IN S T Y T U T T E C H N O L O G 18 E L E K T R O N O W E J
DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNI CQYP 43
Dioda elektroluminescencyjna z GaAs/GaAlAs wykonana została techniką wielowarstwowej epitaksji zahermetyzowanej obu
dowie metalowo— szklanej. Obszar emisji promieniowania usy
tuowano centrycznie względem ścianek obudowy.
Dioda stanowi element' czynny w złączu nadajnikowym przystoso
wanym do wielokrotnego łączenia ze światłowodem o średnicy rdzenia 0r = 200 yum.
DOPUSZCZALNE PARAMETRY EKSPLOATACYJNE
Prąd przewodzenia
IF -100 mA
Napięcie wsteczne
ÜR 2 V
Temperatura obudowy t
case -40 + +55 ° c
Temperatura przechowywania
tstg -40 + +70 °c
W S T Ę P N A K A R T A K A TA LO G O W A
.
. . .H ■ii. i' .». L inn. i ni u. wrwinnimrwii w imu. . i r .m w i . r m i n i ir . T i i. m ir ■■■■■ ■- m m i inni i
- 2 -
PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE
Nazwą parametru Symbol Jedu« .Wartość Warunki rnln. max. pomiaru Moc promieniowania pe mW 2 3 - IF = 100 mA Napięcie przewodzenia UF V m m 1,8 2,5 Ip = 100 mA Długość fali odpowia
dająca maksimum charak
terystyki widmowej AP nm 800 - 900 Ip = 100 mA Szerokość połówkowa
widma promieniowania iA0,5 nm m m 40 50 Ip = 100 mA
Prąd wsteczny XR ^uA - - 100 Ur . 2 V
Niewspółosiowość obsza
ru emisji względem ścianek bocznych obudo
wy
A yum - 50 100
Rys, 1, Obudowa CQYP 43
- 3 -
I pfm A]
-40 -2 0 0 20
Rys. 2• Charakterystyka prądo- wo-napięciowa
Rys. 3. Zależność dopuszczal
nego prądu przewodzenia od tem
peratury obudowy
A A Q g '4 6 m m
A(jvri]
Rys. 5. Względny widmowy roz
kład mocy promieniowania Rys. 4. Charakterystyka mocowo-
prądowa
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa tel. 43-54-01
tlx: 815647 .Druk ZOINTE ITE
Cena 40 żł
PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE
