INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI PRZEMYSŁOWEJ ZAKŁAD ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I STOSOWANEJ
ANALIZA WYBRANYCH PARAMETRÓW ELEKTRYCZNYCH
DACHÓWEK FOTOWOLTAICZNYCH
Dariusz KURZ
Rozprawa doktorska
Promotor:
Prof. dr hab. inż. Ryszard NAWROWSKI
Promotor pomocniczy:
Dr inż. Grzegorz TRZMIEL
Słowa kluczowe:
konwersja fotowoltaiczna, ogniwo słoneczne, BIPV, dachówka fotowoltaiczna, temperatura ogniw PV, uzysk energii, sprawność konwersji fotowoltaicznej, opór cieplny
Poznań, 2019
2
Spis treści
STRESZCZENIE ... 4
ZESTAWIENIE WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ ... 6
1. Wprowadzenie ... 8
2. Cel, zakres i teza pracy ... 10
3. Fotowoltaika – informacje, stan aktualny i perspektywy rozwoju ... 11
3.1. Światło słoneczne i jego właściwości ... 11
3.2. Efekt fotowoltaiczny ... 12
3.3. Technologie produkcji i rodzaje ogniw PV ... 16
3.4. Fotowoltaika zintegrowana z budynkiem (BIPV)... 22
3.4.1. Wprowadzenie – rodzaje elementów ... 22
3.4.2. Zalety, wady, tendencje rozwojowe BIPV ... 25
3.4.3. Porównanie tradycyjnych paneli i dachówek PV ... 29
4. Aktualny stan wiedzy ... 32
5. Modelowanie i symulacja parametrów ogniw PV ... 36
5.1. Charakterystyka nieoświetlonego ogniwa PV ... 36
5.2. Charakterystyka oświetlonego ogniwa PV ... 38
5.3. Jedno- i dwudiodowy schemat zastępczy ogniwa PV... 46
5.4. Stanowisko pomiarowe dachówki fotowoltaicznej ... 50
5.5. Wpływ irradiancji na wartość generowanej mocy z ogniw PV ... 55
5.6. Wpływ temperatury ogniw PV na wartość generowanej z nich mocy elektrycznej ... 57
5.7. Opór cieplny dachówki fotowoltaicznej ... 64
5.8. Model RC dachówki fotowoltaicznej... 65
5.9. Model PET dachówki fotowoltaicznej ... 69
5.10. Wpływ konstrukcji dachowej na temperaturę ogniw (dachówek) PV ... 76
6. Metodologia badań dachówek fotowoltaicznych zintegrowanych z konstrukcją dachową ... 82
6.1. Wprowadzenie, założenia badawcze (pomiarowe) ... 82
6.2. Opis stanowiska badawczego ... 85
6.3. Aparatura pomiarowa ... 87
6.4. Teoria błędów pomiarowych... 93
6.4.1. Definicja pomiaru ... 93
6.4.2. Analiza błędów pomiarowych ... 94
3
6.5. Obróbka statystyczna danych pomiarowych ... 96
7. Modelowanie dachówek fotowoltaicznych zintegrowanych z dachem ... 99
7.1. Opór cieplny dachu z wbudowaną dachówką PV ... 99
7.2. Zmiana temperatury ogniw PV dachówki fotowoltaicznej wbudowanej w różne struktury dachowe ... 106
7.2. Zależność mocy wyjściowej i sprawności dachówek PV od rodzaju struktury dachowej ... 114
7.3. Modelowanie instalacji PV zintegrowanej z dachem (pod względem ilości generowanej energii elektrycznej) w funkcji temperatury ogniw ... 126
8. Statystyczna analiza istotności parametrów dachówek fotowoltaicznych ... 132
9. Analiza ekonomiczna kosztów wytwarzania energii elektrycznej z instalacji fotowoltaicznych ... 136
10. Uwagi końcowe i wnioski ... 139
SPIS BIBLIOGRAFICZNY ... 143
SPIS TABEL ... 159
SPIS RYSUNKÓW ... 161
4
STRESZCZENIE
Praca dotyczy zagadnień z tematyki energetyki słonecznej, elektrotechniki oraz elektrotermii.
Autor rozprawy podjął ważny a niedostatecznie rozpoznany temat zmian temperatury ogniw PV dachówek fotowoltaicznych zintegrowanych z dachem. Sformułowano tezę badawczą, wskazującą na zależność parametrów elektrycznych dachówek PV od rodzaju konstrukcji dachowej, a dokładniej od jej oporu cieplnego. W celu weryfikacji postawionego założenia wykonano szereg działań, do których należało:
wyznaczenie parametrów technicznych i materiałowych używanej w badaniach dachówki fotowoltaicznej oraz jej oporu cieplnego i pojemności cieplnej,
zaprojektowanie i wykonanie stanowisk pomiarowych, na których przebadano w ciągu kilku lat parametry dachówek PV w naturalnych warunkach środowiskowych,
wyznaczenie oporu cieplnego trzech struktur konstrukcji dachowych, rozpatrywanych w przedmiotowych badaniach oraz opracowanie ilościowego rozdziału mocy cieplnych w układzie dachówki PV wbudowanej w różne konstrukcje dachowe,
opracowanie modeli: rezystancyjno – pojemnościowego (RC) oraz foto – elektro – termicznego (PET), służących do wyznaczenia stałej czasowej dachówki PV,
wskazanie różnic przy sposobie wyznaczania temperatury ogniw PV będących częścią składową tradycyjnych paneli i dachówek fotowoltaicznych,
wyznaczenie uniwersalnych współczynników dla równania modelu PET dachówki PV, uwzględniającego ilość mocy cieplnej zakumulowanej w przestrzeni dachowej, mającej bezpośredni wpływ na temperaturę ogniw PV,
wykonanie modelu symulacyjnego w środowisku Matlab/Simulink w celu wyznaczenia temperatury ogniw PV dachówki fotowoltaicznej oraz uzysków energii elektrycznej z uwzględnieniem rodzaju struktury konstrukcji dachowej, z którą zostały zintegrowane,
porównanie wyników uzysków mocy elektrycznych oraz sprawności, dla trzech instalacji fotowoltaicznych zintegrowanych z różnymi konstrukcjami dachowymi, otrzymane na drodze pomiarów i symulacji komputerowych,
wykazanie analizy istotności i korelacji wybranych parametrów dachówki PV,
wykonanie analizy porównawczej jednostkowych kosztów wytworzenia energii
elektrycznej z instalacji fotowoltaicznej opartej na tradycyjnych panelach i dachówkach
fotowoltaicznych.
5
SUMMARY
The study concerns with solar energy issues, electrical engineering and electrothermics.
The author of the dissertation has touched upon an important but at the same time slightly neglected subject of changes in the temperature of PV cells of photovoltaic roof tiles integrated with the roof. A research thesis, which indicates a relationship between electric parameters of PV roof tiles and the type of the roof construction, and to be more precise, its thermal resistance, has been formulated. In order to verify this assumption, a number of actions have been taken, and these include:
the determination of technical and material parameters of the PV roof tile used in the research, as well as its thermal resistance and thermal capacity,
the design and provision of measuring stations, on which the parameters of the PV roof tiles were tested within several years in natural environmental conditions,
the determination of the thermal resistance of three structures of roof constructions considered in the research in question and the analysis of the quantitative distribution of thermal powers in the PV roof tile system integrated into various roof constructions,
the development of the resistive – capacitive (RC) model and photo – electro – thermal model (PET), both of which are used for the purpose of determination of the time constant of the PV roof tile,
the indication of differences in the method of determination of the temperature of PV cells which are components of traditional panels and PV roof tiles,
the determination of universal coefficients for the PET model equation of the PV roof tile, which takes into account the amount of thermal power accumulated in the roof space, having a direct effect on the temperature of the PV cells,
the preparation of the simulation model in the Matlab/Simulink environment for the purpose of determination of the temperature of PV cells of a photovoltaic roof tile and the energy outputs, taking into account the type of the structure of the roof construction with which they were integrated,
the comparison of results of electric power outputs and efficiency for three photovoltaic installations integrated with different roof constructions, obtained through measurements and computer simulations,
the demonstration of the significance analysis and correlation of selected parameters of the PV roof tile,
the performance of comparative analysis of unit costs of electricity production from
the photovoltaic installation based on traditional panels and photovoltaic roof tiles.
6
ZESTAWIENIE WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ
s - współczynnik absorpcji promieniowania słonecznego dachówki PV [-]
- współczynnik doskonałości diody [-]
- -
odchylenie standardowe od średniej,
stała Stefana-Boltzmana [-]
[W/(m
2K
4)]
- emisyjność dachówki PV [-]
o- współczynnik temperaturowy zmian prądu ogniwa [A/K],
Isc- współczynnik temperaturowy zmian prądu zwarcia ogniwa [mA/°C]
[%/°C]
Uoc- współczynnik temperaturowy zmian napięcia jałowego ogniwa [V/°C]
[%/°C]
P- współczynnik temperaturowy zmian mocy ogniwa [%/°C]
n- gęstość materiału [kg/m
3]
- Sprawność konwersji fotowoltaicznej [%]
RC tile- stała czasowa dachówki PV wyznaczona według modelu RC [s]
PET tile- stała czasowa dachówki PV wyznaczona według modelu PET [s]
- kąt nachylenia dachu [°]
- kąt azymutu odbiornika [°]
- wartość średnia
A
s- pole powierzchni warstwy [m
2]
A
tile- pole powierzchni dachówki PV [m
2]
C
th- pojemność cieplna materiału o założonej powierzchni [J/K],
C
TH- pojemność cieplna materiału [J/ m
2K]
C
TH tile- całkowita pojemność cieplna dachówki fotowoltaicznej [J/m
2K]
c
p,n- ciepło właściwe materiału [J/kgK]
d
j- grubość warstwy niejednorodnej cieplnie [m]
d
m- grubość warstwy materiału w komponencie [m]
d
f- stopa dyskonta w roku przeprowadzania inwestycji [-]
E - gęstość mocy promieniowania słonecznego [W/m
2]
E
g- bariera energetyczna potencjału [V]
E
t- ilość energii elektrycznej wyprodukowanej w danym roku [kWh]
FF - współczynnik wypełnienia [-]
h
conv- współczynnik konwekcyjnej wymiany ciepła [W/m
2K]
I
d- prąd nasycenia diody [A]
I
s1- składowa dyfuzyjna prądu nasycenia diody [A]
I
s2- składowa rekombinacyjna prądu nasycenia diody [A]
I - prądy wyjściowy ogniwa PV [A]
I
ph- prąd związany z występowaniem efektu fotowoltaicznego wewnętrznego
[A]
I
m- prąd w punkcie mocy maksymalnej [A]
I
sc- prąd zwarcia [A]
k - obliczeniowy współczynnik przewodzenia ciepła (przewodność cieplna)
[W/mK]
k
TRb- współczynnik temperaturowy zmiany wartość rezystancji bocznikowej [-]
k
TRs- współczynnik temperaturowy zmiany wartość rezystancji szeregowej [-]
k
B- stała Boltzmanna [J/K]
k
jf- zdyskontowany jednostkowy koszt wytwarzania energii elektrycznej
[zł/kWh]
KI
0- nakłady inwestycyjne [zł]
KU
t- koszty utrzymania i remontów w danym roku [ [zł]
KP - koszt paliwa zużytego na wytworzenie jednostki energii elektrycznej w danym roku
[zł]
7
m - masa [kg]
N
s- liczba ogniw PV w panelu [szt.]
P
m- moc maksymalna [W]
P
pv- moc elektryczna generowana przez dachówkę PV [W]
p - poziom ufności [-]
p
r- współczynnik określający rozkład normalny zmiennej zależnej [-]
q - ładunek elektryczny (1,602·10
-19) [C]
Q
TH- moc cieplna rozproszona w dachówce [W]
Q
solar- moc promieniowania słonecznego docierająca do powierzchni
dachówki PV [W]
Q
rad- radiacyjne straty mocy cieplnej [W]
Q
conv- konwekcyjne straty mocy cieplnej [W]
Q
przód- moc cieplną przekazaną w stronę otoczenia od dachówki PV [W]
Q
tył- moc cieplna przekazaną w stronę dachu z tylnej części dachówki PV [W]
Q
izol- moc cieplna, która przeniknie przez izolację (strukturę) dachu do
wnętrza budynku (poddasza) [W]
Q
aku- moc cieplna zakumulowana w przestrzeni powietrznej dachu [W]
R
b- rezystancja bocznikowa ogniwa PV [Ω]
R
s- rezystancja szeregowa ogniwa PV [Ω]
R
si(R
TH tył) - opór przejmowania ciepła na wewnętrznej powierzchni [m
2K/W]
R
se(R
TH przód) - opór przejmowania ciepła na zewnętrznej powierzchni [m
2K/W]
R
th- opór cieplny materiału o założonej powierzchni [K/W]
R
TH- opór cieplny materiału [m
2K/W]
R
TH tile- całkowita wartość oporu cieplnego dachówki PV [m
2K/W]
R
TH air, gap- opór cieplny warstwy powietrza [m
2K/W]
R
TH str- opór cieplny konstrukcji (struktury) dachowej [m
2K/W]
R
TH roof- całkowity opór cieplny dachu [m
2K/W]
r
1- współczynniki wyrażający ilość mocy cieplnej przepływającej przez tylną część dachówki PV do przestrzeni dachowej
[-]
r
2- współczynnik wyrażający ilość mocy cieplnej zakumulowanej w przestrzeni dachowej (nie przepływającej przez strukturę dachu do wnętrza budynku)
[-]
r
s- współczynnik korelacji zmiennych zależnych Spearmana [-]
T - temperatura bezwzględna złącza [K]
T
pv- temperatura ogniw PV [K], [°C]
T
amb- temperatura otoczenia [K], [°C]
T
gap- temperatura powietrza w przestrzeni dachowej [°C]
T
tile- temperatury powierzchni dachówki [°C]
T
STC- temperatura odniesienia w warunkach STC [K]
U - napięcie ogniwa PV [V]
U
T- napięcie termiczne (U
T= 0,026 V, dla T = 300 K) [V]
U
oc- napięcia obwodu otwartego (w stanie jałowym) [V]
U
m- napięcie w punkcie mocy maksymalnej [V]
U
t- współczynnik przenikania ciepła przegrody [W/m
2K]
U
t roof- współczynnik przenikania ciepła dachu [W/m
2K]
u
b- niepewność standardowa pomiaru [-]
v - prędkość wiatru [m/s]
8
1. Wprowadzenie
Przedstawiona rozprawa doktorska dotyczy problematyki efektywności konwersji energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną w zależności od zmian temperatury ogniw PV dachówek fotowoltaicznych zintegrowanych z konstrukcją dachową.
Obserwuje się wzrost zainteresowania instalacjami fotowoltaicznymi na przestrzeni ostatnich lat, zarówno w ujęciu światowym jak również krajowym, pomimo mało sprzyjającej polskiej polityki i zachęt dla prosumentów (indywidualnych odbiorców i wytwórców) energii elektrycznej. Także wymagania prawne nakładane przez Unię Europejską na kraje członkowskie, a więc w tym także i Polskę, wymuszają zwiększanie udziału generacji energii z Odnawialnych Źródeł Energii (OZE) w krajowym całkowitym bilansie energetycznym.
Zgodnie z Dyrektywą Parlamentu Europejskiego i Rady UE 2018/2001 z dnia 11 grudnia 2018 r. w sprawie promowania i stosowania energii ze źródeł odnawialnych, przywołującej komunikat Komisji z dnia 22 stycznia 2014 r. pt. „Ramy polityczne na okres 2020 – 2030 dotyczące klimatu i energii” udział energii odnawialnej w zużyciu energii w Unii w 2030 roku powinien wynieść co najmniej 27%. Ponadto, w świetle „Sprawozdania z postępów w dziedzinie energii odnawialnej” z dnia 23 czerwca 2016 r. mówiącym o rozwoju technologicznym oraz redukcji kosztów inwestycyjnych w energię odnawialną oraz celach zawartych w porozumieniu paryskim Parlament Europejski podjął decyzję o zwiększeniu wymaganego udziału energii odnawialnej do poziomu co najmniej 32% w 2030 roku [31].
Wszystkie państwa członkowskie powinny wprowadzić odpowiednie mechanizmy zachęt dla inwestorów w celu osiągnięcia zamierzonych celów.
Instalacje fotowoltaiczne można podzielić na dwie zasadnicze grupy. Jedną z nich stanowią duże farmy fotowoltaiczne o mocach znamionowych od kilkudziesięciu kilowatów do nawet kilkuset megawatów, z których generowana energia elektryczna w obecnych krajowych przepisach prawnych podlega odsprzedaży do systemu energetycznego według mechanizmu aukcyjnego. Drugą grupę stanowią małe instalacje fotowoltaiczne o mocach od kilku do 50 kilowatów, budowane przez prywatnych inwestorów nazywanych prosumentami. Instalacje prosumenckie podlegają zasadzie opustów, co oznacza, że z wytworzonej 1 kWh energii inwestor może wykorzystać 80% (przy instalacjach do mocy 10 kW) lub 70% (w przypadku instalacji od 10 do 40 kW) [158].
Efektywność konwersji fotowoltaicznej zależy głównie od orientacji przestrzennej
fotoodbiornika, jego parametrów oraz ilości mocy promieniowania słonecznego docierającego
do niego. Parametry elektryczne odbiornika fotowoltaicznego zależą od jego konstrukcji
9 i wymiarów, parametrów materiałowych warstw składowych i zastosowanego procesu wytwórczego. Istotne znaczenie odgrywa także temperatura ogniw PV [47, 69, 104].
Tradycyjne panele fotowoltaiczne montowane są zawsze na konstrukcji wsporczej nad powierzchnią gruntu bądź dachu, dzięki czemu naturalne ruchy wiatru ochładzają ich powierzchnię, poprawiając tym samym sprawność konwersji fotowoltaicznej. Istnieje wiele prac dotyczących badań wpływu chłodzenia paneli PV lub wysokości ich montażu nad dachem na efektywność generowania energii [40, 117, 141]. Montaż paneli PV w dachu powoduje wzrost temperatury ogniw PV, co przekłada się na niższą sprawność generacji energii, na co wskazują autorzy pracy [56].
Dachówki fotowoltaiczne łączą w sobie ogniwa PV z pokryciem dachowym. Ten rodzaj elementów fotowoltaicznych pozwala na optymalne wykorzystanie energii Słońca ze względu na ich właściwą ekspozycję i kąt nachylenia dachu budynku. Obecnie na rynku dostępne są różne rodzaje dachówek fotowoltaicznych – przypominające tradycyjne panele PV oszklone i w metalowych ramach, moduły elastyczne lub ogniwa PV zintegrowane z dachówkami ceramicznymi. Wymiary dachówek PV są tak dobrane, aby można było je wkomponować pomiędzy tradycyjne pokrycia dachowe – dachówki ceramiczne lub pokrycia bitumiczne.
Zazwyczaj wysokość dachówek PV wynosi ok. 40 cm, natomiast szerokość od kilkunastu centymetrów do nawet kilku metrów, zastępując kilkanaście dachówek ceramicznych czy rząd papy asfaltowej wierzchniego krycia. Im mniejszy element, tym łatwiej można wypełnić cały dach elementami fotowoltaicznymi, co jednak podnosi koszty instalacji fotowoltaicznej w porównaniu z większymi dachówkami [60, 170].
Zastąpienie paneli fotowoltaicznych dachówkami PV wpływa pozytywnie na aspekty
architektoniczne obiektu, jednak niesie za sobą pewne negatywne skutki energetyczne,
objawiające się niższą sprawnością generacji energii elektrycznej, co stanowi swoisty
kompromis inwestora pomiędzy aspektami ekonomicznymi a wizualnymi inwestycji. Istotne
jest, aby można było dokładniej oszacować ilość energii generowanej przez dachówki
fotowoltaiczne zintegrowane z dachami o różnych strukturach, co będzie determinowało czas
zwrotu inwestycji.
10
2. Cel, zakres i teza pracy
Celem pracy jest wykonanie badań wybranych parametrów elektrycznych i termicznych dachówek fotowoltaicznych oraz opracowanie modelu elektryczno – termicznego ogniw PV uwzględniającego strukturę dachu.
Zakres prac obejmuje:
sformułowanie zależności pomiędzy rodzajem konstrukcji dachowej (jej oporem cieplnym) a temperaturą ogniw PV, wchodzących w skład dachówek fotowoltaicznych wbudowanych w dach,
zaprojektowanie i wykonanie stanowiska pomiarowego służącego do przeprowadzenia badań wybranych parametrów dachówek fotowoltaicznych (takich jak: prąd, napięcie, generowana moc, temperatura) pozwalających na archiwizację danych pomiarowych z systemów fotowoltaicznych zintegrowanych z różnymi strukturami dachowymi oraz panujących warunków środowiskowych,
opracowanie modelu matematycznego oraz symulacyjnego predykcji temperatury ogniw PV dachówek fotowoltaicznych, uwzględniającego strukturę dachu (jego opór cieplny),
wyznaczenie stałych czasowych badanej dachówki fotowoltaicznej,
wykonanie badań eksperymentalnych wybranych parametrów dachówek fotowoltaicznych wbudowanych w różne dachy,
przeprowadzenie analizy porównawczej wybranych parametrów dachówek PV uzyskanych na drodze analitycznej, symulacyjnej oraz pomiarowej.
Teza pracy brzmi następująco:
Parametry elektryczne dachówek fotowoltaicznych (tj. napięcie, moc oraz sprawność
konwersji fotowoltaicznej) są zależne od oporu cieplnego konstrukcji dachowej,
wpływającego na temperaturę ogniw PV.
11
3. Fotowoltaika – informacje, stan aktualny i perspektywy rozwoju
3.1. Światło słoneczne i jego właściwości
Słońce jest najsilniejszym źródłem światła docierającego do Ziemi. Promieniuje ono energię powstałą w wyniku reakcji termojądrowych zachodzących w jego wnętrzu. Słońce emituje promieniowanie we wszystkich zakresach fal elektrochromatycznych, najwięcej w obszarze promieniowania widzialnego – 49%, podczerwonego – 44% a nadfioletowego tylko 7% energii. Widmo promieniowania słonecznego na powierzchni atmosfery ziemskiej oznaczonej jako AM0 przypomina rozkład widmowy ciała doskonale czarnego o temperaturze 5777 K, co przedstawiono na rys. 3.1 [199]. Masa optyczna atmosfery AM (ang. Air Mass) określa drogę optyczną, jaką musi przebyć promień słoneczny przechodzący przez atmosferę w stosunku do możliwej najkrótszej drogi, czyli gdy Słońce znajduje się w zenicie, co można wyrazić równaniem [139]:
z
AM cos
1 (3.1)
gdzie:
z– kąt odchylenia promieni słonecznych w płaszczyźnie pionowej (od zenitu) [°].
Rys. 3.1. Rozkłady widmowe promieniowania słonecznego dla AM0, AM1, AM2
z przedstawieniem interpretacji graficznej definicji optycznej masy atmosfery
[139]
12 Przyjęto, że współczynnik AM0 dotyczy promieniowania słonecznego w kosmosie, poza atmosferą ziemską, natomiast AM1 oznacza, że Słońce znajduje się w zenicie, czyli
z= 0°.
Stosowany natomiast w większości przypadków symulacji ogniw fotowoltaicznych współczynnik AM1,5 dotyczy promieniowania słonecznego, gdy
z= 48° [139].
Promieniowanie słoneczne można scharakteryzować za pomocą trzech najistotniejszych wielkości z punktu widzenia energetyki słonecznej:
gęstość mocy promieniowania słonecznego: E [W/m
2],
nasłonecznienie: H [J/m
2],
usłonecznienie: h [godzina].
Usłonecznienie h jest wielkością definiującą liczbę godzin docierania bezpośredniego promieniowania słonecznego do powierzchni Ziemi w określonym czasie. Nasłonecznienie H jest energią promieniowania słonecznego docierającego do powierzchni fotoodbiornika w ciągu określonego czasu. Promieniowanie słoneczne E oznacza całkowitą wartość promieniowania docierającego do dowolnie usytuowanego odbiornika, na które składa się promieniowanie bezpośrednie E
b, rozproszone (dyfuzyjne) E
doraz odbite E
o[139, 69].
Ilość energii słonecznej docierającej do określonego obszaru zależy od położenia geograficznego (związanego głównie z szerokością geograficzną) oraz lokalnych warunków meteorologicznych i ukształtowania terenu. Polska leży w strefie klimatu umiarkowanego kontynentalnego i rozciąga się pomiędzy 49 a 54,5 stopniem szerokości geograficznej północnej [139].
3.2. Efekt fotowoltaiczny
Konwersja energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną zachodzi
w ogniwach fotowoltaicznych w wyniku wewnętrznego efektu fotowoltaicznego. Efekt ten
zachodzi we wszystkich półprzewodnikach (jednorodnych i niejednorodnych), jednak dla
każdego z nich z różną intensywnością i przy innym zakresie długości fali padającego
promieniowania. Pierwiastki dążą do zapełniania powłoki walencyjnej do pełnego oktetu
(ośmiu elektronów), poprzez łączenie się z innymi pierwiastkami lub formułując kryształy
z własnych atomów. Najpopularniejsze obecnie ogniwa PV wytwarzane są z krzemu
monokrystalicznego. Pierwiastki z IV grupy, do których należy także krzem, mają tylko
4 elektrony na zewnętrznej orbicie (powłoce walencyjnej), a dopełnieniem do pełnych
8 elektronów są wspólne elektrony wiązań kowalencyjnych między atomami krzemu w sieci
13 krystalicznej. Dzięki temu, każdy atom otacza osiem elektronów, więc brak jest elektronów swobodnych, przez co idealny kryształ krzemu jest izolatorem. Aby zaczął on przewodzić prąd, należy dostarczyć do elektronu walencyjnego minimalną wartość energii E
g(ang.
Energy Gap), niezbędną do jego przejścia na wyższy poziom energetyczny. Do grupy półprzewodników zalicza się pierwiastki, których bariera potencjału nie przekracza 5 eV (E
g< 5 eV, gdzie 1 eV = 1,60219 · 10
-19J – jest to energia uzyskiwana przez elektron po zmianie swojego potencjału o 1 V). W miejscu wybitego elektronu z powłoki walencyjnej pozostaje tzw. dziura o ładunku dodatnim, równym co do wartości ładunkowi elektronu, poruszająca się pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego w kierunku przeciwnym do ruchu elektronu (czyli w kierunku anody). Po ustaniu działania zewnętrznego pola elektrycznego, następuje rekombinacja dziury i elektronu, a atom wraca do stanu niewzbudzonego, oddając przy tym zaabsorbowaną energię (rys. 3.2). Z uwagi na trudności w uzyskiwaniu takich samoistnych półprzewodników, stosuje się ich domieszkowanie innymi atomami pierwiastków (np. w stosunku 1 atom domieszki na 1 milion atomów krzemu) w celu wytworzenia półprzewodników niesamoistnych, aby utrudnić proces rekombinacji dziur i elektronów. Stosuje się domieszki typu p – akceptorowego (ang. positive), gdzie liczba dziur jest większa niż liczba elektronów oraz domieszki typu n – donorowego (ang. negative), gdzie występuje większa liczba elektronów niż dziur. Akceptorami dla atomów krzemu są atomy boru, glinu, galu, indu lub talu, natomiast wśród donorów wyróżnia się takie pierwiastki jak fosfor, antymon, arsen lub bizmut [38, 57, 69, 139, 156, 160].
Rys. 3.2. Model energetyczny pasmowy półprzewodnika samoistnego [38, 69, 139]
14 Model energetyczny pasmowy półprzewodnika przedstawia stany energetyczne elektronów w krysztale, które mają charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów.
Półprzewodniki niesamoistne typu n i typu p mają inne modele pasmowe (pokazane na rys. 3.3) niż półprzewodniki samoistne (bez domieszek – rys. 3.2).
Każdy pięciowartościowy atom domieszki w półprzewodniku typu n posiada pięć elektronów walencyjnych, z których cztery są związane z sąsiednimi atomami krzemu, a piąty przechodzi do pasma przewodnictwa. W półprzewodniku typu n elektrony są nośnikami większościowymi (gdyż ich liczba w paśmie przewodnictwa jest znacznie większa od liczby dziur), a dziury – mniejszościowymi. Z kolei w półprzewodniku typu p (domieszkowanym atomami z trzema elektronami walencyjnymi związanymi z atomami krzemu) do uzupełnienia wiązania pobierany jest elektron z głębszych poziomów walencyjnych, przez co powstaje dziura. Poziom akceptorowy znajduje się w sąsiedztwie pasma walencyjnego.
W półprzewodniku typu p dziury są nośnikami większościowymi, a elektrony – mniejszościowymi. W stanie równowagi termicznej w każdym półprzewodniku, niezależnie od koncentracji domieszki, spełniony jest warunek neutralności, czyli wypadkowy ładunek elektryczny w każdym obszarze półprzewodnika jest równy zeru. Każde zaburzenie warunku neutralności powoduje powstanie pola elektrycznego, przywracające stan równowagi elektrycznej [38, 57, 139].
Rys. 3.3. Modele energetyczne pasmowe półprzewodników niesamoistnych [38, 139]: a) typu
n – z donorami, b) typu p – z akceptorami
15 Złącze p-n powstaje poprzez połączenie półprzewodnika typu p z półprzewodnikiem typu n, a w miejscu ich styku dochodzi do przepływu nośników. Elektrony z obszaru n dyfundują do obszaru p, natomiast dziury – z obszaru p do n. Przechodzące do przeciwnych obszarów nośniki stają się tam nośnikami mniejszościowymi i rekombinują z nośnikami większościowymi. W wyniku dyfuzji w obszarze n powstaje nadmiar ładunków jonów dodatnich, a w obszarze p – ujemnych. Na styku dwóch typów półprzewodników powstaje podwójna warstwa nieskompensowanych ładunków, nazywana obszarem ładunku przestrzennego. Powstała bariera w postaci różnicy potencjałów nazywana jest napięciem dyfuzyjnym U
D. W modelu pasmowym złącza p-n (widocznym na rys. 3.4) dochodzi do przesunięcia położenia pasm energetycznych, proporcjonalnego do napięcia dyfuzyjnego [38, 57, 139].
Rys. 3.4. Model energetyczny pasmowy idealnego złącza p-n [139]: E
P– dno pasma przewodnictwa, E
W– wierzchołek pasma walencyjnego, E
F– poziom Fermiego, U
D– napięcie dyfuzyjne, d
P– szerokość przerwy zaporowej
Gdy do półprzewodnika typu p zostanie przyłożony potencjał dodatni, a do półprzewodnika typu n potencjał ujemny (tj. przeciwnie do U
D), wówczas zmniejsza się bariera potencjału i złącze zostaje spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Przy odwrotnym przyłożeniu napięć do półprzewodników bariera potencjału się zwiększa, a złącze zostaje spolaryzowane w kierunku zaporowym [139].
Pole elektryczne (zwane także barierą potencjałów lub obszarem ładunku przestrzennego)
powstaje w miejscu styku półprzewodników typu n i typu p przez ładunki elektryczne,
16 o przeciwnym znaku do nośników większościowych warstwy, zgromadzone po obu jej stronach. Oświetlenie złącza p-n powoduje wytworzenie w nim pary dziura-elektron przez fotony o energii większej od szerokości przerwy energetycznej półprzewodnika. Zjawisku temu towarzyszy wydzielanie się ciepła. Aby powstało zjawisko fotowoltaiczne, konieczne jest rozdzielenie tych par, zanim ulegną połączeniu (rekombinacji), do czego niezbędne jest występowanie wewnętrznego pola elektrycznego (które istnieje w obszarze złącza p-n).
W tym polu poruszają się nadmiarowe elektrony z półprzewodnika typu p do typu n oraz dziury – z typu n do typu p, dzięki czemu następuje rozerwanie generowanych par dziura- elektron. Rozdzielone nośniki mniejszościowe z jednej strony złącza stają się nośnikami większościowymi z drugiej strony, wytwarzając różnicę potencjałów. Po zamknięciu obwodu elektrycznego popłynie w nim prąd [57, 156].
Intensywność zjawiska fotowoltaicznego zależy m.in. od mocy padającego promieniowania. Elementy wykorzystujące to zjawisko są przetwornikami generacyjnymi, reagującymi na promieniowanie elektromagnetyczne w zakresie widzialnym lub podczerwonym, przekształcając energię tego promieniowania w energię elektryczną [156]. Istnieją różne rodzaje i technologie produkcji ogniw fotowoltaicznych, zależne głównie od związków chemicznych użytych do ich wykonania.
3.3. Technologie produkcji i rodzaje ogniw PV
Budowa ogniwa fotowoltaicznego przypomina konstrukcję diody. Ogniwa fotowoltaiczne
można podzielić na trzy główne grupy, co pokazano na rysunku 3.5. Do ogniw I generacji
należą ogniwa, w których obie warstwy n i p są zbudowane z tego samego materiału
(np. z pojedynczego kryształu krzemu), nazywane ogniwami monokrystalicznymi o homo
złączu p-n. Z kolei ogniwa wykonane z wielu kryształów tego samego materiału nazywane
są ogniwami polikrystalicznymi z homo złączem, natomiast gdy warstwy n i p tworzące
ogniwo wykonane są z wielu kryształów różnych materiałów – ogniwami polikrystalicznymi
z hetero złączem. Do ogniw II generacji zalicza się np. ogniwa amorficzne, składające się
z materiałów bezpostaciowych, w których nie występuje uporządkowana struktura atomów
jak w sieci krystalicznej. Kolejną odmianą są ogniwa cienkowarstwowe (o grubości kilku
mikrometrów, elastyczne i półprzezroczyste na bazie hetero struktury CIS/CIGS
lub CdS/CdTe oraz GaAs). W grupie III znajdują się ogniwa polimerowe, organiczne
lub uczulane barwnikiem, tzw. DSSC (ang. Dye Sensitized Solar Cell) [48, 51, 139].
17 Rys. 3.5. Schemat podziału ogniw fotowoltaicznych [57, 69, 139, 151, 156, 160]
Poszczególne ogniwa fotowoltaiczne można scharakteryzować następująco [2, 38, 57, 69, 87, 103, 139, 151, 156, 160, 162, 190]:
a) I generacji (krzemowe):
monokrystaliczne – wytwarzane są z jednego dużego monokryształu krzemu otrzymywanego poprzez wyciąganie zarodzi monokrystalicznej z ciekłego krzemu z dodatkiem boru. Po uformowaniu go w walec (o średnicy od kilku do kilkunastu centymetrów), następuje laserowe cięcie na płytki o grubości ok. 0,3 mm.
Aby ograniczyć puste przestrzenie, jakie powstałyby po ułożeniu obok siebie okrągłych płytek, dokonuje się obcięcia ich brzegów, przez co powstają ośmiokąty.
Zazwyczaj ogniwa mają barwę od ciemnoniebieskiej do czarnej. Ogniwa monokrystaliczne charakteryzują się najwyższą sprawnością (ok. 20%) oraz ceną z dostępnych na rynku ogniw PV,
polikrystaliczne – powstałe z bloku krzemu polikrystalicznego, czyli wykrystalizowanego w postaci wielu kryształów, powstałego w wyniku procesów topnienia i krystalizacji ukierunkowanej. Dodatkowo wprowadza się także domieszki innych pierwiastków. Blok jest dzielony na bryły, z których laserem cięte są kwadratowe płytki o grubości mniejszej niż 0,2 mm. Kolejne etapy produkcji ogniw obejmują szlifowanie, nakładanie elektrod metalizowanych metodą serigrafii (techniką druku sitowego) oraz nałożenie warstwy
Ogniwa PV
I generacji (krzemowe)
Monokrystaliczne
Polikrystaliczne
Quasi monokrystaliczne
II generacji (cienkowarstwowe
)Amorficzne (krzemowe)
CIS/CIGS
CdS/CdTe
GaAs
III generacji
DSSC (uczulane barwnikiem)
Polimerowe
Organiczne