• Nie Znaleziono Wyników

Mikroelektronika - układy mikrorocesorowe, pamięci półprzewodnikowe; 8-bitowy nadajnik/odbiornik szyny danych UCY 74S486/487 - Digital Library of the Silesian University of Technology

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "Mikroelektronika - układy mikrorocesorowe, pamięci półprzewodnikowe; 8-bitowy nadajnik/odbiornik szyny danych UCY 74S486/487 - Digital Library of the Silesian University of Technology"

Copied!
8
0
0

Pełen tekst

(1)

IN S T Y T U T TECH N O LO G II E L E K T R O N O W E

S - B I TO WY NA D A JN IK /O D.BIO RNIK

SZYNY DANYCH UCY 7ASA86/487

o n o l i t y c z n y c y fr o w y u k ła d s c a lo n y TTL-S UCY 7AS486/A87 p e ł n i f u n k c ję u n iw e r s a ln e g o 8 - b ito w e g o n a d a j n ik a / o d b io r n ik a s z y n y d a n y c h d l a 8 - i 1 6- 'b ito w y c h system ów m ik ro p ro ce s o ro w y ch ,,

U k ła d s k ła d a s i ę z 8 p a r b u fo ró w - a r iv e r ó w z w y j ś c i a m i t r ó j - s ta n o w y m i / r y s . 2 / . K a ż d a p a r a tw o rz y d w u k ieru n k o w ą l i n i ę t r a n s ­ m is y jn ą . K ie r u n e k t r a n s m i s j i d a n y c h o k r e ś lo n y j e s t p rz e z s t a n na w y j ś c i u k o n t r o ln y m I w sposób n a s t ę p u j ą c y :

W e j ś c i a / w y j ś c i a AO - A7 p o łą c z o n e s ą z l o k a l n ą s z y n ą d a n ych /od s t r o n y p r o c e s o r a / n a t o m ia s t w e j ś c i e / w y j ś c i e BO ~ B7 - ch a ­ r a k t e r y z u j ą c e s i ę w y ż s z ą o b c i ą ż a l n o ś c i ą — z s z yn ą systemową®

W w e r s j i UCY 7 4S48 6 u k ła d p r z e s y ł a i n f o r m a c j e w p r o s t , n a t o ­ m ia s t w w e r s j i UCY 74S487 w sp o só b zan eg o w an y. W e j ś c i e k o n t r o l ­ n e OE / a k ty w n y s t a n n i s k i / s ł u ż y do a k t y w i z a c j i o d p o w ie d n ic h b u fo ró w w y jś c io w y c h w z a l e ż n o ś c i od k ie r u n k u t r a n s m i s j i, , S t a n w y s o k i n a w e j ś c i u Oli w prow adza w e j ś c i a / w y j ś c i a AO—A7 i BO—B7 w s t a n w y s o k ie j im p e d a n c ji n i e z a l e ż n i e od s t a n u n a w e j ś c i u W u k ła d z ie UCY 7AS486/4S7 zasto so w an o o r y g in a ln e r o z w ią z a n ie

k o n ś t r u k c y j n e d r i v e r ów w y jś c io w y c h od s t r o n y s z y n y system o w ej /i:0 - B 7 / e l i m i n u j ą c e z a k ł ó c e n ia im p u lso w e / g l i t c h i n g / , p o ja ­ w i a j ą c e s i ę w 11- a k c ie p r z e c h o d z e n ia ze s t a n u w y s o k ie j im pedan—

T = 1 AO - A 7 T = 0 BO - B7

BO ~ B 7 ,

*— AO . — A 7 •

W S T Ę P N A K A R T A KATALOGOW A

(2)

~

2

~

c j i do o ta n u .n lr .k ie g o i n a o d w ró t / w e j ś c i a EO - B'/ o d z n a c z a ją s i e p o n a d to 'zw ięk szo n ym m arg in esem z a k łó c e ń d l a s t a n u n i s k i e ­

g o / , Z w ię k s z a to n ie z a w o d n o ś ć f i n a l n y c h system ów c y ir o w y c h . R o z k ła d w yp ro w ad zeń o ra z sch e m a t l o g ic z n y u k ła d u ja k n a r y s . l i 2 .

AO [

A1 [

Masa

u

1 W

20

2 19

3 18

4 r-. 17 5

co-<r 01 18 6

<r

>- 15 7

uID 14

8 13

9 12'

10 11

J BO

: b i

II g2

I ! 03

I I BS ] §6

3 B7

AO - A 7 130 - B ?

mx OE UCG

b\ SA

-• w e j ś c i e / w y j ś c i e l o k a l n e j s z y n y d a n y c h ,

~ w e j ś c i c / w y j ś c i e s y s te m o w e j s z y n y d a n y c h , - w e j ś c i e k o n t r o ln e k ie r u n k u t r a n s m i s j i ,

- w e j ś c i e k o n t r o ln e a k t y w i z a c j i b u fo ró w w y jś ć , - z a s i l a n i e +5 V,

- O V .

R y s 1, R o z k ła d i nazw y w yp ro w ad zeń

(3)

U C Y 74SA86

AO.

Al

A2

A4

A5

A 6 _

A7

!-

h- H

h

r -

L. .

OE

"1

BO

l->

h

. l

■i

¡1 __ B1

B2

B.3

B4

B5.

B6

B7

U C Y 74S487

R y s . 2 . S c h e m a t l o g ic z n y DOPUSZCZALNE PARAMETRY EKSPLO ATACYJN E

K a p i e c i e z a s i l a n i a K a p i ę c i e w e jś c io w e T e m p e ra tu ra o t o c z e n ia w c z a s i e p r a c y

T e m p e ra tu ra p rz e c h o w y ­ w a n ia

R e z y s t a n c j a t e r m ic z n a z łą c z e - o t o c z e n ie

T e m p e ra tu ra z ł ą c z a

u c c U I

V - 0 ,5 ? +7

V -1 r +5,5

^amb °C 0 - 7 0

^ s t g °C ' -55 -r +125

Rt h j - a T .

K/W

°C

100 150

(4)

-

4

-

1I ! • I ! I ! ) i I |10

u i i f r n r i ą j T p ^

D -

HySc-3. R y s u n e k obudowy

W y m ia ry obudowy

(5)

K!,EKTRYC2NE PARAMETRY ClW RAKTERYSTYCZHE /\}QC «

5

V i 10tf,

•tańb “ 0 * 70° c / W a r t o ś ć W a ru n k i N asw a p a r a m e tr u Symbol. J edn„

m in0 maz. p o m ia ru

1 2 3 4 5 6

P r ą d w e jś c io w y

w s t a n i e n is k im ~X I 1 M - 200

u c c = 5 >25 7 U j = 0 , 4 5 V w s s y s tk i e w e j ś c i a . P r ą d w e j ś c i owy

w s t a n i e w yso kim I IH - 50 ÜCC = 4 * 7 5 V

U-j- = 5 ,2 5 V w s z y s t k ie w e j ś c i a U j emn e na.p i ę c i e

w e jś c io w e . “ U I L V « 1

Upp = 5 T I ° k - 5 mA.

w s z y s t k ie w e j­

ś c i a l i a p i ę c i e w e jś c io w e

w s t a n i e n is k im w e jś c ia - PO ~ B7

} , -

Ï Ï I L V

« 0 ,9

UCC - 5 V

f

! p o z o s t a łe w e j ś c i a • - 0 , 8

N a p ię c i e v/e j ś c io w e

w s t a n i e w yso kim U IH V Z - UCC = 5 Y •

w s z y s t k ie w e j­

ś c i a

l i a p i ę c i e V iy jś c io w e

w. s t a n i e n i r k i n U0 1

— 0 ,5

0 ,5

Uc c = 4 ,7 5 V I = 32 mA/wyJ- ś8i a BO - B7 I = 10mA/wyj*' s c i a AO - A7

’"■ sp ię c ie w y jś c io w e

w r. t an i e w y s oí, .i. ra U0H 1 V

¡2 ,4 2 ,4

I

-

UCC = 4 '-7 5 V I = -5 mA/wyj- ś c i a BO » B7 I = -1 mA/wyj- ś c i a AO - A7

(6)

-

6

-

P A R A M E T R Y C H A R A K T E R Y S T Y C Z N E . c * d .

1 2 4 5 " “ 6 ...

P t rui v,!y "’'ści ov.ry

y/sto c z n y w st?.n1 g

v y so k i e j i mpedan c j i T0P <uA 50 200

u CG = .5 V

w s z y s t k i e w y j ś c i a . U0 = 5 S25 V

UQ = 0 ,4 5 V P r a d z a s i l a n i a "

UCY 74S486

UCY 7 4S4 8 7 t c g

mA mA

- 160

130 UCC = 5 >25 V Czas o p ó ź n ie n ia s y g ­

n a ł <5w v/y 3 śc i cwy oh vrz g l ęd em we j śc i 0wy c.ł

UCY .7^3486

UCY"7Ag4s7 fTvO V

n s

ns 35

25 r y s e4

Czas t r z y m a n ia s y g n a łu k ie r u n k u .

t r a n s r c is j i t EHTV ^EHOZ -

Czas p rz e trz y m y w a n is s y g n a łu k ie r u n k u

t r a n s m i s j i "bT Y EL n s 30 -

Czas Y/chodzenia

\vyjść:':v/ s ta r. w yso ­ k i e j im p e d a n c ji

^EHOZ n s 25 r y s „ 5 ? 6

Czas w ych o d z e n ia ze s ta n u wy s o k i e j

irr.p e d a n c ji ^ E L O Y n s - 50 r y s . 5 , 6

•1 x )

• W arunici p o m ia ru p rą d u z a s i l a n i a icę*:

UCY 7 4 S 4 8 6 T = T.ff O S - W 0 , A O - A 7 = 0-, UCY 7 4 S 4 8 7 T = 1, O E . = 0 9 A O - A7 = 1,

0 ~ s t a n z e r a l o g i c z n e g o , , 1 - s t a n je d y n k i, l o g i c z n e j

. | •

(7)

- 7 ~

a) *5V

12311

b] + 5V

1

250X1

w y o — r WYO y~

300pF 92X1

.30 pF 210X1

Kvs»4*- O b c ią ż e n ie w y jś ć p r z y p o m ia rz e c z a s u '^t y o v: v/Y 3 3C^-a B 3 v B 7 » b ) w y j ś c i a AO-A7

a)

WY o —

+ :,dV

33 X).

b)

WY O

+1,5 V

I ] 6 6 i L

~ “ 3 0 0pF i 100 pF

R y s . 5 . O b c ią ż e n ie w y j ś ć p r z y p o m ia rz e czasów W i0 z j ^ Ę K > V ¿ l a s*;anu n i s k i ega n a w e j ś c i u : a ) w y j ś c i a E 0 - B 7 , b) w y j ś c i a A0-A7

g)

WY o

1,5V

130X1

I

: 300 pF

b]

WY . o

1.5 V

900X1

i

100 pF

Ryt- 6, O b c ią ż e n ie w y jś ć p r z y p o rd .a rz e czasó w t™.I0 Z , ^ E IO Y . fj- s i a n u wysokiego- n a w y j ś c i u : a ) w y j ś c i a B O » B 7 , t>) w y j ś c i a A

d l a

(8)

- 8 -

I ± 1

ZEGAR 8284

1

V V - V _____

rtLE A16-A19 8086 AD BHE : MN/MX

DEN DT/R

STB 74S482 UCY

/x31

^ ADRES -> BHE UCY

7AS486 Jx 2/

T OE

DANE

E j o , 8 . Z a s to s o w a n ie ' u k ła d u UCY

74

S

486

w m in im aln ym z e s p o le j e d n o s t k i c e n t r a l n e j 8086

I?! STY TUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ A l . L c lin M ów 32/46, 02-668 W arszaw a

t e l , 43^401 _

t l z 815647 Druk ZO IN TE IT E zara0 n . „ 0(7 Cr.na 80 .

?>. i 1 r>37

PRAWO REPRODUKCJI ZASTRZEŻONE

Cytaty

Powiązane dokumenty

krywać będzie się ze zboczem opadającym sygnału XACK, jeżeli żądanie dostępu do pamięci nastąpiło w czasie trwania cyklu odświeżania. Sygnały XACK, SACK

[r]

Przy nadawaniu sygnału szeregowego UART automatycznie umieszcza bit startu na początku każdego znaku oraz 1; 1,5 l^b 2 bity stopu /w zależności od wyboru/ na końcu każdego

Działanie pamięci jest całkowicie asynchroniczne. 1) jest taki sam, jak dla standardowej pamięci stałej 2316E f-my INTEL oraz pamięci re- programowanej EPROM (np. Dzięki

[r]

Obudowa układu MCY 7114N. INSTYTUT TECHNOLOGII

Trójstanowe wyjście danych o dużej impedancji w stanie wyłączenia oraz wejście &#34;wybór modułu&#34; zapewniają szerokie możliwości zastosowań układu MCY 7102N

zapisanie instrukcji rodzaju pracy /oraz znaków synchronizacji dla pracy synchronicznej/. Kolejny zapis instrukcji rodzaju pracy możliwy jest jedynie po ponownym