• Nie Znaleziono Wyników

P AMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "P AMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE"

Copied!
4
0
0

Pełen tekst

(1)

Pamięciami półprzewodnikowymi nazywamy cyfrowe układy scalone przeznaczone do przechowywania większych ilości informacji w postaci binarnej.

Adres – niepowtarzalna liczba (numer) przypisana danemu miejscu (słowu) w pamięci w celu jego identyfikacji Słowo w pamięci – zestaw pojedynczych komórek (pojedynczych bitów) pamięci, do którego odwołujemy się pojedynczym adresem

Organizacja pamięci – sposób podziału obszaru pamięci na słowa

Rodzaje pamięci – podział ogólny

RAM (ang. Random Access Memory), - pamięć o dostępie swobodnym – przeznaczona do zapisu i odczytu.

RAM jest pamięcią ulotną, co oznacza, że po wyłączeniu zasilania informacja w niej przechowywana jest tracona.

ROM (ang. Read Only Memory) – pamięć półprzewodnikowa – pamięć o dostępie swobodnym przeznaczona do odczytu. ROM jest pamięcią nieulotną.

Podstawowe parametry

Pamięć o dostępie swobodnym – pamięć, dla której czas dostępu praktycznie nie zależy od adresu słowa w pamięci, czyli od miejsca, w którym jest przechowywana informacja

Transfer danych – maksymalna liczba danych, jaką możemy odczytywać z pamięci lub zapisywać do pamięci w danej jednostce czasu

Czas dostępu – czas, jaki musi upłynąć od momentu podania poprawnego adresu słowa w pamięci do czasu ustalenia się poprawnej wartości tego słowa na wyjściu pamięci w przypadku operacji odczytu lub w

przypadku operacji zapisu – czas, jaki upłynie do momentu zapisania wartości do tego słowa z wejścia pamięci.

Pojemność pamięci – maksymalna liczba informacji, jaką możemy przechować w danej pamięci

Bibliografia: Urządzenia techniki komputerowej, K. Wojtuszkiewicz http://pl.wikipedia.org/

PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE

Opracował: Andrzej Nowak

(2)

Organizacja pamięci

(3)

1. Zwiększanie długości słowa

W celu zwiększenia długości słowa szerszą magistralę danych budujemy z bitów linii danych kolejnych układów scalonych pamięci, natomiast magistralę adresową i sygnały sterujące łączymy równolegle.

Metody zwiększania ilości pamięci

(4)

2. Zwiększanie liczby słów

W celu zwiększenia liczby słów pamięci zwiększamy liczbę potrzebnych adresów, a co za tym idzie – rozbudowujemy szynę adresową o dodatkowe bity potrzebne do uzyskania tych adresów.

Przy niezmienionej długości słowa szyna danych pozostaje bez zmian.

Dodatkowe bity adresu służą, przy wykorzystaniu dekodera, do wyboru jednego z łączonych układów pamięci, z którego odczytamy lub do którego zapiszemy informację. Wyboru dokonujemy przy użyciu wejścia CS#

uaktywniającego układy scalone pamięci.

Magistrale adresowe, danych i sygnały sterujące układów, z których budujemy nowy blok pamięci, łączymy równolegle.

Cytaty

Powiązane dokumenty

• Podanie starszej części adresu na linie adresowe pamięci DRAM jako adresu wiersza, a następnie wytworzenie aktywnego zbocza sygnału RAS#, powodującego zapamiętanie tego adresu

Pamięci tego typu nie są obecnie wykorzystywane, gdyż firma Intel nigdy nie dokonała implementacji tego typu pamięci do swoich układów, nastawiając się od początku na

• CAS przed RAS (ang. Sterownik DRAM wytwarza aktywny sygnał CAS, a następnie RAS. W odpowiedzi na taką sekwencję układy pamięci DRAM odświeżają wiersz wskazany przez

– Jeżeli przy kolejnych odczytach nie będziemy zmieniać adresu wiersza, a jedynie adres kolumny, to czas dostępu do pamięci ulegnie skróceniu (w przybliżeniu o czas

Pamięci dynamiczne SDRAM (S – synchroniczne) nie różnią się w swej naturze od innych pamięci dynamicznych; nośnikiem informacji jest nadal matryca komórek bazujących

wisty stan magistrali oraz zna wartości rzeczywistych danych i kodu, jakie z pamięci operacyjnej zostały przez magistralę odczytane, a znając wystawiane adresy jest

Z kolei opis odcinka zależy od budowy konkretnej linii – typu słupa, rodzaju przewodu roboczego i odgromowego oraz innych parametrów, które mogą mieć wpływ na ostateczną

Rdzeń procesora wyposażony jest w cztery magistrale: adresową pamięci programu, adresową pamięci danych, danych pamięci programu i danych pamięci danych.