INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
Ukł-ad ŁJCY 74S4023 pełni funkcję kontrolera pamięci dynamicznej RAM w 8-bitowych systemach mikroprocesorowych. Przeznaczony'jest do pracy w elektronicznym sprzęcie profesjonalnym. Kontroler wytwarza wszystkie sygnały niezbędne do bezpośredniej współ
pracy mikroprocesorów MCY 7880 i 8085 z pamięciami dynamiczny
mi RAM 4 i 16 kbitowymi z multipleksowanym adresem, takimi jak: MCY 7116 i MCY 7161.
Układ umożliwia odświeżanie pamięci przez mikroprocesor bądź przez wewnętrzny zegar układu. Kontroler może sterować i od
świeżać do 4 banków pamięci o sumarycznej pojemności 64 kbajtów, słów - max. 16-bitowych - co odpowiada 64 układomMCY 7116. . KONTROLER PAMIĘCI DYNAMICZNEJ RAM UCY 74S402J
a h a [fi <=’ aoTi'ucc
AH3 t 2 39 ] A AH2 C 3
38
3 A Hg AH-] C 4 37 I X-ijcLK AH0 [ 5 36 1 XojOR, AL0 C 6 35 3 TNK OUTqi 7
34 I REFC^AIE AL-| £8 U C Y ^ PCS ouT^ c 97ASA02J32 3 AL2 no 31 ] \VR 0UT7Ci1 30 3 SACK AL3 112 29 3 XACK OUT3 C13 28 ] W E “ ' AL4- c 14 27 1 CASAL^PjC 18 23 3 “RAS^
OUT^ [ 15 26 3 RAS3 A 1-5 C16 25 3 Bj/OPi 0UT5C17 24 3 B0 OUTgl 19 22 3 RAS
Rys. 1. Rozkład wyprowadzeń
WSTĘPNA INFORMACJA TECHNICZNA
- 2 -
Oznaczenia wyprowadzeń
ALq - ALg/OPj - wejścia młodszych bitów adresu. Sygnały te po przejściu przez multiplekser są adresami wier
sza pamięci RAM. Wejście AL^/OP-j służy dodat
kowo do selekcji modu 4 k;
AHn - AH, - wejścia starszych bitów adresu. Sygnały te po
U 6 ©
przejściu przez multiplekser są' adresami "ko
lumny pamięci RAM. W modzie 4 k wyjście OUTg może sterować wejście CS pamięci RAM;
0 U Tg - OUTg - wyjścia sterujące wejściami adresowymi pamię
ci RAM;
WE - wyjście, zezwolenie zapisu. Sygnał steruje za
pisem danych do pamięci RAM; •
CAŚ - wyjście, strobowanie adresu kolumny. Sygnał służy do "zatrzaskiwania" w blokach sterują- . cych pamięci RAM adresu kolumny;
RASg - RAS-, - wyjścia, strobowanie adresu wiersza. Sygnał wykorzystywany przez pamięć RAM do zatrzaśnię
cia adresu wiersza;
Bg, B1/0P1 - wejścia, adres banku pamięci. Sygnały te określają, które z wyjść RASg - RAS^ są ak
tywne.
Wejście służy dodatkowo do selekcji mo
du kontroli z przyśpieszonym odczytem;
RD/S^ - wejście, żądanie odczytu pamięci. W modzie nor
malnym zero na tym wejściu oznacza żądanie do
stępu do pamięci w trybie odczytu*
W modzie przyspieszonego odczytu wejście ste
rowane jest sygnałem 5^ z mikroprocesora 8085.
Żądanie odczytu jest w tym modzie określone przez stan wysoki na S^ przy opadającym zboczu sygnału ALE;
WR - wejście, żądanie cyklu zapisu do pamięcJ, /ero na tym wejściu oznacza żądanie dostępu uti p a
mięci w -trybie zapisu;
- 3 -
PC 3
R£FQ/AlE
XACK
SACK
V 0P2 XX/CLK
TNK
UCC GND
wejście, zabezpieczenie wyboru układu; Sygnał służy do wyboru bloku pamięci, jeżeli mikroprocesor steru
je więcej niż jeden układ UCY 74S402. Żądanie dostę
pu do pamięci jest uwzględnione przez układ, tylko wtedy, gdy na wejściu PĆŚ jest zero logiczne;
wejście, żądanie odświeżenia. Jedynka na tym wejściu ' powoduje wykonanie przez kontroler cyklu odświeżenia pamięci. W modzie przyspieszonego odczytu wejście to, na które podawany jest sygnał ALE,służy do stro- bowania zapisu w wewnętrznym przerzutniku stanu wejś
cia S j ;
wyjście, powiadomienie o transferze. Sygnał określa moment zakończenia cyklu dostępu do pamięci. Jest używany do zatrzaskiwania danych przy odczycie pa
mięci RAM;
wyjście, powiadomienie systemu. Sygnał określający rozpoczęcie cyklu dostępu do pamięci, używany do sterowania linii READY mikroprocesora. Sygnał SACK może być opóźniony, tzn. jego zbocze opadające po
krywać będzie się ze zboczem opadającym sygnału XACK, jeżeli żądanie dostępu do pamięci nastąpiło w czasie trwania cyklu odświeżania.
Sygnały XACK, SACK generowane są dla umożliwienia mikroprocesorowi synchronizacji z pamięciami o róż
nym czasie dostępu;
zaciski zewnętrznego oscylatora kwarcowego;.
wejście. Oscylator kwarcowy podłącza się zgodnie .IV
z rys. 3. Jeżeli wejście Xg/0P2 połączyć przez re
zystor 1 k£> da +12 V,' to X~1/CLK jest wejściem o poziomach TTL dla zewnętrznego oscylatora steru
jącego.UCY 74S402;
podłączenie obwodu rezonansowego w przypadku użycia kwarcu overtonbwego (rys. 3);
zasilanie 5V±5%;
masa 0 V.
- 4 -
DOPUSZCZALNE PARAMETRY EKSPLOATACYJNE Napięcie zasilania
Napięcie wejściowe Temperatura otoczenia w czasie pracy
Temperatura przechowywania Rezystancja termiczna złącze-otoczenie
Temperatura złącza
R CC
'amb 'stg th j-a
±3
■ 0 , 5
-1 0 -55
7 V
5,25 V 70 °C 125 °(
150
K/W Oo
AL0 - AL6 /0V AH0 ’S
WR PCS
refq/ale
LICZNIK ODŚWIEŻANIA
B-j / OP, ^.B0
RD/S1
ARBITER
ZEGAR
ODŚWIEŻANIA
V opi
Xi/CLK TNK
MULT1PLEKSER
UKŁAD GENERACJI SYGNAŁÓW KONTROLACH
OUTg-OUTg
-fi- w e
CAS RAS0
•RAS«
■RAS 2
■~RASl -*~XACK
SACK
Rys. 2. Schemat blokowy układu
-r~ i •H 3 > > > > > >
03 Cm <c
N C CD m tn tn in m <c en s
U 3 -rH \0 > > CNi CM CM ■ci* r» E E r—
CO fc) E » ~ ** " r—1
c CD a tn m m m <n O o* in rn ■5Í* 1
m-4 • s CL
ii il il ii u II u u n II II
oc o o o CJ CJ _ i _ j CJ X
CD o CJ CJ i—i o f—l u a o CJ o
T3 X X X X X X X t- i H-l X h-t
O
CL -
CD
T-t ■
c • CM tn in
X CD o m <t* -5J-
■H co m — — — "
i—I E O o CM o a O
s n >o
03 SD
•f-i O
i* -H
à?
in CD
+1 s
> -
in C O <1* MD
<r r* —
u E CM CM CM
u e j x
-
c <c < t
IxJ ■a m ' > > Z3 E > >
z 03 \
NJ n
r i *
> - f—f
1— O _J X X _J —I X
un J3 l-H 1—1 1—1 1-4 o a
> - E CM X X) 1—1 I-+ X - X
a : >> 1
LU en
1—
X E E
c •r-l *1—I
c c 1 i
<c en E en > .
X ••-i 3 *r~i E •r-l 3
c j c *r*4 ■ C
o
>- 03 03 en en 03 CD
c c •i—t ■i—t > , •r-l •H
1— C C 3 C C C
LiJ 3 co co CO CO
s : i-I -H +-> en 03 •H .-4-»
< -H U3 en •H •»H en en
c r 03 C C
< = 3 3 co CD 3 3
Q_ CD ✓—s r—N -H /—s •H
-1 1—[ 0 co 03 co en co en CO 03 co 03 CO
LU CD S - - t 3 •f—i ■H •H 3 •H 3
Z d t O o a o 3 O 3 CJ a C3 O a
M •»h xn •«-i sn nn Kn ■pH •xn -r-l nn
CJ CD O ■* 3 a •<-3 > , •<*-) >> ■r-> O *r-j CJ •r- )
>- 5 ■in 03 sn 03 3 CD 3 03 >cn >% 'tn
CE N ■’- i 3 .(-j 3 a 3 □ 3 ■i-j 3 •<**) 3
H- co 03 CD ■i—i *f-i > . >>
Z 3 03 3 03 u 03 ü CD 3 03 3 M 03
UJ •r-l ■r-l Kn »»—1 nn CD rM CJ r+ń
_J 03 CD • o ■r-j co 03 < r CO CD <X CD
LU ■r-l +-> ■H -H 0 +-> 03 -h> •(—1 X -H ■r-l X 4->
O CD O en 3 en 3 tn O en O ' en
a? >> ay E > . >* _1 o 03* o a? E - O
•r-l N •ri •«H N "O N TJ C_3 N • i—I N ■rH •r-l N
cl en CL -S en . co» en CO» N , o CL o o CL CJ O
co 3 CD O 3 E-t 3 h rH ex CO < CL CO O <X CL
Z W Z en Q_ a . X Z co Z en CD ^
ELEKTRYCZNEPARAMETRYCHARAKTERYSTYCZNE
vO
>
LA CM l a
n t u CJ
=D
< c
> s LA LA
U w
C J * H O HH
ZD 1
VD
CD
> ,
f-4 rys. 6 \ o cn
> »
t-4 rys. 6 MD cn
> * u
M3
cn
> »
( - 1 rys,6 obciążenie32RAM obciążenie64RAM
LA
250
o :
•— 1
54
CL - H CM i—i
a l a j a
+ + C L C L - H 4->
CM CM
a
r A a o
O * O LA r-H r H
C L i—1 f A I >
- f-3 | J Z CL 1 C L CL
O CL CL 4-> CL - H * H
t—1 - R ■H L A - H CM CM
r A < c > cn cn cn cn cn cn cn cn
E c c c c c c c c
/ * \ o .
CJ r H o CM CM CM CM
CM CJ i—i CL a : n z CC 3Z C J a
1— 1 ZD -W - H <z CO c c n CJ
1 c r c CJ < oc
-H- 4 0 4-J
CD ca > 1 > ,
IM N c c
cn cn e E
u C-4 3
OJ CD ■ 03 1—1 r H
3 •rH -t-i o a
o CD 3 3 J ć
•f-i ■ tH
o CO n r j =3
x n CD CD CD cn cn c n
•i—J ,—\ CD 03 03 CD CD <£
r— 1 CD CD N ' z i C-l U U u CJ
3 - H \ i—i T J X ] T T TD
o CD cn CD CD CD
CD SD C-ł c n
CD • H - r - j O O CD co CD CD <
• H O CD 4-> •r*4 •rH •rH o r
C d y 3 CD CD C c c C
CD *i—I /—ł CO CD CD CD
r H C L 03 > > C E 1—ł E r H (D
*H ca CJ CD > . CD > » CD •rH
cn c a: cn 3 : N - H N -4-> c
CD -H a f-4 C-l cn f-i cn CD
N CD CO -H +-> Z3 -H 13 • H
C ^ cn c
U B N as cn cn cn cn cn 'fM
CO3 03 cn u CD CD CD CD CD O
U ■<-> 3 J ć N N N N N CL
CU = 3 w a CJ C J CJ CJ CJ O
ELEKTRYCZNEPARAMETRYCHARAKTERYSTYCZNE,q.
X 2 T 2 : 2 :
< < <c <
CC c c c c c c
c m -s r CM -5 f
K \ MD m MD
0 0 0 0 * *
MD * r-ł -r-l •1—! •<—! MD
C C c c < r <—f
0 0 0 0
M3 MD MD -IM -NI MD MD -N -N MD K J *CD MD
co5 co3 OT OT CD* Qy
A • * • >i-ł *tH • • ‘ r l * r ł - -f-ł t H *
tn tn cn 0 0 0 0 a a 0 " E E 0
> , >% > , -Q -Q >> > , X3 -Q > , ■ ra co > »
C-ł t4 t~! O O f-4 f-j O CD £-1 CL CL U
tn r - +
CL CL a .
UTV
V 0 CD +
r ~ c d X
. t n cm Cl
CD 0 O 0 tn a
a t n m m c m m CL ■ CL m
-=d" I 1 1 1 t +j +j +
i CL CL CL CL c l a . ca <1- X
CL + - 1 -H 4-1 +-> -f~> -H ■=*■ MD- CL
ŁT» t n tn <d- Ln tn t n cm
m tn tn 0 cn 0 0 0 0 0 0
c c c c c c c c c c
^ •
CM m ;
cn X cn X Lu
CM 0 cn <c Q_ CJ LU ct:
~T c c CD OC s CC C J
-H -h +■> -H + > +->
¡c n
t cn < c len
< (CD 1
Ic d |CD 0 .
E 0 *r*ł
E tD E •H 3
CD TD 0 c w
• a CD1 TD N T3 ic ń
0> 1---i CD> C-l 0 * *
i—I CD) 1— 1 -H \o c
CD IM len 0 3 0» A
NI 3 < c N C -rH f
3 Ic j cn 3 3 E
(cn <c 0 CO ł
1—4 JLU r j c c [LU 3 rH ICC
| 3 le n 0 | s | s
1—t 3 > >N
co co 0 >o co N CD
•>-ł • H CL 0 ■•H TD ! a
C c E 1—1 c 0* *tM l a :
03 co -.-1 D OT •H E .
r—I E CL E E >> ra
CO > . •O E O C • r ł
4-> NI >cn *r“i N CL CO c
tn C-J 0 f- i 3 0
3 4-> j ć CL -ł-> * C L O • H
o OD* 0* t-ł co c
tn tn u •H 0 -H 0 SM
co co 0 0 CO 0 C C •O
N N Ni TD N TD 0 CO CL
CD CD cn O 0 a cn -n O
2: 2:
<c <c
cc cc
CM <3-
m
\a
(U (U
MD
0
> ,
u
c (U
■NI
c
CU
•N OT CO*
•
O
1—I **“4ja
aJOo o t n oo OD 1—I
+ +CL CL +->. +•>
m m + +X X CL CL
LT\ tn
CM CM
+ +
CL O .
+■> +J
CM CM
+■ +
X X CL O .
.+J +J
0c cn c
oO
t o :
co c0
•r—I
MMc
>0
aO.
ELEKTRYCZNEPARAMETRYCHARAKTERYSTYCZNE
- 8 -
n
o
vo
CD
>>
t j
LPl
OO
i r \ CM
cn>.
u
M3
CD>
C-l
O
+
vo
>.CD
C -t
o
cn >, (-1
2; s :
<c c
CK CK
CM -sj- vO 03 .03
•1—ł •fł
c c
CD 03
VQ M3 ■N -N
CO* CO*
■ • •r-ł -■—(
cn cn O O
>> >» J3 J3
C-4 C-l O O
O -O
CNI CM + + CL O . +-> +->
LTv LT\
O
+CL O
•H
LPl
m o
cm <=r
i t
■ C L 'C L
+■* -H
t n in
CD C
CD C
CD C
cnc cnc. cnc c c:cn ‘cn
c k
LuCK +->
cnc c
+->C.J u c_d +•
CDcn
+->
X
-HCJ
cn<c
CK
UJCK
•>—CUi cCD
•H
c
MM
KJ OCL
<EO
=3cn C-iOD
TJCO CO
•r H
cco
E>,
N C-l
aCK
CK
cnco
N C J
E0
•aQJ>
t—i cn N3
IłK
O
ccn
P
IC K
[ C K
co
•rH
c
OD
•Hc
MM 'Cl
CL a
CJ
<c X
ii*;
C J
ccn
PCK
ICK
c
OD
•rH c
'■NI
>0 a . a
ODo
•I-Dco*
CO +->
cn ca C-t coc
OD
M U jaO N
~ao P|CK
1^
3
*0r\H
CO
c DD
>cn
CL CD*
+->
cn T3 O
CD
< r cn co oN o
■ON
O DD QD O
CO*
co 4->
cn co (•4 coc
pI C K
Ig
3 KJ rMCO
c
Od
>>
cn co
•r H
c.
OD i—I co cn o cn co N CD
a OD CDu
co*
• I-D
4->co cn cou coc
CO N O O JD M e OD
• a CO CD* £-4 i—i CO
OD OD
N CU
3 N
IłK
C_D C X
cn
C_D CL a>*
4->
CD TJa
ELEKTRYCZNEPARAMETRYCHARAKTERYSTYCZNE
- 9 -
MD
m d MD MD MD MD MD V0
. . • . . . .
cn tn tn tn tn tn cn
> . > , > * > , > . > , > *
C-4 u P i u (H u u
IT \
-
a t a
a LP\ O o c o a a
- i f t-H CM CM < f
1 +
a . CL
-H 4->
CM CM
cn tn tn tn tn tn cn
c c c . c c c c
ir> c n
CNI o 3 _ l ■j z 3 _ i « <
c X t_D 3 c - j
+-> +■> +-> H-> •H -H -H
LU U J
_ l
< c C
1 ° E e
\o c tu 03
T 3 TD
2 a ? (D*
ic n C 3 • o i—H rH
< c o Ll. rM ic n CD CD
r*H l o c LU tn < r N N
i X CC c [e t: tu 3 2
ł CD Il u cj
O =3 > . E | 3 CD' «*H t-H
1 tn tn tn tu •<—i c n c n
1 ^ f—i rH T3 to
C-D 3 zs CO CD1 -H 03 CD
C CL CL •rH ’—( 3 tn •fH
| x E E C CD co c c
•rH ■fH CO N (H 0 CD
CU E 3 tu to r-H E .
•H - o •CD >% •rH C ca >
c ><n w N ICO c +-> N
tu o o fH I O tu tu cn U
•«H -ł-> |Q _ •rH IM D 4->
c o o c u
•NI u (-1 tn -rH •N I O cn cn
• a tu tu CO <d _ a CD CD
CL N M N l c c C L N N N
O c n c n o I s O W C J CJ
ELEKTRYCZNEPARAMETRYCHARAKTERYSTYCZNE,
- 10 -
X3 O
---t-
. 1 0 t
ai
^ ' O -NI > , 3 X o
c + > O C +-> C_3 SD
i—1 E ca aj3 3 rM
CD 3 -H -+->
E -T3 co E ca
> ,2 ! <0 U co N
0 C rVi O CL •a
vo ^ ^ cl co CO3
CD 3 N X3 0
2! -H 0 •rH
MD MD a - 0 3 c
<d*-h U KJ 3 CD
. * -rH O ■a 3 -f-5
CD cn □ E d i CO -<H -i-3 cn
>> >> ■p ca *(H c o
U *H ro .cl E •rH -H N N.
rVI CO O 3 0
Jć CO CL CD3 N N 0
3 -rH •H £h U •H
C ra E 0 CL C
•rH 0 -H CO NI
E -N C □l f-) E
LJ“\ > , 0 0 CL >> Z3
C -rH -N 3 c ■a
N 3 0 cl ca o co
CJ *0 ‘rH cn3 u r—i rM
•H T3 3 -H 0 HD
E O '0 0 -rH 0 3
CD "O O 3 U
' C 0 o ■o ca Jsl 0
> , 0 N a •*H
-a u ay 3 c:
r-t .—! 0 0 ca
tn CM •rH O 0 2Ć. -rH •rH 5
rH CNI 'E > . c O O
ca >> ra o c c
U C CD 0 o
H-> r—1 CD 0 o E •r-j
0 CO E • ca a O •
E E > , co n cn E • *JĆ CD3 CO > 3 tJ O <d- \ C *H
' c-i 0 ca r - 3 -i- ) 3 cn
rA cn cn ca js: 0 cd > . 0 «łH
c C CL CO -rH 0 rM >- O -H
E C N CO CJ3 CD C O N
-H O ZD 0 xn -H 0
0 N -rH CO3 ■H 0 •I- )
0 0 r—i -rH N T3 Js: n - 0
•r-j NJ 0 O 0 CO a o CD -rH
CM _ j □z f-< -n sn N r»H 0 3 C-i C
0_ CL. > , a 0 o (4 Js: >, 0 E
-H -H C 0 3 CLZD 3 -H N NI
O -H -rH • CL
rH 0 * i—I •rH * 3 CO3 -a o KD 0 -rH -r-3 rH C -H a -h
0 O 0 C CO 0 c
i-i IH +» •N i—1 •4-» > , >>T3
a: ^md 0 0 -H 0 3 N 0
O C E CD3 ■ n u * 0 -H
O a o Ni caSI O >, ■i~) 3
O CD C0 H Q -+-> O T3 JH 0 O
CD <1) tn nn 0 0 >. *o •rH Q_
CD •rH CD 0 -r-) CO3 3 3 •rH +J C "O
♦rH jć cd u 0 jć •rH -H O ' N J£ . E O
o o j ^ h 0 N 0 0 T3
cn 0 NI O iNJ -rH T3 0 0 a ~ 0 oc
•rH >, ra c 3 •<“) (H JC o •h cn
c 3 CO U o 03 N <c
o O 0 0 0 tH U ro 0 0 •o -ł-3
T—1 3 CD 3 CD u c ro -H CL O N -H , 0>
c CD C 0 j«: i-h c 0 kj CU X I 0
ca c ca c O T3 rH co3 0 xn CLT3 ra
4-> N +-> N UP, O 0 o •o a cn N
cn U 0 u > ,W 0 3 a 0 [UJ <£ a
+-» -H C E O 0 tH 3 3 -H . H->
ca ay CO 03* I-H CO "O -H CL o 0
•rH c •rH c CO Ch CM a C rVJ Kn •rH *rH
c s C 3 E CO N > . tH ca ca o rH C
ca CD CD 0 •rH 03 *rH 0 H-> c c 0 >,
5 N 3 N C 0 0 *0 CD -rH 0 O) -N HM "O
fH C-i ■rH N O CO NI E >A 0 0 0
Hh3 ca -p ca 2T C 3 ■CJ sz CO rH I-J -r-5
CH U 0 >* O N a ca /—^
cn ca 0 CD r-l 0 3 0 CSJ 0 > rA n 1
ca CD CO CD u ca ' N o
N CD N 0 j<: >> <h fH CO3 2 0
o N CJ N o u a CL-O V-/ C
> CJ rMX
CO C •iH 03 ■
>i 0CJ
<t t co cd ca
•rH c c.
0
•r—{ NJ r H O KH MZ CD O
.r-jjć
CO
~ N ic c 1 3 . - H .
C SN CD
■n E
co3 o
-O E
en ca N
> , o rH 3
co >a c 3
CD>.'tH cn
rVIJć XI
•rH 3 C. I—i NI
•Ha0
•rH CO C -H
nn o
•'03 03 N N
o o
3 o
•N Jć
3 c o
•I~i N
■H O
r H T J 0 -N -N
0 CO
ca3 --r-)
0 ca c0 0
co E
CJ u -H łC CJ ccn
0ra
N
o co
LA
-cn0
CJ t i CX o
- 11 -
H asfH t
RÓW ADOR
COLUMN ADOR
DELAYED SACK SACK
XACK
t wcw
|twcs
* W CYKLU ODCZYTU SYGNAŁ WE JEST CAŁY CZAS 1 LOGICZNA,
-Pys. 3. Przebiegi czasowe w układzie przy wykonywaniu normalne
go cyklu zapisu lub odczytu pamięci
- 12 -
X i/C L K
Rys. 5. Przebiegi czasowe w układzie przy wykonaniu cyklu czytu w modzie z przyspieszonym odczytem (współpraca z mikro
procesorem 8085)
Rys. 4. Przebiegi czasowe w układzie przy wykonaniu cyklu od
świeżania pamięci
XACK
SACK
POZOSTAŁE SYGNAŁY I CZASY JAK W NORMALNYM CYKLU ODCZYTU
REFQ
RAS0f3
ł A5fH tlBAM*
ouTQ-6 A ADRES V UCZN|K ODŚW. INKREMENTOWANY ADDR Ą- ODSW. Ą _______________
W CYKLU ODŚWIEŻANIA WYJĘCIA CAŚ, W~E, ŚACK, XACK SĄ NIEAKTYWNE
- 13 -
w f c
Rys.
WYJŚCIE WARTOŚĆ CL
32 pamięci 64 pamięci SACK. XACK
o u t q - o u t6
r a s q - r a s3 WE
CAS
30 pF 160 pF 115 pF 224 pF 320 pF
30 pF 320 pF 230 pF 450 pF 640 pF
6. Obciążenie wyjść przy pomiarze parametrów dynamicznych przy obciążeniu układu 32 bądź 64 pamięciami RAM
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa Tel. 435401 Tlx 815647
Marzec 1988 DRUK ZOINTE ITE zam. 4^/88 n . 3
OQ
Cena 140 zł
PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE
