Jan Wiśniewski
Uniwersytet Zielonogórski Instytut Informatyki i Elektroniki ul. Podgórna 50
65-246 Zielona Góra
e-mail: wisjan@poczta.onet.pl
PIKOAMPEROMIERZ ELEKTRONICZNY
Prąd można mierzyć również stoperem
Streszczenie: W pracy przedstawiono – zaproponowany przez autora – układ pikoamperomierza elektronicznego wykorzystującego zjawisko ładowania kondensatora wzorcowego prądem stałym. Układ ten cechuje się dużą czułością i umożliwia pomiar prądu stałego w zakresie
0,1pA
÷
100nA
. O jego zaletach stanowi również prosta budowa i niska cena. Z tych względów może on znaleźć szerokie zastosowanie w każdym Laboratorium Podstaw Elektroniki do badania właściwości podstawowych przyrządów półprzewodnikowych.1. WSTĘP
Pomiaru małych prądów, w znanych firmowych pikoamperomierzach prądu stałego [1, 3, 4, 5], dokonuje się poprzez pomiar spadku napięcia powstającego pod wpływem mierzonego prądu przepływającego przez wzorcowy rezystor o możliwie dużej rezystancji rzędu setek megaomów. Narzuca to trudne do spełnienia wymagania stawiane samemu woltomierzowi napięcia stałego odnośnie wymaganej możliwie dużej jego rezystancji wewnętrznej i możliwie małego wejściowego prądu polaryzującego. Wymienione parametry stanowią o dużym błędzie metody pomiarowej w przypadku pomiaru małych prądów rzędu pikoamperów.
Pikoamperomierz elektroniczny, pozbawiony wcześniej opisanych wad, którego schemat ideowy przedstawiono na rys. 1, wykorzystuje zjawisko ładowania kondensatora prądem stałym. Umożliwia on pomiar prądu stałego w zakresie od
0,1pA
do100nA
. Wartość mierzonego prądu wyznacza się na podstawie czasu ładowania styrofleksowego kondensatora wzorcowegoC
(jeden z kondensatorówC
1
÷
C
4
) do z góry założonej wartości występującego na nim napięcia stałego. Układ może służyć do pomiaru prądów upływu bramki złączowych tranzystorów polowych J-FET, prądów zaporowych diod półprzewodnikowych, prądów zerowych tranzystorów bipolarnych (I
CBO,CEO
I
iI
EBO), ekstremalnie małych prądów upływu kondensatorów tantalowych oraz do pomiaru bardzo dużych rezystancji rzędu10
9÷
10
15Ω
.W przypadku tranzystorów polowych niektóre ich zastosowania związane są z pożądanymi bardzo małymi prądami upływu elektrody bramki, determinującymi stosowanie ich w stopniach wejściowych urządzeń elektrometrycznych. Prądy te przyjmują wartości z zakresu
10
−15÷
10
−14A
w tranzystorach MOS-FETWY U ZAP I 2 B I 2, 2 B Z U 2 D I 2 Z I VC C U 3 R 100Ω 2 B 2 Z D2 245 BF A 3 Z 3 B 3 D 245 BF A ZAP U 1 C C2 100 p 1n 2 T 3 T WY U ∆ : ( 1 4) C C ÷C WO 061 TL masa pozorna 0V DB−Dioda badana 3 C C4 10n 0,1
µ
1 2 3 4 P 23 12 V GA− V 2x VARTA 1 BAT 2 BAT 3 K 4 K 1 T 245 BF A 1 R 22kΩ 1 K 100 Aµ
6 4 3 2 7 1 B 1 D 1 Z 2 R 1kΩ 5, C 220 Fµ
2 K EkranRys.1. Schemat ideowy układu pikoamperomierza elektronicznego
2006
Poznańskie Warsztaty Telekomunikacyjne Poznań 7 - 8 grudnia 2006
i
10
−13÷
10 A
−8 w tranzystorach J-FET. założonej wartości napięcia:U
C= −∆
U
WY.2. OPIS DZIAŁANIA UKŁADU I PROCEDURA WYZNACZANIA PRĄDU
Po załączeniu napięcia zasilania (zwarte klucze
3
K
iK
4
), w stanie spoczynkowym, przy zwartych kluczach:K
1
iK
2
, wzmacniacz operacyjnyWO
objęty jest silnym ujemnym napięciowym sprzężeniem zwrotnym za pomocą wtórnika napięciowego zbudowanego z użyciem złączowego tranzystora polowego
T
2
z załączonym w obwodzie jego elektrody źródłaZ
2
źródłem prądowym (T
1
iR
1
) o wydajności ok.100 A
µ
. W ten sposób w badanym tranzystorze2
T
, z kanałem typu „n”, wymuszane są dwa praktycznie równe sobie prądy: prąd źródłaI
Z2 i prąd drenuI
D2 oraz stałe napięcieU
B2, 2Z o ustalonej wartości bliskiej napięciu odcięcia prądu jego drenu. Mierzone woltomierzem cyfrowymVC
występujące na wyjściu wzmacniacza stałe napięcieU
WY przyjmuje ujemną wartość równą napięciuU
B2, 2Z . Kondensatortantalowy
C
5
o dużej pojemności, pełniący rolę pamięci analogowej, zostaje naładowany poprzez rezystorR
2
do napięciaU
WY (stała czasowa ładowania wynosi ok.0, 22s
). Napięcie to może być zapamiętane nawet przez czas rzędu kilkudziesięciu minut liczony od momentu otwarcia kluczaK
2
. Do nieuziemionej końcówki tego kondensatora przyłączony jest metalowy ekran, w postaci dodatkowych miedzianych ścieżek drukowanych (zastosowano technikę połączeń drukowanych z użyciem metalizowanego laminatu szklano-epoksydowego), otaczających wszystkie przewody i elementy, które łączą się galwanicznie z bramkąB
2
badanego tranzystora2
T
. Ekran spełnia więc rolę dodatkowej elektrody zbierającej prądy upływu powierzchniowego laminatu szklano-epoksydowego z nadrukowanymi połączeniami elektrycznymi. Z tego względu, że potencjały bramki i ekranu posiadają zawsze tę samą wartość, prąd upływu między bramką a ekranem wynosi zero. Po otwarciu kluczy:K
1
iK
2
, przy odłączonej od układu badanej diodzieDB
, wystąpi ładowanie kondensatoraC
jedynie prądem upływu bramki
I
B2 badanego tranzystoraT
2
. Ze względu na ustaloną wartość napięciaU
B2, 2Z , występujące na tym kondensatorze narastające liniowo napięcieU
C wywołuje równy, codo modułu, ujemny przyrost napięcia wyjściowego
WY
U
∆
. Prąd upływu bramkiI
B2 badanego tranzystora2
T
wyznacza się z zależności:2 WY B
C
U
I
t
⋅ ∆
= −
,
gdzie: t – czas ładowania kondensatora
C
do z góryJeżeli przykładowo dla stosowanej pojemności
100
C
=
pF
czas, po którym zmiana napięcia wyjściowego∆
U
WY przyjmie z góry założoną wartość równą−
1V
wynosi 200 sekund, to prąd upływu bramki2 B
I
badanego tranzystora wynosi0, 5 pA
. Ze względu na firmowe „tajemnice” technologicznego procesu pasywacji powierzchni struktur półprzewodnikowych szczególnie małymi prądami upływu bramki cechują się tranzystory takich producentów, jak: Philips (PH), Motorola (M) i Teksas Instruments (TI). Z przeprowadzonych przez autora badań wynika, że niektóre (nieliczne) egzemplarze złączowych tranzystorów polowych małej mocy i wielkiej częstotliwości z kanałem typu „n” cechują się prądem upływu bramki równym nawet ok.0,1pA
(tj.100 fA
). W podobny sposób, przy załączonej badanej diodzieDB
, można dokonać pomiaru sumy prądów: prądu upływu bramkiI
B2 tranzystoraT
2
i prądu zaporowegoI
ZAP badanej diodyDB
. Na tej podstawie można wyznaczyć prądI
ZAP jako różnicę prądów otrzymanych z wyżej opisanych dwóch pomiarów prądów. Ponieważ na elektrodzie bramki tranzystora2
T
(BF
245
A
) występuje stałe ujemne napięcie o ustalonej wartości równej ok.−
2V
, to napięcie zaporoweU
ZAP, występujące na badanej diodzie, stanowiące różnicę napięcia baterii zasilającej (12V
) i napięcia bramkiU
B2, 2Z posiada stałą wartość i wynosi ok.14V
.Tranzystor
T
3
wymusza w tranzystorzeT
2
pożądaną małą wartość napięcia między jego drenem2
D
i źródłemZ
2
równą ok.2V
. Przyczynia się to do zmniejszenia prądu upływu bramki tranzystoraT
2
na skutek ograniczenia zjawiska jonizacji zderzeniowej w jego kanale oraz zmniejszenie prądu upływu powierzchniowego między drenem i bramką [2]. Rezystor pomocniczyR
3
ogranicza wartość prądu rozładowania kondensatoraC
w chwili zwarcia klucza1
K
oraz podczas zmiany zakresu pomiarowego za pomocą przełącznikaP
. Rezystor ten, w przypadku zwarcia badanej diody, zabezpiecza również przed uszkodzeniem wzmacniacz operacyjnyWO
i tranzystor2
T
. Zastosowanie wzmacniacza operacyjnego typu061
TL
o małym własnym poborze prądu zasilania równym ok.200
µ
A
umożliwia ekonomiczne zasilanie układu z dwóch alkalicznych baterii (BAT
1
iBAT
2
) o napięciu12V
. Pozwala to na wygodne użytkowanie przyrządu z dala od zakłóceń elektromagnetycznych generowanych przez energetyczną sieć przemysłową.3. ZALECENIA I UWAGI
Ze względu na szkodliwe zjawisko indukcji elektrostatycznej wypaczające wyniki pomiarów (fluktuacyjne wskazania woltomierza cyfrowego
VC
) należy dokonywać pomiarów z dala od naładowanych i przemieszczających się przedmiotów i osób. Pożądane jest, aby urządzenie, operator, płaszczyzna robocza, jak i wszystkie elementy na stanowisku pracy posiadały ten sam potencjał równy potencjałowi ziemi. Z tego względu pożądane jest uziemienie zarówno przyrządu, jak i osoby dokonującej pomiaru. Należy unikać wprowadzania do strefy roboczej przyrządu jakichkolwiek źródeł pól elektrycznych. Takimi źródłami mogą być przedmioty wykonane na bazie materiałów polietylenowych lub polistyrenowych, których obecność łatwo przeoczyć (np. torebka foliowa po kanapce śniadaniowej lub zwykły długopis). Osoba dokonująca pomiarów, siłą rzeczy poruszająca się, powinna nosić nieelektryzujące się ubranie.Wydaje się, że zastąpienie złączowego tranzystora polowego
T
2
tranzystorem typu MOS (np. KF520-Tesla o prądzie upływu bramki ok.15 10
⋅
−15A
(tj.15 fA
)) oraz staranne ekranowanie elektrostatyczne całego przyrządu umożliwiłoby pomiar prądów stałych o wartościach rzędu kilka÷
kilkanaście femtoamperów.Literatura:
[1] Bancer S.: Pikoamperomierz typu EP-2, Zakład Doświadczalny Przemysłowego Instytutu
Elektroniki, Warszawa 1968, Instrukcja Techniczna [2] Horowitz P., Hill W.: Sztuka Elektroniki, Tom 1, WKŁ, Warszawa 1995, ss. 148
÷
149[3] Kłos Z.: Mikroprocesorowy pikoamperomierz PA- 101, Pomiary Automatyka Kontrola,
1997, Nr. 12
[4] Pikoamperomierze typu: Keithley 485 i Keithley 486, Instrukcje techniczne
[5] Pikoamperomierz typu TR-8641 (Takeda Riken), Instrukcja techniczna