Mikroelektronika - układy mikrorocesorowe, pamięci półprzewodnikowe; 4-bitowy nadajnik/odbiornik szyny danych UCY 74S416/426N - Digital Library of the Silesian University of Technology

(1)

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

4 - BITOWY NADA3NIK/ODBIORNIK SZYNY DANYCH UCY 74S416/426N Funkcje układu

Monolityczny, bipolarny, cyfrowy układ scalony TTL-S UCY 74S416/426N pełni funkcję 4~bitowego nadajnika/odbiorni

ka szyny w systemach mikroprocesorowych, zwłaszcza w syste

mie opartym na jednostce centralnej MCY 7880N.

Wszystkie wejścia układu są kompatybilne z układami TTL ma

łej mocy. Dla właściwego sterowania układów MOS wyjścia DO maję podwyższoną wartość U0H / UO H m i n 3 '65 V/< w y^ścia DB przystosowane do sterowania dużych obciążeń pojemnościowych /Ini = 50 mA/. Wszystkie wyjścia układu są trójstanowe. Ukiad

ma dwa wejścia sterujące Ćś - wyhdr układu i DIEN - określa

jące kierunek transmisji. Oeśli CS «= 1, wówczas wszystkie wyjścia są w stanie wysokiej impedancji. Oeśli CS a 0

£5 [ T T '

1 16 > c c

D0fi[ 2 . 15 3 d ie n DBq[ 3 UCY 14 > o 3

f— 74S 416

D l 0[ 4 • 13 > B 3

00, [ 5 12 ] d i 3

D8, [ 6 11 ] d o 2

D1, C 7 10 ] D 8 2

MASA [ 5 9 ] d i 2

DBq - DB^ - wejście/wyjście szyny danych od strony systemu

DIq - DI3 - wejście danych DOq - D03 - wyjście danych

DIEN - wybór kierunku transmisji CS - wybór układu

u c c - +5 v

Masa - 0 V

Rys. 1. Rozkład i nazwy wyprowadzeń

W STĘPN A KARTA KATALOGOW A

(2)

- 2 ^-

i ^dif.Ń » 1, wówczas transmisja odbywa się w kierunku D B — -DO, jeśli CS“ « O i DIEN « 0, kierunek transmisji jest odwrotny DI — -DB.

Układ jest produkowany w dwu wersjach: z wyjściami nieodwra- cajęcymi - UCY 74S416N i odwracającymi ~ UCY 74S426N. Rozkład i nazwy wyprowadzeń przedstawiono na rys. 1, schematy logi

czno obu wersji układu - na rys. 2a i 2b.

PARAMETRY DOPUSZCZALNE Napięcie zasilania Napięcie wejściowe Prąd wyjściowy

Temperatura otoczenia w czasie pracy

Temperatura przechowy

wania

Rezystancja termiczna złącz©~otoczenie -

UCC U.

'0 Lamb

‘stg Rthj-a

■^0 ,5 -y ¡+7 V

*-1,0 <} -ł>5,5 V 3,25 mA O ^ > 7.p5ć ' -55 v +1Ź5°C

75 K/W

(3)

PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE

* • 3 ^—

Parametry stałoprądowe

Nazwa paramotru Symbol Oedpt. Wartość Warunki pomiaru min. max.

1 2 3 4 5 6

Ujemne napięcie

wejściowe ~UIL V i-

UCC = 4 '75 V -Ij = 5 mA Prąd wejściowy w sta

nie nis k i m : DIEN, CS

Pozostałe wejścia

~ IIL

/uA yuh

rm 500

250

Ucc = 5,25 V Uj s 0,45 V Prąd wejściowy w sta

nie wysokim:

DIEN, CS DI0 - DI3

" XIH

yUA/UA - 20 10

Urp

= 5,25 V o f - 5,25 V Napięcie wejściowe

w stanie niskim ~U IL V ^- 0,8

UCC = 5 v Napięcie wejściowe

w stanie wysokim UIH V 2 ^-

ucc * 5 v

Prad zasilania UCY 74S416N UCY 74S426N

ICC mA

mA

«HI

m r

130

120

Ucc

^{= 5,25 V}

Napięcie wyjściowe w stanie niskim:

D00 - D 03 UOL V 0,45

Ucc = 5,25 V I = 15 mA

DBq - DB3 V - 0,45 H c u inCM £ <

DBq - D B3 V ^o 0,6 I Q a 50 mA

Napięcie wyjściowe w stanie wysokim

D00 “ D03 U0H V 3,65

Ucc = 4,75 V IQ «= -1 mA

DB0 - D B 3 V 2,4 1^ a -10 mA

Zwarciowy prąd wyj

ściowy D0r. ~ DO_ u ć>

DBq - DB3

X w o

mA mA

15 30

S5 120

UCC = 5 V UQ ^h 0 V

Pfizy pomiarze IqS moźa być zwarte - tylko jedno wyjócio.

(4)

~ 4^~

PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE c.d.

1 2 3 4 5 6

Prąd wyjściowy w sta

nie wysokiej impedancji

D°o ~ D d3 DD„ — DB ..

0

^oCoff) /UA

^uA

- 20

100

Ucc = 5,25 V UQ = 0,45 V UQ « 5,25 V

PARAMETRY DYNAMICZNE /rys, 3* 4., 5/

Nazwa parametru Symbol CJedn. Wartość Warunki min. max. pomiaru Opóźnianie przy trans»*

misji DB — DO tPDi ns

.

₂₅ C L * 30 pF^{ry s . 4} R 1 = 300 a

Ili!

R2 = 600X1

Opóźnienie przy trans- misj i DI — DB

UCY 74S416 UCY 74S426

tPD2 ns

ns -

30 25

rys. 4 Cj = 300 pF R t = 90 n R2 = 180 O.

Czas wyjścia ze stanu wysokiej impedancji UCY 74S416

UCY 74S426

*E ns

ns

•5 65

55

r y s . 5

Czas wejścia w-stan

wysokiej impedancji *d ns “ 35 r y s . 5

|UCC

R1

W y j ś c i e

C^l

r2

Rys. 3. i|beię£enie wyjść przy pomiarze parametrów dynamicznych /bez tg i tD/

(5)

- 5^-

Rys. 4. Obciążenie wyjść przy pomiarach czasów i tp ; przy pomiarze czasu tp na wyjściach DO: Ci = 30 pF, R^ = 2 / 0 na. ^ rici w y j ¿ctun ^u ^\^jⁱ — ovj ¡jr , rc^ = n&

wyjściach D B : C^ = 300 pF, R* <= 9 0 Q ; przy pomiarze czasu tp

n a wyjściach DO: C[_ = 5 pF, Rj_ = 2 7 0 jQ, na wyjściach DB;

c L = 5 p F , R^ «= 90 il

W e j ś c i a

Ze zw o le n ie - j ć -

W y j ś c i a

Rys. 5. Zależności czasowe między sygnałami wyjściowymi i wej

ściowymi DB

S z y n a

danych CPU

Dr D1 d2 03

N

" S

Dc D, D7

D I E N

D O ° B

i—

oOD

O

<o

<■ D B i U C Y

7 4^S 4 1 6

t o D B *

B D B3

C S ' -

...' T i ...

" i D I E N

i

o !JP

U C Y s ^{d b} ⁵

7 4^S 4 1 6

|0 ^d ^b 6

i ł D8 7

C S

X

Szyna danych systemu

Tb uSeR

Rys. 6. Przykład schematu aplikacyjnego układu - dwukierunkowy bufor szyny danych

(6)

- 6^-

Rys. 7. Kształt obudowy AC49C 16-wyprowadzeniowej

Wymiary obudowy

Symbol wymiaru Wymiary /mm/ . Kęt

stopnie

min* nom. max.

A - *

mm 5,1 -

\

^0,51 ^- ^- ^md

b 0,38 *•» 0,59 mm

c 0,20 mm 0,36 -

D - - 20,32 -

e - 2,54 - -

e l - 7,62 -

L 2,54 4,50

' ME

^8,30 ^-

e

^{- ■} ^{.. -} ^{0 - 1 5}

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ Al. Lotników 32/46

02-660 Warszawa łuty 198?

t l x 815647 i m

t o l . 435401 Druk ZOINTE ITE zam. ^H ^/ ^S ^? n^{. 3 0 0} Cena: 60 vl PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE