• Nie Znaleziono Wyników

Próbka

W dokumencie Index of /rozprawy2/10027 (Stron 98-102)

Rozdział 6. Magnesowanie cienkiej warstwy magnetytu

6.2.3. Próbka

Pomiary wykonano na próbce cienkiej warstwy magnetytu, przedstawio-nej już wcześniej dokładnie w rozdziale 3.3.

6.3. Wyniki

Ponieważ VSM nie ma możliwości precyzyjnego określenia kierunku, dla-tego konieczne było wstępne określenie położenia prostopadłego i równole-głego płaszczyzny warstwy względem kierunku pola magnetycznego.

Ustanowienie kierunku równoległego i prostopadłego rozpoczęto od zba-dania zależności kątowej rzutu momentu magnetycznego próbki na kierunek pola magnetycznego µ(α), gdzie α jest kątem obrotu próbki wokół osi magne-tometru (patrz schemat na rys. 6.4). Wyniki pomiarów µ(α), prowadzonych w polu H = 1.5 kOe, przedstawiono na rys. 6.5.

Ponieważ wewnętrzne pole magnetyczne Hef f działające na moment ma-gnetyczny warstwy jest znacznie silniejsze, gdy pole zewnętrzne Hext leży

Rozdział 6. Magnesowanie cienkiej warstwy magnetytu 97

00000000

00000000

00000000

00000000

00000000

00000000

00000000

00000000

00000000

11111111

11111111

11111111

11111111

11111111

11111111

11111111

11111111

11111111

x

y

z

~

H

ext

~

M

~

M

S

α

ϑ

Rysunek 6.4:Geometria pomiaru zależności magnetyzacji od kąta obrotu cienkiej warstwy wokół osi magnetometru czyli osi x.

100 120 140 160 180 200 220 240 260 0 100 200 300 400 500

M=M

s

*cos(

θ−α

)

M

[

e

m

u

/c

m

3

]

α

[

0

]

Rysunek 6.5: Zależność magnetyzacji od kąta obrotu cienkiej warstwy wokół osi magnetometru.

Rozdział 6. Magnesowanie cienkiej warstwy magnetytu 98

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0 2 4 6 8 10 12

M/M

S

H

ext

,H

eff

[kOe]

H k H ⊥ H k, lita

Rysunek 6.6: Wyniki pomiaru magnetyzacji dla cienkiej warstwy magnetytu w T = 290 K w kierunku równoległym (“H k”) i prostopadłym (“H ⊥”) do płasz-czyzny warstwy. Wyniki dla próbki litej wzdłuż kierunku trudnego h100i (“H k, lita”) wyrażone są w funkcji efektywnego pola “odczuwanego” przez próbkę Hef f = Hext − NM. Wyniki znormalizowano do wartości namagnesowania nasycenia (“H k, lita”) lub do wartości namagnesowania przy maksymalnym osiągalnym polu 10 kOe (“H k”)

w płaszczyźnie warstwy, a słabsze, gdy Hext leży w kierunku prostopadłym (ze względu na duży czynnik odmagnesowania), dlatego µ(α) powinno być wyraźnie większe dla kierunku równoległego, co można zaobserwować na ry-sunku. Dlatego też ten właśnie kierunek przyjęto jako kierunek równole-gły do warstwy. Dalsza dyskusja tego pomiaru będzie przedstawiona w roz-dziale 6.8.

Pomiary M(H) wykonano w konfiguracji z polem magnetycznym rów-noległym do kierunku h100i leżącego w płaszczyźnie cienkiej warstwy albo prostopadłego do warstwy (rys. 6.3). W temperaturze T = 290 K oba te kierunki stanowią osie trudnego namagnesowania – zatem różnica w procesie magnesowania w tych dwóch kierunkach powinna być miarą oddziaływań dipolowych. Wyniki pomiarów w T = 290 K wraz z wynikami dla próbki litej w postaci kulistej [Kąkol i Honig, 1989], przedstawiono na rys. 6.6. Dla próbki litej od zewnętrznego pola magnetycznego Hextodjęto pole odmagnesowania HD:

Hef f = Hext− HD (6.2)

(które dla próbki kulistej wynosi: HD = 43πM), aby umożliwić porównanie z wynikami dla cienkiej warstwy w położeniu równoległym do pola magne-tycznego, kiedy to HD = 0. Magnetyzacja w kierunku prostopadłym jest wyrysowana w funkcji Hext.

Rozdział 6. Magnesowanie cienkiej warstwy magnetytu 99 Można zauważyć, że nasycenie próbki nie nastąpiło do 10 kOe, nawet w kierunku równoległym, choć dla próbki litej wystarczało Hef f < 1 kOe, aby nasycić próbkę w kierunku trudnym. Ponadto proces namagnesowania próbki litej w kierunku trudnym i cienkiej warstwy w kierunku równole-głym zaczyna się od tej samej wartości magnetyzacji dla małych wartości pól, ale dla większych pól przebiega znacząco inaczej. Ponieważ ta wartość

M (Hef f=0)

MS ≈ 0.6 jest bliska cos(54.6), to można wnioskować, podobnie jak w przypadku próbki litej, że początkowo wektor namagnesowania ~MS leży wzdłuż kierunku h111i (nachylonego w stosunku do [001], w którym robiono pomiary, właśnie pod kątem 54.6) czyli MScos(54.6) jest największą war-tością namagnesowania, jaka może być otrzymana poprzez ruch ścian domen. Do pomiarów niskotemperaturowych (T = 77 K) próbka była chłodzona w polu 10 kOe skierowanym wzdłuż kierunku [001] leżącego w płaszczyźnie warstwy (“FC k”; taka procedura w przypadku próbki litej sprawia, że oś magnetycznie łatwa [001] jest w całej próbce w tym samym kierunku; opi-sano to w rozdziale 2.3). Pomiary M(H) wykonano w tym właśnie kierunku (H k), który po chłodzeniu w polu powinien stać się osią łatwego magneso-wania) oraz w kierunku [010] prostopadłym do warstwy H ⊥, który – jeśli oś łatwa została jednoznacznie ustalona – nie powinien stanowić wyróżnionego kierunku magnetycznego. Wyniki przedstawia rys. 6.7. Podobnie jak w tem-peraturze pokojowej, pole 10 kOe nie wystarczyło do nasycenia próbki. Tym razem jednak proces magnesowania cienkiej warstwy w kierunku równole-głym (wzdłuż osi łatwej) jest zupełnie inny niż dla próbki litej, dla któ-rej pokazano zależność momentu od efektywnego pola magnetycznego. Aby sprawdzić, czy osie magnetyczne są identyczne, jak dla próbki litej, wyko-nano pomiar próbki chłodzonej bez pola magnetycznego (zero field cooling, zfc). W takiej sytuacji próbka powinna rozpaść się na domeny strukturalne, w których oś łatwa ustali się w różnych kierunkach h100i. Wyniki tych pomia-rów (w kierunku pomia-równoległym) przedstawia rys. 6.7. Przebieg jest zupełnie inny niż dla próbki chłodzonej w polu: początkowo wyraźnie brak jest łatwej osi magnetycznej, jednak próbka stopniowo porządkuje się w rosnącym polu magnetycznym i przebieg dla malejącego pola zaczyna przypominać wyniki dla próbki chłodzonej w polu.

Dodatkowym potwierdzeniem, że zastosowane chłodzenie próbki w polu ustala oś łatwą, jest obecność zjawiska przełączania osi magnetycznej, omó-wionego już szczegółowo we Wstępie (2.3) i w dodatku D, zaznaczonego strzałką na rys. 6.7. Gdy próbka magnetytu magnesuje się w kierunku h100i prostopadłym do osi łatwej (ustalonej przez chłodzenie w polu), wtedy w tem-peraturze nieco poniżej TV zachodzi reorientacja strukturalna i kierunek ten staje się, przynajmniej częściowo, nową osią łatwą. Silne pole odmagneso-wania częściowo zakłóca w naszych pomiarach objawy doświadczalne tego zjawiska, jednak nieciągłość krzywej M(H) jest wyraźna.

Z powyższych wyników eksperymentalnych wynikają następujące wnioski: — w temperaturze pokojowej oś magnetycznie łatwa pokrywa się z osiami

h111i podobnie, jak w materiale litym

— odpowiednie chłodzenie w polu wymusza, przynajmniej cześciowo, oś ma-gnetycznie łatwą w kierunku [001] w T = 77 K

Rozdział 6. Magnesowanie cienkiej warstwy magnetytu 100

0 2 4 6 8 10 12

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

T=77K

FC ll, H

FC ll, H ll

FC ll do [001],

H ll do [001], lita

ZFC, H ll

M

/M

s

H

eff

, H

ext

[kOe]

Rysunek 6.7:Wyniki pomiaru w T = 77 K magnetyzacji cienkiej warstwy magne-tytu (chłodzonej w polu wzdłuż kierunku [001] w płaszczyźnie warstwy, FC k) w kierunku równoległym (H k) i prostopadłym (H ⊥) do warstwy (pełne sym-bole), a także warstwy chłodzonej bez pola (ZFC, H k). Dla porównania po-kazano również wyniki pomiarów magnesowania wzdłuż osi [001] dla próbki litej [Kąkol, 1994] po schłodzeniu w polu w kierunku [001]. Strzałką zaznaczono przełączenie osi łatwego magnesowania.

— proces magnesowania w T = 77 K jest jednak inny niż w materiale litym Autor będzie się starał wykazać, że wprowadzenie dodatkowego przyczynku do anizotropii pozwoli na lepsze zrozumienie procesu magnesowania w cien-kiej warstwie.

6.4. Model teoretyczny procesu magnesowania cienkiej

W dokumencie Index of /rozprawy2/10027 (Stron 98-102)

Powiązane dokumenty