• Nie Znaleziono Wyników

Mikroelektronika - układy mikrorocesorowe, pamięci półprzewodnikowe; 8-bitowy rejestr/bufor szyny danych UCY 74S482/483 - Digital Library of the Silesian University of Technology

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "Mikroelektronika - układy mikrorocesorowe, pamięci półprzewodnikowe; 8-bitowy rejestr/bufor szyny danych UCY 74S482/483 - Digital Library of the Silesian University of Technology"

Copied!
8
0
0

Pełen tekst

(1)

8—BITOWY REJESTR/BUFOR

SZYNY DANYCH UCY 74S4S2/483

Monolityczny cyfrowy układ scalony TT1-S pełniący funkcję uni­

wersalnego 8-bitowego rejestru,bufora, szyny danych, dla 8-i 16- bitowych systemów mikroprocesorowych przeznaczony jest do pra­

cy w elektronicznym, sprzęcie profesjonalnym*

Układ UCY 74S482/483 składa się z 8 przerzutników D /typu zatrzask/ z trój stanowymi buforami wyjściowymi /rys.2/. Dwa sygnały kontrolne STB i OB poprzez zespół bramek sterują'za­

pisem oraz wyprowadzeniem danych z układu* Dane.wejściowe są wprowadzane do przerzutników, gdy wejście STB jest w stanie

aktywnym /wysokim /. Dane wejściowe są zapamiętywane w prze—

rzutnikach, gdy wejście STB przechodzi do stanu niskiego. Wej­

ście kontrolne OE /aktywny stan niski/ służy do aktywizacji buforów wyjściowych.

W zależności od konfiguracji sygnałów sterujących możliwe są trzy rodzaje pracy układu:

a/ transmisja danych z we.jścia na wyjście /układ przezro­

czysty/, wejście STB i OE w stanie aktywnym STB = 1 i OE = 0,

b/ pamiętanie danych STB = 0 i OE = 0.

c/ stan wysokiej impedancji OE = 1

W S T Ę P N A K A R T A KATALO GO W A

(2)

- 2 -

W wersji UCY 74S482 uli ład przesyła informacje wprost, natomiast w wersji UCY 74S483 w sposób zanegowany. W układzie UCY 745482/

/483 zastosowano oryginalne rozwiązanie konstrukcyjne buforów wyjściowych eliminujące zakłócenia impulsowe /^1itching/jpoja­

wiające się w trakcie przechodzenia ze stanu wysokiej impedan- cji do stanu niskiego i na odwrót. Zwiększa to niezawodność finalnych systemów cyfrowych.

Rozkład wyprowadzeń oraz schemat logiczny układu jak na rys, 1 i 2.

STB

DIO [ 1 W

20 D u c e

DI1 [ 2 19 D CQ0

DI 2 [_ 3 18 ] D 0 1

DI 3 [ 4 17 ] U 0 2 DI4 [ 5

co

00-<r 16 3 DO'3

D I 5 [ 6 W

15 ] C 0 4

D i6 r 7

>

O 14 ~| DÓ5 L_

017 [ S Z)

13 Mi ] D S 6 OE" £ 9 12 H 5 5 7

M asaja 10 11 STB

DIO - DI7 D00 - D07 OE

STB U CC MASA

wejścia danych, wyjścia danych',

wejście kontrolne aktywizacji buforów wyjściowych, wejście strobujące,

zasilanie + 5 V , 0 V

Rys, 1 Rozkład i nazwy wyprowadzeń

(3)

Rys.2. Schemat logiczny

DOPUSZCZALNE PARAMETRY EKSPLOATACYJNE

Napięcie zasilania UCC Y -0,5 r + 7

Napięcie wejściowe Y -1 T + 5,5

Temperatura otoczenia

w czasie pracy ^amb °C 0 +70

Temperatura przechowy­

wania

*stg °C -55 f +125 Rezystancja termiczna

złącze-otoczenie

^thj-a K / V/

A 100 ■

Temperatura złącza T . °c 150

(4)

- 4 -

*

D

Rys„3. Rysunek obudowy Wymiary obudowy

Symbol wymiaru Wymiary

<

-

1

1!-ri

Kąt [stopniej min, nom» max,

A - - 5,1 -

A 1 0,51 — - —

b 0,38 0,59 -

c o >» rv> O - 0,36 -

D - ~ i - 25,40

o - 2,54 - -

e 1 - 7,62 - -

j . 2,54 - 4,50 —

h e - 8,30

r:J ~ — 0 + 1 5

(5)

ELEKTRYCZNE PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE /«CC - 5 V i 5 - O T 70°c/

Wartoś 6 Warunki Nazwa parametru Symbol J edn. min. max, pomiaru

1 2 3 4 5 6

Prąd wejściowy w

stanie niskim - 1!! - 200 UCC = 5,25 V

U j = 0,45 Y wszystkie we jścia Prąd wejściowy

w stanie wysokim.

p L 50 Upp = 5,25 V Uj = 5,25 Y wszystkie wejścia Ujemne napięcie

wejjściowe -°IL V - 1 ?CC = 4 , 7 5 Y I .= -5- mA wszystkie wejścia ' Napięcie wejściowe

stanie niskim D II V • - Oj 8 Uco = 5 V wszystkie wejścia Napięcie wejściowe

w stanie wysokim

Y 2 - Ucc = 5 Y

wszystkie we. jścia Napięcie wyjściowe

w stanie niskim tjo l

Y 0,5 ?ac - . y iI = 32 mA v wszystkie wyjścia Napięcie wyjściowe

w stanie wysokim U0H Y 2,4 -

UGG - 4,75 Y I = -5 mi wszystkie wyjścia Prąd wyjściowy w

stanie- wysokiej

T 50

Uq c = 5,25 Y wszystkie wyj.

U0 = 5,25 Y

impedancji OF . M _ -50 U = 0,45 Y

x)

Prąd zasilania ICC mA - 160 UCG = 5,25 Y

(6)

- 6 -

ELEKTRYCZNE PARAMETRY CHARAKTERYSTYCZNE c.d*

1 2 5 4 5 6

Opóźnienie sygnałów wyjściowych względem wejściowych

UCY 74S4S2 ns 35

O UCY 74S483 H y o y ns - 25 rys;4 Opóźnienie sygnałów

wyjściowych względem sygnału STB

UCY 74S482

UCY 74S483 'bSHOV ns ns

c. 55

45

'

Opóźnienie przy wcho­

dzeniu w, stan wyso­

kiej impedancji ^EHOZ ns 0m 25 Opóźnienie przy wy­

chodzeniu. ze stanu

wysokiej impedancji ^ELOY ns 10 50 Opóźnienie sygnału.

STB względem sygna-

łów wejśćiowych tIYSL ns 0 - ' Czas trzymania syg­

nał ów w e j ś ci owy ch

względem STB tSI,IX ns 25 - Czas trwania stanu

wysokiego na wejściu

STB ^SHSL ns 15 -

x)

Warunki pomiaru prądu zasilania T

^CC*

UCY 74S432 DIO - BI7 = 0 . STB = 1., ÓE = 0

UCY 74S483 DIO DI 7 = 1:

# ~ ' ' - i

STB = 1, OE = 0

(7)

<rt- c+ P

a) 2,14 V b)

1.5 V c)

1.5 V

52,7il 33H ison

WY WY

300 pF

WY

3 0 0 p F 3 0 0 p F

Rys.4. Obciążenia wyjść przy pomiarze parametrów dynamicznych:

) obciążenie wyjść przy pomiarze czasów tll/G*/ , tSHOY* tlYSL, 'TTYi tsnSL» b ) obciążenie wyjść przy pomiarze czasów^tSIOZ dla stanu niskiego na wyjściu, c) obciążenie wy;isc przy -o miar ze czasów t'BHOZ i t'EIOY dla stanu wysokiego na wjj js cłu

Rys. 5. Zależności.czasowe w układzie

(8)

- 8 -

Rys;6; Zastosowanie układu UCY 74S.4C2 w ,minimalnym zespole jednostki centralnej G086

INSTYTUT TECHIiO LOGII KLEOfiONCMSJ Al, Lotników 32/46

02-660 Warszawa

t c l . /i 35401 t l x 815647

Cena 80 t

»/-,-1 io;>7

l)ruk ZO IN Ti] ITE aam.

PRAWO REPRO IJUiUJJl ZASTRZELONE

l / i •T - ^ /■> •O L>J>

Cytaty

Powiązane dokumenty

krywać będzie się ze zboczem opadającym sygnału XACK, jeżeli żądanie dostępu do pamięci nastąpiło w czasie trwania cyklu odświeżania. Sygnały XACK, SACK

[r]

Przy nadawaniu sygnału szeregowego UART automatycznie umieszcza bit startu na początku każdego znaku oraz 1; 1,5 l^b 2 bity stopu /w zależności od wyboru/ na końcu każdego

Działanie pamięci jest całkowicie asynchroniczne. 1) jest taki sam, jak dla standardowej pamięci stałej 2316E f-my INTEL oraz pamięci re- programowanej EPROM (np. Dzięki

[r]

Obudowa układu MCY 7114N. INSTYTUT TECHNOLOGII

Trójstanowe wyjście danych o dużej impedancji w stanie wyłączenia oraz wejście &#34;wybór modułu&#34; zapewniają szerokie możliwości zastosowań układu MCY 7102N

zapisanie instrukcji rodzaju pracy /oraz znaków synchronizacji dla pracy synchronicznej/. Kolejny zapis instrukcji rodzaju pracy możliwy jest jedynie po ponownym