• Nie Znaleziono Wyników

Odmiany pamięci dynamicznych P AMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "Odmiany pamięci dynamicznych P AMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE"

Copied!
3
0
0

Pełen tekst

(1)

Dostęp do pamięci musi odbywać się z zachowaniem określonych zależności czasowych.

Dostęp do pamięci w trybie stronicowania jest sposobem na przyspieszenie współpracy z pamięcią DRAM.

Realizuje się to poprzez wykorzystanie dwóch zależności:

 większość odczytów dokonywana jest spod kolejnych, położonych koło siebie adresów. Oznacza to, że starsza część adresu (adres wiersza) nie zmienia się, a zmienia się jedynie adres kolumny. Wyjątkiem są słowa położone kolejno na początku i na końcu wiersza.

 czas t D RAS-CAS stanowi około 50% czasu dostępu. – Jeżeli przy kolejnych odczytach nie będziemy zmieniać adresu wiersza, a jedynie adres kolumny, to czas dostępu do pamięci ulegnie skróceniu (w przybliżeniu o czas opóźnienia sygnału CAS względem RAS)

Bibliografia: Urządzenia techniki komputerowej, K. Wojtuszkiewicz Anatomia PC. Wydanie IX, P. Mettzger

http://pl.wikipedia.org/

PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE

Odmiany pamięci dynamicznych

Opracował: Andrzej Nowak

Dostęp w trybie stronicowania

(2)

Praca pamięci DRAM w trybie stronicowania

Dostęp w trybie stronicowania

Początek pracy (dostępu do pamięci) jest prawie identyczny jak dla zwykłych pamięci DRAM.

 podawany jest adres wiersza, który jest zatrzaskiwany w rejestrze zatrzaskowym wiersza wewnątrz układu pamięci.

 podawany jest adres kolumny, który jest zatrzaskiwany w rejestrze zatrzaskowym kolumny wewnątrz układu pamięci.

Kolejny dostęp różni się od poprzedniego.

 po dodaniu nowego adresu przez zarządcę magistrali jego część będąca adresem wiersza jest porównywana z zawartością rejestru adresu wiersza w układzie sterowania pamięcią. Jeżeli jest identyczna, układ sterowania pamięcią DRAM utrzymuje stan niski sygnału RAS# do końca bieżącego cyklu odczytu. Oznacza to, że kolejny dostęp dotyczy słowa położonego w tym samym wierszu i należy wczytać jedynie adres kolumny, bez generowania opóźnienia sygnału CAS# względem RAS#

(3)

Dostęp do pamięci możliwy jest w postaci cykli zgrupowanych (seryjnych - burst) – najczęściej

stosowany przy współpracy pamięci głównej z pamięcią cache. Pamięć ta odczytuje bądź zapisuje informacje liniami, których długość zależy od rozwiązania pamięci cache i przykładowo dla systemów z procesorem Pentium wynosi 32 bajty.

Ponieważ procesory Pentium mają 64-bitową (8 bajtów) magistralę danych, potrzeba 4 dostępów do pamięci, aby wypełnić linię.

Operacje te dotyczą kolejnych, leżących obok siebie słów.

Adres wiersza przy każdym dostępie będzie stały, a jedynie adres kolumny będzie się zmieniał - o jeden więcej.

Aby pamięć mogła pracować w trybie burst należy wewnątrz pamięci umieścić układ, który będzie zwiększał wartość adresu kolumny o 1 po każdym podaniu zbocza aktywnego sygnału CAS#.

Zysk czasowy wynika z braku konieczności zapewnienia tak zwanego czasu ustalania oraz czasu przetrzymania dla adresu kolumny.

Praca pamięci DRAM w trybie seryjnym (burst)

Dostęp w trybie seryjnym (burst)

Cytaty

Powiązane dokumenty

Wyświetlamy na ekranie wartość zmiennej x, adres zapisany w zmiennej wskaźnikowej px oraz wartość znajdującą się pod tym adresem w pamięci komputera. W linii

Opis barw -barwy podstawowe, pochodne, szeroka gama barw ( na obrazie są widoczne wszystkie barwy z koła barw),ciepłe barwy, zimne barwy, akcent kolorystyczny, wpływ barw

W celu zwiększenia długości słowa szerszą magistralę danych budujemy z bitów linii danych kolejnych układów scalonych pamięci, natomiast magistralę adresową i sygnały

• Podanie starszej części adresu na linie adresowe pamięci DRAM jako adresu wiersza, a następnie wytworzenie aktywnego zbocza sygnału RAS#, powodującego zapamiętanie tego adresu

Pamięci tego typu nie są obecnie wykorzystywane, gdyż firma Intel nigdy nie dokonała implementacji tego typu pamięci do swoich układów, nastawiając się od początku na

• CAS przed RAS (ang. Sterownik DRAM wytwarza aktywny sygnał CAS, a następnie RAS. W odpowiedzi na taką sekwencję układy pamięci DRAM odświeżają wiersz wskazany przez

Pamięci dynamiczne SDRAM (S – synchroniczne) nie różnią się w swej naturze od innych pamięci dynamicznych; nośnikiem informacji jest nadal matryca komórek bazujących

z obecnych ponad 700 szpitali znalazłoby się w takiej sieci, byłby to duży krok w kierunku do- syć rewolucyjnych zmian naszego systemu ochrony zdrowia.. Jeśli się w niej znajdzie