• Nie Znaleziono Wyników

pomiar charakterystyk i parametrów statycznych tranzystora.

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "pomiar charakterystyk i parametrów statycznych tranzystora."

Copied!
1
0
0

Pełen tekst

(1)

Ćwiczenie nr 83 b.

Temat: Pomiar charakterystyk i parametrów statycznych tranzystora. LITERATURA:

1. Norman Lurch „Podstawy techniki elektronicznej”. 2. Roman Śledziewski „Elektronika dla studentów fizyki”. 3. Kalita i in. „Laboratorium podstaw elektroniki”.

4. Sz. Szczeniowski - Elektryczność i magnetyzm, cz. III.

5. J. Smela, T. Zamorski, A. Puch – Pierwsza pracownia fizyczna - przewodnik Wydawnictwo Oświatowe FOSZE, Rzeszów 1995.

6. T. Dryński – Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki.

7. H. Szydłowski – Pracownia fizyczna, Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa 1997 .

ZAGADNIENIA KOLOKWIALNE: 1. Półprzewodniki samoistne.

2. Półprzewodniki domieszkowe, rodzaje domieszek, rodzaje półprzewodników domieszkowych.

3. Tranzystor jako układ dwu złącz p-n, zjawiska fizyczne w złączu p-n, dyfuzja nośników, powstawanie bariery potencjału.

4. Zasada działania tranzystora, polaryzacja złącza w stanie aktywnym 5. Układy pracy tranzystora: OE, OB, OC.

6. Charakterystyki statyczne tranzystora i parametry „h”, oraz ich interpretacja fizyczna.

7. Możliwości zastosowań tranzystorów – tranzystor jako wzmacniacz w układzie OE.

WYKONANIE ĆWICZENIA:

1. Przed przystąpieniem do ćwiczenia zapoznać się z wartościami nominalnymi i maksymalnymi prądów i napięć badanego tranzystora w układzie OE. 2. Połączyć układ według schematu:

(2)

3. Zdjąć charakterystyki statyczne badanego tranzystora w układzie OE metodą „punkt po punkcie”:

a) zmieniając wartość napięcia Uke , zdjąć dla kilku różnych wartości prądu

bazy, poczynając od Ib=0 charakterystyki tranzystora Ik=f(Uke), Ib-parametr.

b) zmieniając wartość prądu bazy zdjąć dla kilku różnych wartości napięcia Uke charakterystyki tranzystora I k = f(Ib), Uke- parametr, oraz Ube= f(Ib),

Uke- parametr.

c) zmieniając wartość napięcia kolektor- emiter, zdjąć dla kilku wartości prądu bazy charakterystyki Ube =f(Uke), Ib- parametr.

d) dokonane pomiary zestawić w tabelkach 8. Opracowanie wyników, dyskusja:

- przeprowadzić dyskusję dokładności pomiaru charakterystyk (graficznie). Przyrządy:

tranzystor bipolarny, 2 woltomierze, miliamperomierz, mikroamperomierz, zasilacze prądu stałego (2 szt.)

Cytaty

Powiązane dokumenty

Na Rys. 1 przedstawiono układ do pomiarów charakterystyk statycznych tranzystora polowego JFET BF245B. Układ do pomiarów charakterystyk statycznych tranzystora polowego JFET

X nie ma wtedy interpretacji czasu oczekiwania na m-ty sukces.. Rozkład ujemny

Na czym polega efekt modulacji dłuogści kanału i jak uwidacznia się na charakte- rystykach

Co to są “parametry małosygnałowe’, jaki jest ich sens fizyczny i kiedy można je stosować do opisu tranzystora bipolarnego?. Model małosygnałowy tranzystora

Jaka jest różnica pomiędzy elementami idealnymi (rezystorem, kondensatorem, cewką, diodą), a elementami rzeczywistymi, jakie parametry elementów musimy

Zakresy pracy tranzystora bipolarnego ( odcięcie, normalny, nasycony), oraz inwersyjne połączenie tranzystora bipolarnego.. Efekt modulacji

Układ do wyznaczania charakterystyk, zasilacz prądu stałego (dwa napięcia), dwa woltomierze, miliamperomierz, mikroamperomierz (cztery multimetry uniwersalne).. Tranzystor w

Znając wartość obciąŜenia Ro oraz napięcia Eo wrysować do charakterystyk statycznych badanego tranzystora n-p-n prostą pracy-obciąŜenia.. Na podstawie tabeli