uc b o = 6 V

P rąd w steczny k o lek to r-b az a przy Uc b o = 6 V, tamb = 150°C

0,01 « 0,5)

1 « 100)

¡xA

¡¿A

231

(26)

232

n-p-n

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-b az a

p rzy Ic b o = 10 [xA U(BR)C BO > 50 V

N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-em iter

p rzy Ic e o = 10 m A U (BR)CEO > 5 0 V

N apięcie p rzeb icia em iter-b aza

p rzy Ie b o 10 [iA U (BR)EBO > 5 V

P a ra m e try dynam iczne (t amb — 25°C) C zęstotliw ość p rzen o szen ia

p rzy U CE — 6 V, l c = 2 m A ,

/„ = 20 M H z f r > 80 M H z

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia p rąd o w eg o p rzy U CE = 6 V, I c = 2 m A ,

/„ = 1 k H z h l l e > 10

P o jem n o ść k o lek to ra przy Uc b = 6 V , / C = 0,

/„ = 5 M H z C c < 5 p F

S ta ła czasu sprzężenia zw rotnego p rz y Uc b = 6 V, I c ~ 2 m A ,

f „ = 5 M H z >‘bb ’ C c < 1 ns

P aram etry' p rzełączania (u k ład p o m iaro w y ja k n a ry su n k u poniżej) p rzy Ib i = 2 I B2 = 2 m A

I c = 10 m A

C zas op ó źn ien ia

t

30 70 750 250

ns ns ns ns C zas p rzeciągania

C zas o p a d a n ia

l r t , t f

Generator imp.prost Ti >5ps 600 tr <2ns

< lOns

Oscyloskop i 50pF fr =~ !Ons

S ch em at u k ła d u p o m iaro w eg o p a ra m e tró w p rzełączan ia

(27)

BF511 T ran zystor

n-p-n

C h a rak tery sty k a wejściow a I c = / ( C / c e ) ; Ib= p a ram etr

(U kład wspólnego em itera)

C h a ra k te ry s ty k a w yjściow a I c = R UceY, Ib = p a ra m e tr

( U k ła d w sp ó ln eg o em ite ra)

W spółczynnik szum ów F = f W ' , h = p a ra m e tr

233

(28)

n-p-n

234

Z ależn o ść tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego I CBo = /(>„„») 1 — w artość graniczna, 2 — w artość

średnia

Z ależn o ść te m p e ra tu ro w a m o cy s tra t P c = / ( i ) ; Kth — p a ra m e tr

(29)

T ran z y sto r krzem ow y B F519 w obudow ie m etalow ej TO -18, średniej m ocy, wielkiej częstotli­

wości jest w yk o n an y technologią epitak sjaln o -p lan arn ą. K o lek to r tran zy sto ra jest p o łączo n y elek­

trycznie z ob u d o w ą.

T ran z y sto r B F519 jes t przeznaczony d o zastosow ań uniw ersalnych (w u kładach a u to m a ty k i, układach przełączających średniej szybkości o raz ap aratu rze radiow o-odbiorczej).

D ane tym czasow e — now y typ

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-b aza Uc b o 70 V

N apięcie k o lek to r-em iter Uc e o 50 V

N apięcie em iter-b aza Ue b o 5 :

v

P rąd k o lek to ra Ic 50 | raA

Szczytowy p rą d k o lek to ra I

CM

200 i m A

P rąd bazy Ib 5 m A

T em p eratu ra złącza >J 150

°c

T em p eratu ra sk ład o w an ia - 5 5 . . . + 150

°c

M oc s tra t k o lek to ra = 25°C) Pc 300 m W

O porności term iczne

— złącze kolek to ra-p o w ietrze Rlh(J-a) < 4 0 0 j d eg /W

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a

P a ra m e try statyczne (t„„b == 25°C)

Rth(J-c) | < 2 0 0 ¡ d eg /W

I c U CE Ib h l l E Ubesüi U CF.sat

m A V m A

__

V V

10

...

6 < 0 , 5 > 2 0 * i

----

20 ____ 2 10 < 1 ¡ < 0 , 5

* Tranzystory BF519 mogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kropką kolorow ą ze względu na wartość h2,e według kodu:

grupa h2\e 20...35 30...90 70...170 > 150

kolor kropki niebieski żółty zielony czerwony

cyfra II III V VI

(30)

n - p - n

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rzy U Cb o = 6 V

P rą d w steczny k o lek to r-b aza przy Ucbo = 6 V (/„„* = 150°C) N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-b aza przy Ic b o = 10 [¿A

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em itcr p rzy Iceo = 10 niA *

N ap ięcie p rzebicia em iter-b aza p rzy I EBO = 10 (iA

* Pom iar m etodą impulsową r t < 0,5 ms, 7 =*

P a ra m e try dynam iczne (tamb — 25°C) C zęstotliw ość p rzenoszenia

p rzy I c = 5 m A , UCE — 10 V, f p = 100 M H z

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia p rąd o w eg o przy Ic = 1 m A , £/Ce = 6 V P o jem n o ść k o lek to ra p rzy Uc b o = 10 V, I c = 0,

f„ = 5 M H z

S tała czasu sprzężenia 7.wrotnego przy I c = 5 m A , — U CB— 10 V,

f p = 5 M H z

I C B O < 0 , 1 ¡¿A

I C B O < 100 ¡xA

U ( B R ) C B O > 70 V

U ( B R ) C E O 5 0 V

O ( B R ) E B O > 5 V

f r > 150 M H z

h u c 2 0 ...2 0 0 —

c e /A CO p F

'tt>' c c < 500 ps

236

(31)

BF519 T ran zystor

n-p-n

P a ra m e try m acierzy „U” przy i / CŁ- = 5 V, = 2 m A , / r = 1000 H z

h ii. 0,8 k f:

!>12c 0,6

lilie 50

_

Ill2e 6 |aS

P a ra m e try m acierzy „ Y ” przy U Ce= 6 V, fc = 5 m A , f p — 35 M H z Y t u = (4,3 + j 6,2) mS

( - 0 , 0 5- i 0,6) mS r 21e = (1 7 —j 65) mS

>22, = (0 ,3 8 + j 1,3) mS P a ra m e try przełączania (u k ład pom iarow y ja k n a rysunku poniżej) przy !c

Ib i — 40 m A Czas w łączania Czas w yłączania

tu x toFh

40 150

2(!0 m A , /» i = 2

ns ns

j - ę a r

\200a 200Q

\?3Q

Generator \ n„,f im put 1

R„eJ-son \\5sn

f ź !ns

K . t * 0

Oscyloskop Rwgj " 500 t. & Ins

S chem at u k ład u pom iarow ego p a ra ­ m etrów przełączania

237

(32)

n-p-n

T ran z y sto r krzem ow y B F 520 m alej m ocy, wielkiej częstotliw ości je s t w ykonany tech n o lo g ią epi- tak s ja ln o -p la n arn ą , w o b u d o w ie m etalow ej T O -18. K o le k to r tran z y sto ra jest p o łączo n y elektrycznie z obudow ą.

T ran zy sto r B F 520 jest przeznaczony d o z asto so w ań uniw ersalnych (w układach au to m aty k i, u k ład ach p rzełączających średniej szybkości o raz a p a ra tu rz e radiow o-odbiorczej).

D a n e tym czasow e — now y typ

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N ap ięcie k o lek to r-b aza UcBO 50 V

N apięcie k o lek to r-em iter UctO 30 V

N apięcie e m iter-b a /a U EDO 5 V

P rąd k o lek to ra Ic 50 m A

Szczytow y p rą d k o lek to ra I c u 200 m A

P rą d bazy Ib 5 m A

T em p era tu ra złącza h 150 °C

T em p era tu ra sk ła d o w a n ia tstg - 5 5 . . . + 150 °C

M o c s tra t k o le k to ra (tawb — 25°C) Pc 300 m W

O porności term iczne

— złącze k o lek to ra-p o w ietrze Hth(J-a) < 4 0 0 d eg /W

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a Rth(J-c) < 200 deg/W

P a ra m e try statyczne = 25°C)

I c ; Uce I B lJ2\E U hEsat U CEsal

m A V m A --- V V

10 6 < 0 , 5 > 20*

_ _

20 i 2 10 < 1 < 0,5

* Trynzystory BF520 m ogą być oznaczone cyfrą rzymską lub kro p k ą kolorow ą ze względu na wartość A':!;; według kodu:

grupa /l;l£ 20...35 30...90 70...170 150

kolor kropki niebieski żółty zielony czerwony

cyfra 11 III

1

VI

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rzy UCBO = 6 V

P rą d w steczny k o lek to r-b aza

238

p rzy UCBO = 6 V, t„mb = 150°C

<

0,1

< 100

¡¿A

llA

(33)

BF520 T ran zystor

n-p-n

N ap ięcie przebicia k o łek to r-b aza przy I Cb o = 10 ¡jlA

N apięcie p rzebicia k o lektor-cm iter przy I Ceo = 10 m A *

N ap ięcie przebicia cm itcr-baza przy Iebo = 10 ij.A

UlBR)CBI>

U(BR)CEO

U (BR)EBO

> 50

> 3 0

* Pom iar m etodą impulsową.

P a ra m e try dynam iczne ( t amb = 25°C)

C zęstotliw ość p rzenoszenia przy I c = 5 m A , UCt.; = 10 V,

f p = 100 M H z W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia p rąd o w eg o przy I c = 1 m A , UCE = 6 V,

f„ = 1000 H z P ojem ność k o lek to ra przy Ucbo = 10 V, I c = 0,

f , = 5 M H z

Stała czasu sprzężenia zw rotnego przy UCB = 10 V, I c = 10 m A ,

/ , = 5 M H z

i V

f r > 150 M H z

l>2le 2 0...200 —

C c < 8 p F

l'bb ' Cc < 5 0 0 ps

l c = 2 m A , f p = 1000 H z

h ile 0,8 k n

lh 2e 0,6 X l 0 - 4

Il21c 50 —

ll 22' 6

P a ra m e try m acierzy „ Y ” przy UcE — 6 V, I c = 5 m A , f p = 35 M H z Kik- = ( 4 ,3 + j 6,2) mS y 12, = ( —0,05 — j 0,6) mS Y»lm = (17—j 65) mS y 2Jf = (0,38+ j 1,3) mS

P a ra m e try p rzełączania (układ pom iarow y ja k n a rysunku n a str. 237) przy I c = 200 m A , Ibi = 2 , 'J b2 = 40 m A

Czas w łączania lo s 40 ns

Czas w yłączania t 0 rF \ 150 ns

239

(34)

n-p-n

W spółczynnik w zm ocnienia p r ą ­ dow ego (znorm alizow any)

¡ h iE ( k ) = f ( I c ) \ = p a ra m e tr

40 h [mA]

30

20

10

+/00oC+25oC-55°C

ot

6V

-

•m

\

/ / / / / /

J

/

P rą d k o le k to ra Ic = Ą Ub e)', U t = p a ra m e tr

20

C h a rak tery sty k a w yjściow a

I c = f ( U c e) \ Ib = p a ra m e tr ( U k ła d w sp ó ln eg o em ite ra)

40 h [mA]

30

20

to

/

o£> /

l

ą i

5

/ 7

O ,l0m L^/

7

dOSmA _

o - ii

V

lg -0

\

10 20 30 40Uce[V]

C h a rak tery s ty k a w yjściow a I c = K U CeY, Ib= p a ra m e tr

(U kład wspólnego em itera)

(35)

BF520

n-p-n

T ran zystor

C zęsto tliw o ść przenoszenia / r = / ( / c ) ; u C E = p a ram etr

!5 C M

to

Ul

IC- 0

h -0

^omb^25°C

0.5 / UCb o‘,Uebo[V ]10 P ojem ność k o lek to r-b aza

Cc b o ~ f ( U C B O )

P ojem ność em iter-b aza

Ce b o — f ( . U E B O )

Z ależn o ść tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego I Cb o =

1 — w artość graniczna, 2 — wartość średnia

Z ależność tem p e ra tu ro w a m ocy stra t P c = / ( / ) ; R,h = p a ra m e tr

241

(36)

n-p-n

R ezy stan cja wejściow a / 'n e = / ( / c ) ; UcE = p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

W spó łczy n n ik sp rzężen ia z w ro t­

neg o h l2c = f d c ) ; Uce= p a ra ­ m e tr; / = 1000 H z

242

Z w arcio w y w spółczynnik w zm ocnienia prąd o w eg o h i u = /C /c ) ; Uc e- p a r a m e tr ;

/ = 1000 H z

A d m ita n c ja w yjściow a h u e = / ( / c ) ; Ł/ce = p a r a m e tr ;

/ = 1000 H z

(37)

BF520

n-p-n

T ranzystor

A d m ita n c ja w ejściow a (zn o rm a­

lizow ana) k y iie = / ( / c );

Uce = p a ra m e tr; / = 35 M H z

tamo -2S°C

y« .d c)

\

U lc Y¡,e(Ic -SmAi

1III

- i P2ie

/

/ /

\yn A !

J

/

0,1 Q2 05 1 2 S Ic [mA]

A d m ita n c ja przejściow a (zn o r­

m alizo w an a) k y l u = f ( l c ) ', Uce = 5 V ; / = 35 M H z

A d m itan cja zw ro tn a (z n o rm a li­

zow ana) k y i2e = f ( I c);

Uce = p a ra m e tr; / = 35 M H z

A d m itan cja w yjściow a (zn o r­

m alizow ana) k y 22e = / ( / c);

U ce = p a r a m e t r ; / 35 M H z 243

(38)

n-p-n

T ran z y sto r krzem ow y BF521 m alej m ocy, w ielkiej częstotliw ości je s t w yk o n an y technologią e p ita k sjaln o -p la n a rn ą, w o b u d o w ie m etalow ej T O -18. K o le k to r tran z y sto ra je s t p o łączo n y elektrycz­

nie z o b u d o w ą.

T ran z y sto r BF521 jest p rzezn aczo n y d o zasto so w ań uniw ersalnych (w u k ład ach a u to m a ty k i, u k ład a ch p rzełączających śred n iej szybkości o ra z a p a ra tu rz e radiow o-odbiorczej).

D a n e tym czasow e — no w y typ

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N ap ięcie k o lek to r-b az a Uc b o 30 V

N ap ięcie k o lek to r-em ite r Uc e o 15 V

N ap ięcie em iter-b aza Ue b o 5 V

P rą d k o lek to ra /c 50 m A

Szczytow y p rą d k o lek to ra /c a. 200 niA

P rą d bazy /» 5 m A

T em p e ra tu ra złącza <] 150 °C

T e m p e ra tu ra sk ład o w an ia tslff - 5 5 . . . + 150 °C

M o c s tra t k o le k to ra (tamb = 25°C) Pc 300 m W

O porności term iczne

— złącze k o lck to ra-p o w ietrze P l h ( J - a ) < 4 0 0 d cg /W

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a P t h ( J - c ) < 2 0 0 d e g /W

P a ra m e try statyczne — 2S°C)

U CE Zn /l21£ U BEsal Ucisa,

m A V m A V V

10 6 < 0 , 5 > 2 0 *

_ __

20 — 2 10 1 < 0 , 5

* Tranzystor}' B F52I m ogą być oznaczone cyfrą rzym ską lub kro p k ą kolorow ą ze względu na w artość / » i Ł- według k o d u :

grupa h2\ E 20... 35 co o o 70...170 > 150

k o lo r kropki niebieski żó łty zielony czerwony

cyfra II III V VI

P rą d w steczny k o lek to r-b az a p rz y Uc b o = 6 V

P rą d w steczny k o lek to r-b az a

244

przy Uc b o = 6 V, t a m b = 150°C

<

0,1

<

100

[jtA

tiA

(39)

BF521

n-p-n

T ran zystor

N apięcie p rzebicia k o lek to r-b aza

przy Ic b o = 10 [xA U ( B R ) C B O > 30 V

N apięcie p rzebicia k o lek to r-em iter

przy Iceo = 10 m A * U ( B R ) C E O > 15 V

N apięcie p rzeb icia em iter-baza

przy Iebo = 10 (JiA U ( B R ) E B O > 5 V

* Pomiar metodą impulsową.

P a ra m e try dynam iczne (tamb = 25°C) C zęstotliw ość przenoszenia

przy UCE = 10 V, I c = 5 m A,

/„ = 100 M H z f r > 150 M H z

W spółczynnik zw arciow y w zm ocnienia p rąd o w eg o przy Ucr. = 6 V, / c = 1 m A ,

/„ = 1000 M H z 1‘zic 2 ...2 0 0

P ojem ność k o lek to ra przy £/cbo = 10 V, / c = 0

/„ = 5 M H z Cc < 8 p F

S tała czasu sprzężenia zw rotnego przy UCb = 10 V, I c = 10 m A,

f p = 5 M H z ’’b b" Cc < 500 ps

P a ra m e try m acierzy „ h ” p rzy UCe = 5 V, l c — 2 m A , f„ = 1000 H z

h ile 0,8 k i l

/j12, 0,6 X l 0 0 - 4

I h u 50 -

h 22e 6 i [iS

P a ra m e try m acierzy „ Y ” przy UCe - 6 V, I c — 5 m A , f T = 35 M H z X n , = (4 ,3 + j6 ,2 ) mS J ', 2e = ( - 0 , 0 5 —jO ,6)m S

u = (17—j65) mS

y 22f = ( 0 ,3 8 + jl,3 ) m S 245

(40)

n-p-n

246

P a ra m e try p rzełączania (u k tad p o m iaro w y ja k n a ry su n k u poniżej) przy I c — 200 m A , Ib i 2, IB2 ~ 40 m A

C zas w łączania C zas w yłączania

t O N

toFF

40 150

ns ns

Ik S 1 1 - 0 - ? 0,1/jF Oscyloskop

■503.

S ch em at u k ła d u p o m iaro w eg o p a ram etró w p rzełączan ia

W spó łczy n n ik w zm ocnienia p r ą ­ dow ego (znorm alizow any) h 2ui(n) = / ( / c ) ; /«mi, = p a ra m e tr

JO Ic

3 0

?0

W

O

P rą d k o le k to ra I c = f { U BE)\

tamt, = p a ra m e tr

O 0.2 0,4 0,6 ąS U stM

(41)

BF521

n-p-n

T ran zystor

C h a rak tery sty k a wyjściowa l ę = f ( U Ce)\ I B = p a ram etr

(U kład wspólnego emitera)

C zęstotliw ość przenoszenia f T — / ( / c ); Ucr. = p a ram etr

/ /

0 /

f / /

OJ*

; /

u<lin/

i / 0,5m/

tamb ■2S* \

\ i B-o

5 W 15 20Ua M

C h a rak tery sty k a w yjściowa I c — R U Ce)\ Ib = p a ra m e tr

(U kład wspólnego emitera)

Pojem n o ść k o lek to r-b az a CcBO — f(U C Bo) Pojem n o ść cm iter-b aza

C b b o — R Ue b o)

247

(42)

n-p-n

248

Z ależn o ść tem p e ra tu ro w a p rą d u w stecznego Icbo — f(>amb) 1 — w artość graniczna, 2 — wartość

średnia

R ezy stan cja wejściow a / i n , = / ( / c ) ; Uce == p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

Z ależn o ść te m p e ra tu ro w a m o cy s tra t P c — f ( t ) ; R th = p a ra m e tr

W sp ó łczy n n ik sp rz ęż e n ia z w ro t­

nego /iiz , = / ( / c ) ; i/cE = p a ra ­ m e tr; / = 1000 H z

(43)

BF521

n - p - n

T ran zysto

Z w arciow y w spółczynnik w zm ocnienia prąd o w eg o h 2ie —

= / ( / c) ; U a : = p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

A d m ita n c ja w ejściow a (zn o r­

m alizo w an a) k y i l t — f { lc ) \ Uce = p a ra m e tr; / = 35 M H z

A d m itan cja w yjściow a //22t =

= / ( / c); UCE — p a ra m e tr;

/ = 1000 H z

A d m itan cja z w ro tn a (z n o rm a li­

zow ana) k y i2e — Uce

= p a ra m e tr; f — 35 M H z

(44)

n-p-n

A d m ita n c ja p rzejścio w a (z n o r­

m alizo w an a) k y zie = fU c i', Uce = 5 V ; / = 35 M H z

A d m ita n c ja w yjściow a (z n o rm a ­ lizow ana) k y 22c = / ( / c); Uce =

= p a ra m e tr; / = 35 M H z

250

(45)

C i ę ż a r o k o ło 0,8 G

BC527

n-p-n

T ran zystor

T ran zy sto r krzem ow y BC527 w o budow ie m etalow ej TO -18, średniej m ocy, m alej częstotli­

wości jest w y k o n an y tech n o lo g ią e p itak sjaln o -p lan arn ą. K o le k to r tran zy sto ra jes t p ołączony elektrycznie z o b u d o w ą.

T ran zy sto r BC527 jes t przeznaczony do zastosow ań uniw ersalnych o ra z do u k ład ó w sto p n i wejściowych i sterujących m.cz.

D an e tym czasow e — now y typ

G raniczne wielkości eksploatacyjne N apięcie k o lek to r-b az a

N apięcie k o lek to r-em iter N apięcie em iter-b aza P rąd k o lek to ra

Szczytowy p rą d k o lek to ra P rąd bazy

T em p eratu ra złącza T em p eratu ra sk ład o w an ia M oc s tra t k o le k to ra (tamb — 25°C)

U c B O 45 V

U C E O 45 V

Ue b o 5 V

I c 50 m A

I C M 200 m A

Ib 5 m A

h 150 °C

t s rq - 5 5 . . . + 150 °C

P c 300 m W

O porności term iczne złącze k o lek to ra-p o w ietrze złącze k o lek to ra-o b u d o w a

< 4 0 0

< 2 0 0

deg/W deg/W

P a ra m e try staty czn e (tamb = 25°C)

Ic m A

U C E

V I

h u E

11

III

U B E

V

0,1 5 > 50 > 80 > 150

__

2 5 120 200 330 0,64

20 5 200 300 400 —

N apięcie nasycenia k o lek to r-em iter przy I c = 10 m A , /„ = 0,5 m A N apięcie nasycenia baza-em iter przy I c = 10 m A , I B = 0,5 m A Prąd w steczny k o lek to r-b az a przy UCl, = 45 V

U c

UB

< 25

0,72

< 3 0

V

n A

251

(46)

n-p-n

P rą d w steczny k o lek to r-b az a

p rzy UCB = 45 V (tamb = 150°C) Ic b o < 5 0 1iA

N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-em ite r

p rz y Ic e o = 2 m A U ( B R ) C E O > 4 5 V

N ap ięcie p rzeb icia em iter-b aza

p rz y Ie b o = 10 ¡¿A U ( B R ) E B O > 5 V

P a ra m e try dynam iczne (tamb = 25°C)

C zęstotliw ość p rzen o szen ia p rzy I c = 10 m A , UCE = 5 V,

/„ = 100 M H z W spółczynnik szum ów

przy I c — 0,2 m A , UCr. = 5 V, J?a = 5 0 0 n , A f — 700 H z, / p - 1 kH z

P o jem n o ść k o lek to r-b az a przy UCb = 10 V,

/ „ = 5 M H z P o jem n o ść em iter-b aza p rz y t / £B = 0,5 V,

/ p = 5 M H z

> 150 M H z

<

10 dB

C r < 4 , 5 p F

Ceb p F

P a ra m e try czw óm ikow e

P u n k t p ra cy : UCE = 5 V, I c = 2 m A , /„ = 1 k H z

G ru p y h 2le ! I | I I | I I I

O p o rn o ść w ejściow a Ih le 1,6— 3,5 2,7— 7 5— 15 k i l

W spółczynnik

sprzężenia zw ro tn eg o h I2e 1,5 2 3 x io o -4

W spółczynnik

w zm ocnienia prąd o w eg o “21 cIt * 100—240 210—450 400— 900 —

P rzew o d n o ść w yjściow a h 22c 20 70 150 t*s

252 * Tranzystory BC527 są oznaczone cyfrą rzym ską ze względu na w artość /»2!c*

(47)

T r a n z y s t o

BC528

n-p-n

T ran z y sto r krzem ow y BC528 w obudow ie m etalow ej TO -18, średniej m ocy, m alej częstotliw ości jest w ykonany tech n o lo g ią e p itak sjaln o -p lan arn ą. K o le k to r tran zy sto ra je s t p o łączo n y elektrycznie z obudow ą.

T ran z y sto r BC528 jes t przeznaczony d o zastosow ań uniw ersalnych o ra z d o u k ład ó w stopni wejściowych i steru jący ch m.cz.

D an e tym czasow e — now y typ

G raniczne wielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-b az a

U

cbo 20 V

N apięcie k o lek to r-em iter

U CEO

20 V

N apięcie em iter-b aza

U

ebo 5 V

P rąd k o lek to ra I c 50 m A

Szczytowy p rą d k o lek to ra

¡CM

200 m A

P rą d bazy Ib 5 m A

T em p eratu ra złącza 150 °C

T em p eratu ra sk ła d o w a n ia

‘stg

- 5 5 . . . + 150 °C

M oc stra t k o le k to ra b = 25°Q) Pc 300 m W

O porności term iczne

— złącze k o lek to ra-p o w ietrze

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a

Plh(J-a) Rlh(J-c)

< 4 0 0

< 2 0 0

d eg/W d eg/W

P a ra m e try staty czn e (Jamb = 25°C)

Ic m A

U

CE

V

1

Ih iE

II 111

U

BE

V

0,1 5 > 5 0 > 80 > 150

__

2 5 120 200 330 0,64

20 5 200 300 400

__

Napięcie nasycenia ko lek to r-em iter przy I c = 10 m A , / „ = 0,5 m A N apięcie nasycenia baza-em iter przy / c = 10 m A , I„ = 0,5 m A Prąd w steczny k o lek to r-b az a Przy UCB = 20 V

U CEsat

UBEM

¡CBO

< 0 , 2 5

0,72

< 30 n A

(48)

n-p-n

P rą d w steczny k o lek to r-b az a

przy U C B = 20 V (iamb = 150°C) IC B O < 50 ¡J.A

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em iter

przy Ic e o — 2 m A U ( B R ) C E O > 2 0 V

N ap ięcie p rzebicia em iter-baza

przy Ie b o — 10 ¡¿A U ( B R ) E B O > 5 V

P aram etry' dynam iczne (Jamb = 25°C) C zęstotliw ość p rzenoszenia

p rz y I c = 10 m A , U C E = 5 V,

f„ = 100 M H z f r > 150 M H

W spółczynnik s z u m ó w ' przy I c = 0,2 m A , U Ce = 5 V,

R „ = 500 i i , A f = 700 H z,

/ p = 1 k H z F < 10 dB

Pojem n o ść k o lek to r-b aza przy UCB = 10 V,

/ „ = 5 M H z C e s o < 4 , 5 p F

P ojem n o ść em iter-b aza p rzy UEB = 0,5 V,

f p = 5 M H z Ce b o 7 p F

P a ra m e try czwórnikowe

P u n k t p ra cy : UCE — 5 V, I c — 2 m A , f p — 1 k H z

G ru p y h 2ie I II I I I

O p o rn o ść wejściow a /h le 1,6— 3,5 CN t-^

7

5— 15 k í l

W spółczynnik sprzężenia

zw rotnego h ile 1,5 2 3 x l O - 4

W spółczynnik

w zm ocnienia p rąd o w eg o h ile * 100—240 210—450 400— 900 —

P rzew o d n o ść wyjściow a h ile 20 70 150 |XS

* Tranzystory BC528 są oznaczone cyfrą rzym ską ze względu na wartość h i \ c.

254

(49)

BSY52

n-p-n

T ranzystor

T ran z y sto r krzem ow y BSY 52 przełączający, średniej m ocy jes t w ykonany tech n o lo g ią ep itak - sjaln o -p lan arn ą, w m etalow ej o budow ie TO -18. K o le k to r tran zy sto ra je s t połączony elektrycznie z obudow ą.

T ran z y sto r B SY 52 je s t przeznaczony do stosow ania w układach przełączających, a także w u k ła ­ dach logicznych o dużych szybkościach działania.

D an e tym czasow e — now y typ

G raniczne w ielkości eksploatacyjne

N apięcie k o lek to r-em ite r U C E O 15 V

N apięcie k o lek to r-em iter U C E R 20 V

N apięcie k o lek to r-b az a Ucbo 40 V

N apięcie em iter-b aza UE B O 5 V

Prąd k o lek to ra h 200 m A

Szczytowy p rą d k o lek to ra ¡ C M 500 m A

T em p eratu ra złącza 150 °C

T em p eratu ra sk ład o w an ia tstg - 5 5 . . . + 150 °C

M oc s tra t k o le k to ra (tcmb = 25°C) Pr 360 m W

O porności term iczne

— złącze k o lek to ra-p o w ietrze

— złącze k o lek to ra-o b u d o w a

R t h ( J - a )

R ih (i-c)

< 3 5 0 I < 2 0 0

d eg/W d eg/W

P a ra m e try s ta ty c z n e {tamh = 25°C) I c

m A

Ib

m A

!>2iE U BEsat

— i V

U CEsal V

10 i 0,084...0,33 30...120 1 —

__

10

__

.1 10 ^ < 0,8 < 0,25

200

__

20 10 — < 0,7

500 5 < 5 0 > 1 0 * i — —

Prąd w steczny k o lek to r-b az a Przy Ucbo = 20 V

P rąd w steczny k o le k to r-b a z a Przy Ucbo = 20 V, tamb = 150°C P rąd w steczny em iter-b aza

przy UEBO = 4 V Ie b o

<

0,1

< 15

<

0,1

¡¿A

¡¿A

[¿A

255

(50)

n - p - n

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em ite r przy I c = 30 m A

N ap ięcie p rzebicia k o lek to r-em ite r przy / c e r = 30 m A , R BE — 10 N ap ięcie p rzeb icia k o lek to r-b az a p rzy I CB0 = 10 [xA

N ap ięcie p rzeb icia em itcr-b aza przy I EBO = 10 ¡J.A

* P om iar m etodą impulsową.

P a ra m e try dynam iczne (tamb = 25°C) C zęstotliw ość p rzen o szen ia

p rzy I c = 20 m A , U Ce = 10 V, f p = 100 M H z

P o jem n o ść wyjściow a przy U CBO — 10 V,

f„ = 1 M H z P o jem n o ść w ejściow a p rzy U r . B O — 0,5 V,

/„ = 1 M H z

U ( B R ) C E O

U ( B R ) C E R

U ( B R ) C B O

U ( B R ) E B O

f r

C u

> 15

> 2 0

> 40

>

5

> 300

< 6

V

V

V

V

M H z

p F

p F

P a ra m e try przełączania (u k ład p o m iaro w y ja k n a ry su n k u poniżej) I c = 200 m A , I Bi = 40 mA, Ib2 — 20 m A

C zas w łączenia C zas w yłączenia

t o s t o r r

40 i 40

ns ns

J~ L 'W Generator impuls.

/¡„y-502 I I 56Q tr i tns

256

S ch em at u k ła d u p o m ia ro w e g o p a ram etró w p rzełączan ia

Cytaty

Powiązane dokumenty

D zięki zastosow aniu w układzie rezonatora kw arcowego, generator odznacza się bardzo dobrą stałością częstotliw ości generowanej oraz dużą niezależnością

[r]

[r]

Pom iar prądu wyprostowanego I jest przeprowadzany w układzie podanym na rysunku ze str... Pom iar prądu wyprostowanego / jest przeprowadzany w układzie podanym

[r]

m etrach elektrycznych (odpowiedniki poprzedzone znakiem mają niektóre param etry różniące się od param etrów wyrobów krajowych), za odpowiednikiem znajduje się

nowe diody ostrzowe typu DG 51 i DG 52 przezna- ozone do pracy w urządzeniach elektrcmloznyoh.. Klasa lntensywnośol uszkodzeń -

Zmiana stanu wyjść QA r dokonuje się wraz z narastającym zboczem sygnału CP/CLOCK PULSE/ przy wy­. sokim stanie wejścia CE /CHIP ENABLE/ lub wraz z