• Nie Znaleziono Wyników

Dysk SSD Samsung 850 EVO 120 GB 2,5 SATA3 (540/520) 7mm

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "Dysk SSD Samsung 850 EVO 120 GB 2,5 SATA3 (540/520) 7mm"

Copied!
9
0
0

Pełen tekst

(1)

Dysk SSD Samsung 850 EVO 120 GB 2,5” SATA3 (540/520) 7mm

Ocena: Nie ma jeszcze oceny Cena

Zadaj pytanie o produkt ProducentSamsung

(2)

Opis {tab=Opis}

Co to jest technologia V-NAND 3D i czym si? ró?ni od obecnego rozwi?zania?

Optymalizacja oblicze? dzi?ki technologii TurboWrite zapewniaj?cej bezkonkurencyjne pr?dko?ci odczytu / zapisu Osi?gaj jeszcze wi?ksze pr?dko?ci z ulepszonym trybem RAPID

Gwarantowana trwa?o?? i niezawodno?? uzupe?niona technologi? V-NAND 3D

Co to jest technologia V-NAND 3D i czym si? ró?ni od obecnego rozwi?zania?

Unikalna innowacyjna architektura pami?ci flash V-NAND 3D firmy Samsung to prze?om w pokonywaniu ogranicze? zwi?zanych z g?sto?ci?, wydajno?ci? i wytrzyma?o?ci? konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND. Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez u?o?enie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek uk?adanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwi?zanie zapewnia wzrost g?sto?ci i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

Optymalizacja oblicze? dzi?ki technologii TurboWrite

Uzyskaj najwy?sz? wydajno?? odczytu / zapisu z my?l? o przyspieszeniu codziennych oblicze? dzi?ki technologii TurboWrite firmy Samsung.

U?ytkownik zyskuje nie tylko o ponad 10% lepsze walory u?ytkowe w porównaniu z modelem 840 EVO*, ale tak?e do 1,9 raza wi?ksze pr?dko?ci zapisu losowego w przypadku modeli 120 / 250 GB**. Model 850EVO gwarantuje najwy?sz? w swojej klasie wydajno?? w zakresie pr?dko?ci sekwencyjnego odczytu (540 MB/s) i zapisu (520 MB/s). U?ytkownik uzyskuje tak?e wzrost wydajno?ci procesów losowych we wszystkich kropkach kwantowych niezale?nie od zastosowania.

*PCmark7 (250 GB ): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO)

**Zapis losowy (QD32,120 GB): 36 000 operacji/s (840 EVO) > 88 000 operacji/s (850 EVO))

(3)

Osi?gaj jeszcze wi?ksze pr?dko?ci z ulepszonym trybem RAPID

Oprogramowanie Magician firmy Samsung oferuje dost?p do trybu Rapid, który zapewnia dwukrotnie szybsze przetwarzanie danych* na poziomie systemu poprzez u?ycie niewykorzystanej pami?ci komputera PC (DRAM) jako pami?ci podr?cznej. W swojej najnowszej wersji oprogramowanie Magician oferuje wzrost maksymalnego wykorzystania pami?ci w trybie Rapid z 1 GB w modelu 840 EVO do 4 GB w modelu 850 EVO z uk?adami DRAM o pojemno?ci 16 GB. U?ytkownik mo?e tak?e liczy? na dwukrotny wzrost wydajno?ci* niezale?nie od g??boko?ci kolejki odczytu/zapisu losowego.

*PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 > 15 000 (tryb Rapid)

(4)

Gwarantowana trwa?o?? i niezawodno?? uzupe?niona technologi? V-NAND 3D

Model 850 EVO zapewnia gwarantowany poziom trwa?o?ci i niezawodno?ci poprzez podwojenie wska?nika TBW* w stosunku do modelu poprzedniej generacji, tj. 840 EVO**, w ramach najd?u?szej na rynku, bo pi?cioletniej gwarancji. Minimalny poziom spadku wydajno?ci oznacza,

?e model 850 EVO zapewnia zachowanie parametrów u?ytkowych o 30% wy?szych w porównaniu z modelem 840 EVO, staj?c si? jednym z najbardziej niezawodnych modeli urz?dze? pami?ci masowej***.

*TBW: Total Bytes Written (bajty zapisane ogó?em)

**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)

***Zachowane parametry u?ytkowe (250 GB): 3 300 operacji/s (840 EVO) > 6 500 operacji/s (850 EVO); wydajno?? mierzona po 12-godzinnym

(5)

Ni?sze zu?ycie energii przez technologi? V-NAND 3D to ?ród?o wyd?u?enia czasu trwania operacji obliczeniowych

Model 850 EVO zapewnia znacz?co d?u?szy czas dzia?ania akumulatora w notebooku z kontrolerem zoptymalizowanym pod k?tem technologii V-NAND 3D, oferuj?c obecnie zu?ycie energii w stanie u?pienia na poziomie 2 mW. Model 850 EVO jest teraz o 25% bardziej energooszcz?dny w porównaniu z modelem 840 EVO podczas wykonywania operacji zapisu*, co zawdzi?cza temu, ?e technologia V-NAND 3D zu?ywa jedynie po?ow? energii potrzebnej do zasilania architektury dwuwymiarowej NAND.

*Pobór mocy (250 GB): 3,2 W (840 EVO) > 2,4 W (850 EVO)

(6)

Zabezpiecz cenne dane

Model 850 EVO oferuje ochron? danych za po?rednictwem najnowszego sprz?towego mechanizmu pe?nego szyfrowania dysku. 256-bitowa technologia szyfrowania danych AES umo?liwia zabezpieczenie danych bez uszczerbku dla wydajno?ci w zgodzie ze norm? TCG Opal 2.0.

Jest tak?e zgodna z norm? Microsoft eDrive IEEE1667, co daje pewno?? wi?kszego bezpiecze?stwa danych.

(7)

Pe?na ochrona przed przegrzaniem

Technologia Dynamic Thermal Guard w modelu 850 EVO pozwala na ci?g?e monitorowanie i utrzymywanie sta?ej temperatury pracy nap?du z my?l? o integralno?ci danych. Gdy temperatura wzrasta powy?ej optymalnego poziomu, technologia zapewnia automatyczne jej obni?enie, chroni?c dane i zapewniaj?c pe?n? funkcjonalno?? zabezpieczonego przed przegrzaniem komputera.

Si?gnij po wi?cej, wybieraj?c model 850 EVO

Oprogramowanie One-stop Install Navigator w trzech prostych krokach przeprowadza u?ytkownika przez proces migracji wszystkich danych i aplikacji z dotychczasowego no?nika pami?ci masowej na model 850 EVO. Oprogramowanie Magician firmy Samsung pozwala tak?e na optymalizacj? systemu i zarz?dzanie nim pod k?tem no?nika SSD.

(8)

Zintegrowane rozwi?zanie zbudowane z najwy?szej jako?ci podzespo?ów

Samsung to jedyny producent w bran?y no?ników SSD, który samodzielnie opracowuje i wytwarza wszystkie podzespo?y, co przek?ada si? na ich lepsz? integracj?. Prowadzi to do wzrostu wydajno?ci, zmniejszenia zu?ycia energii przez pami?? podr?czn? na bazie uk?adów LPDDR2 DRAM o pojemno?ci do 1 GB, a tak?e do zwi?kszenia wydajno?ci energetycznej kontrolera MEX / MGX.

{tab=Dane techniczne}

Producent SAMSUNG

Nazwa typu Dyski twarde

Opis ogólny Dysk SSD Samsung 850 EVO 120 GB 2,5” SATA3 (540/520) 7mm

Rodzina dysków SSD (Solid State Drive)

Pojemno?? dysku 120 GB

Interfejs SATA III (6 Gb/s)

Informacje dodatkowe Pr?dko?? odczytu 540 MB/s ;

(9)

Samsung 32 layer 3D V-NAND;

Controller: Samsung MGX controller;

AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE)

Okres r?kojmi (gwarancji) w miesi?cach 60

{/tabs}

Cytaty

Powiązane dokumenty

Obliczy¢ czas podró»y z Ziemi na t¦ gwiazd¦, gdyby pojazd kosmiczny poruszaª si¦ w sposób nast¦puj¡cy: po starcie z Ziemi pojazd porusza si¦ z przyspieszeniem 0,01g do momentu

Kulka staczaªa si¦ po równi pochyªej, nabieraj¡c pr¦dko±ci, nast¦pnie wytaczaªa si¦ na stóª, zamieniaj¡c pr¦dko±¢ wzdªu» równi na pr¦dko±¢ poziom¡.. po

Na odcinku drogi dªugo±ci 100km, kontrolowanym na ko«cach przez policj¦, obowi¡zuje ogra- niczenie pr¦dko±ci 90km/h.. Samochód przejechaª ten odcinek w czasie 54 minut, przy czym

Keywords: logic, axiomatized logical system, semiotic, semantic, pragmatic, sign, meaning, denoted, designated, intentionality, the transparency of the sign, the principle of

Je±li u»yjemy do takiego przewidywania wzorów zagadnienia dwóch ciaª, to otrzymujemy efe- meryd¦ keplerowsk¡ tego ciaªa.. Je±li e ̸= 0, mo»emy przyst¡pi¢ do poszukiwania

W celu wyznaczenia prędkości wyjściowej elektronów dla napięć żarzenia 4,0V, 5,0V i 6,0V obwód zasilamy z zasilacza napięcia żarzenia przykładając ujemne napięcie na

Ustalić dowolną wysokość słupa powietrza – nie wody L w rurze i zmieniając częstotliwość drgań generatora znaleźć tę częstotliwość, przy której następuje

Układ pomiarowy: zwężka Venturiego z wymiennymi przewężeniami o średnicach podanych w tabeli oraz rurka Pitota, odkurzacz, woltomierz (multimetr uniwersalny); linijka..