i 8 M ___
S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ
PA5fII$ STAIA R O M 4 K M C Y 7 3 0 4 N X X ^
Rys. lo O bu do wa CE-73 dla M C Y 7 3 04 N X X
Pamięć M C Y 7 3 0 4 N X X 3&'> jest s t a t y c z n ą p a m i ę c i ą s t a ł ą R O M 4096-bitową, o o r ga n i za cj i 512 słów 8-bitowych, w y k o n a n ą w niskoprogowej t ec h no l o g ii NMOS z b r a m k ą krzemo\vą.i implan-
tacją jonów. Posiada ona sterowana w e j ś c i a m i 0 E 1 , OE2 / ze zw o
lenia w yj ś c i a d a n y c h / trójst a no we w y jś c i a danych, p e ł n ą k o m p a t y b i l n o ś ć w e j ś ć i w y j ś ć z u kł ad am i T T L oraz p o je dy nc ze n a pięcie zasilania U DD = +5 V.
Typowe zastos o wa n ia pamięci stałych R O M - to p a mięci p ro g ra m ów m a sz y n m i k r o p r o g r a m o w a n y c h , g en e r a to r y z na k ów a l f a n u m e -
^ X X - d wuliterowe o znaczenie zawartości pamięci.
W STĘPN A KARTA KATALOGOW A
ze z wo le n i a w y jś c ia danych / u m o ż l i w i a j ą c y b e z p o śr e dn i e łącze
nie do 4 p a m ię c i / są p ro gramowane m a s k ą u producenta, w w y niku b e zp oś r ed ni ej w s p ó ł p r a c y u ż y t k ow n ik a z p ro du ce nt em . P r od uc en t nadaje każdej nowej z a wa rt oś ci d wuliterowe o z n a c z e nie, które - w połącz e ni u z n a z w ą M C Y - 7 3 0 4 N - u m o żl i w i a j ed no z n a c z n ą identyfikację zawartości w e w s z e l k i c h zamówieniach, k o r e sp on de nc ji etc.
Pamięć M C Y 7 3 0 4 N XX może pracować s y n c h r o n i cz n ie lub a s y n c h r o nicznie. Stan niski zezwolenia o dc z yt u a d r e s u / K K / p ozwala na w p r o w a d z e n i e adresu, n a to mi a st w y s o k i stan tego w ej ś ci a za
t rz a sk u j e w p r o w a d z o n y adres w bufor a ch a d r e s o wy c h . Dane p o ja w i a j ą się i p o z o s t a j ą stabilne a ż do o d cz yt a ni a n o we go adresu.
Gdy w e jście A R znajduje się w stanie niskim, dane w y jś c i o w e p o j a w i a j ą się a s y n c h r o n i cz n ie po czasie ta od p r zy ł o że ni a a d r e s u *
Układ M C Y 7 3 0 4N X X zawiera 22 w y p r o w a d z e n i a czynne:
- 9 w e j ś ć a d re so w yc h AO ■* A8 - 8 w y j ś ć d anych 01 08
- 2 w e j ś c i a zezwol e ni a w yj śc ia danych O E l / O E i , O E 2/ÓE2 - 2 w e jś c ia zasilające U ^ , U ss
- w ej ś c i e zezwolenia odozytu a d r e s u 3H.
Ro z mi es zc ze n ie w y p r o w a d z e ń wr a z z w y m i a r a m i o bu d ow y p o kazano na rys. i. R o z m i e s z c z en i e to jest k o m p a t y b i l n e z pamięc i am i EP R OM 2708, 2716, a także z pamięciami R O M 16IC M C Y :7 3 1 6 N oraz 2316E.
K at e go ri a klimat yc zn a 0 0 /0 70 / 10 w g PN-73/E-04550, p o z i o m j a
kości II w g B N - 8 0 / 3 3 7 5 - 5 2 .00, układ s ca lo ny IV stopnia / I S 4 / w g PN-78/T-01615.
Uk ł ad jest h e r m et y z o w a n y w dwurzędowej o b ud ow i e plastikowej CE-73 o 24 w yp r o w ad z e n ia c h.
- 3 -
D O P U S Z C Z A L N E P A R AM E TR Y E K SP L O A T A C Y J N E
N ap i ęc ie dowolnego w y p r o w a d ze n ia w z g l ę d e m U gs przy tfl|nb = 25°C
Napięcie drenu w z g l ę d e m U g g
P r 2 y ‘ a r a b - 2 5 ° C
Moc rozpraszana
T em p e ra t ur a prz e cbowy w an ia T e mp e r at ur a otoczenia w czasie pracy
ELEKTRYCZNE PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE
/t , = 0 - + 7 0 ° C , = +5,0 V ¿5%; w s z y s t k i e w a r t oś c i na-
/ amb ’ DD *
pięć są. mierzone w z g l ę d e m Ugg = 0 V /
Nazwa parametru Symbol Jedn „ W a r t o ś ć Warunki
min. m a x . p omiaru
' ... '“ 1.. ... . 2 “ .T~~ 4 5 6
Prąd upływności w e j ś ć
ILI yuA 10
U DD - 5,25 V, 0 V < U w o < 5,25 V, w s z y s t k i e w e jś ci a
Prąd upływności w yjść
t l o /U A -10 10
uk ł ad odłączony, 0,4 V < D w y < 5 , 2 5 V w s z y s t k i e wyjścia
Prąd zasilania
Tr;D mA 50 m a ks ym al na w a r
tość w w ar u nk ac h pracy, U D n = 5 , 2 5 V
Napięcie w e j ściowo w stanie wysoki m
U III V 2,0 5,2 5
#
w s zy s t k ie wejścia
U — 0,5 ~ +7 V
Ud d -0,5 ~ +7 V
max 1 W
t - 4 0 - +125 C
S t g
t , 0 ^ +70 C arab
E L E K T R Y CZ N E P A RA ME T RY C H A R AK TE R YS TY CZ NE c.d.
i 2 3 4 5 6
Na p ięcie w e j ś c i o w e - w stanie n i s
kim U IL V 0,8 w s z y s t k i e w e jś ci a
Napięcie w y j ś c i o w e w stanie w y s o
kim U 0 H V ■ .
T*
CM
U DD
U DD = 4 , 7 5 V I0 H = — 2 0 0 ^uA
Napięcie w y j ś c i o we w ,stanie n i s
k im U 0L V 0,4 Iq l = 2,4 mA
P oj e mność w ejść a d re s owy c h ,we j ś ć OE oraz AR
C i pF 6
w s z y s t k i e w y p r o - w a d z e n i a u z i e m i o ne poza mierzonym;
S m b = 2 5 ° C >
i = 1,0 mhz, - 0 v we
P oj e mn oś ć w yjść danych
C o pF 10
E LE K TR YC ZN E P AR AM ET R Y DYNAMICZNE:
a) dla pracy s yn chronicznej /rys. 2 a /
Nazwa parametru Symbol Jedn. W a r -/OŚĆ W ar u nk i
m m . _ ma*
1 UiO 3 4 5 6
Czas cyklu
*o ns 700
Po z i om y o d n i e s i e nia :
na w e j ś c i a c h 1 ^5 V na w y j ś c i a c h 0, 6 V
o ra z 2 ,~2 V
Czas d os tę pu orl w e j ś c ia a d r e s o we g o
^a(ad) DS 500
Czas trwania im
pulsu. zezwolenia odczytu w stanie n i s k i m /Ali/
tW ns 500
- 5 -
E L E K T R Y C Z N E P A RA ME T RY D Y NA MI CZ NE c.d.
i 2 3 4 .. 5..- 6
Czas u st alania .adresu
^su (ad) ns 0 50
Czas narast an ia i opadania im
p u l só w w e j ś c i o w y c h : 20 ns ; o b c i ą ż e n i e w y j ścia: i ,5 bramki T T L oraz C L = 100pF Czas zanikania
a d r es u
M a d ) ns 20
Czas p rz e tr zy mywania na w y j ś c i u danych
po przejściu impulsu z e z w o lenia odczytu
w stan niski th(da/Su) ns 20
b) dla pracy a s y nc h ro n i c zn e j /rys. 2 b /
1 2 3 .. 4 •" 5"' ... .... "6
Czas cyklu
*c ns 500
J a k dla pracy synchronicznej Czas dostępu
od w e jś ci a
a d re so we go ^a (ad) ns 500
Czas p r z e t rz y mywania na w y j ś c i u danych po zmianie a d r e s u
Si (da/ad) ns 20
c) dla w e jś ć zezwol e n ia w y jścia d anych / p r z y p r a cy s y nc h ro nicznej i a s yn ch ro ni cz ne j rys. 2 c /
i 2 3 4 5 6
Czas dostępu od we jś ci a
u ak t yw ni en ia ^a (en ) 113 300
J ak dla pracy s y nc hr on ic zn ej Czas z a b l o k o
w a n i a w y jścia od w e jś c ia u a kt y wn i e n ia
^dis (en) ns 300
a)
AR
Adresy X
Wyjścia danych
-C
ł h ( d Q / A R )
*c
t
\
PW
t
sufadT tX
dtod )
ł a ( od)
Y
c)
Wejścia uaktywnienia
0 E 1'0E2
^a(en)
Wyjścia Stan wysokiej
/
danych impedancji ^
