PODSTAWY ELEKTRONIKI i TECHNIKI CYFROWEJ
Piotr Malecki
POLITECHNIKA KRAKOWSKA
WYDZIAŁ INFORMATYKI I TELEKOMUNIKACJI Katedra Informatyki
malecki@pk.edu.pl
ii.pk.edu.pl/~pmalecki/PEiTC
9 marca 2021
Outline
1 Moc pr ˛adu sinusoidalnego
Moc czynna, moc bierna, moc pozorna
2 Przekaz mocy ´zródło-odbiornik
3 Kondensator i cewka
4 Rezonans w obwodach elektrycznych Rezonzns szeregowy
Rezonans równoległy Dobro ´c
2/11
Moc pr ˛adu sinusoidalnego Moc czynna, moc bierna, moc pozorna
Moc czynna, moc bierna
Moc chwilowa pr ˛ adu sinosoidalnego:
p(t) = u(t) · i(t) = U · I(cosφ − cos(2ωt − φ))
Moc czynn ˛ a definiuje si ˛ e jako ´sredni ˛ a jednookresow ˛ a (okresu mocy chwilowej !)
P = 1 T
Z
t0+T t0p(t)dt = U · I · cos φ
W obwodach o wymuszeniu sinusoidalnym moc czynna jest iloczynem warto´sci skutecznych napi ˛ ecia i nat ˛ e ˙zenia pr ˛ adu oraz cosinusa k ˛ ata przesuni ˛ ecia fazowego mi ˛ edzy wskazami napi ˛ ecia i pr ˛ adu.
Współczynnik cos φ, zwany współczynnikiem mocy, odgrywa wielk ˛ a rol ˛ e praktyczn ˛ a.
W obwodach pr ˛ adu sinusoidalnego definiuje si ˛ e te ˙z moc biern ˛ a
Q. Q = U · I · sinφ
Przyjmuje si ˛ e konwencj ˛ e, ˙ze moc bierna obwodu o charakterze
indukcyjnym jest dodatnia, a o charakterze pojemno´sciowym ujemna.
Moc pr ˛adu sinusoidalnego Moc czynna, moc bierna, moc pozorna
Moc pozorna
Moc, czy energia nazywa si ˛e biern ˛a, bo nie wykonuje ˙zadnej pracy. Jest potrzebna do działania urz ˛adze ´n ale nie zu ˙zywana. Jest wymieniana pomi ˛edzy odbiornikami przez co powoduje obci ˛a ˙zenie linii przesyłowych.
Bior ˛ ac pod uwag ˛ e relacje k ˛ atowe P i Q mo ˙zna potraktowa ´ c je jako cz ˛ e´s ´ c rzeczywist ˛ a i cz ˛ e´s ´ c urojon ˛ a wielko´sci zespolonej zwanej moc ˛ a pozorn ˛ a S
.S = P + j · Q
P S Q
φ
P
S Q
φ
Wykres wektorowy mocy dla obwodu
o charakterze indukcyjnym o charakterze pojemno´sciowym
4/11
Przekaz mocy ´zródło-odbiornik
Optymalny przekaz mocy nadajnik-odbiornik
ZNAD E
A A I
ZODB
B B
U
Wa ˙zne pytanie w elektrotechnice: kiedy odbiornik pobiera z nadajnika maksymaln ˛a moz czynn ˛a?
ZNAD=RNAD+j · XNAD ZODB=R + j · X P = I2·R = E2
|ZNAD+ZODB|2
·R
= E2·R
(RNAD+R)2+ (XNAD+X )2
Pierwszym oczywistym warunkiem jest, ˙ze reaktancja odbiornika powinna by ´c przeciwna do reaktancji nadajnika. Wtedy:
P = E2·R (RNAD+R)2
Wyliczenie pierwszj i drugiej pochodnej wzgl. R tego prostego wyra ˙zenia pokazuje drugi warunek, ˙ze moc czynna przekazana do odbiornika jest maksymalna wtedy, gdy R = RNAD.
Kondensator i cewka
L, C - idealne i rzeczywiste
Cewka i kondensator s ˛ a elementami gromadz ˛ acymi energi ˛ e. Idealny, bezstratny kondensator o pojemno´sci C magazynuje w czasie t energi ˛ e:
W (t
0, t) = C Z
u(t)0
u · du = 1
2 C · u
2(t)
i
R iR
C iC
IR
U IC
I
φ
Dobro ´ c kondensatora rzeczywistego to
stosunek energii zmagazynowanej w kondensatorze do
energii rozproszonej w rezystancji R w ci ˛ agu
okresu T.
Q
C= 2 π W
CmaxW
R(T ) Q
C= ω · C · R = I
CI
RW praktyce stratno´s ´c kondensatora modelujemy rezystancj ˛a równoległ ˛a do C, która mo ˙ze wynosi ´c od kilkudziesi ˛eciu MΩ dla niektórych kondensatorów elektrolitycznych do kilkudziesi ˛eciu GΩ dla kondensatorów ceramicznych.
6/11
Kondensator i cewka
L - idealna i rzeczywista
Cewka ma wiele zwojów drutu (np. miedzianego). Rzeczywisty model uwzgl ˛ ednia rezystancj ˛ e zwojów, któr ˛ a doł ˛ acza si ˛ e w szereg
z indukcyjno´sci ˛ a
uL L I
R UR
UR
I UL
U
φ
Dobro ´ c rzeczywistej cewki Q
Lto stosunek maksymalnej energii zgromadzonej w polu
magnetycznym do energii rozproszonej w rezystancji w ci ˛ agu
okresu T.
Q
L= 2 π W
LmaxW
R(T )
Q
L= ω · L R = U
LU
RRezonans w obwodach elektrycznych Rezonzns szeregowy
Układy rezonansowe RLC
Zjawisko rezonansu
Zjawisko rezonansu w obwodzie RLC wyst ˛epuje, gdy reaktancja wypadkowa X = XL−XC jest równa zeru, wi ˛ec i zerowe jest przesuni ˛ecie fazowe napi ˛ecia i pr ˛adu. Obwód nie pobiera ˙zadnej mocy biernej, ale nast ˛epuje wymiana biernej mocy indukcyjnej i biernej mocy pojemno´sciowej, ktore, w rezonansie s ˛a równe ale przeciwnego znaku.
E
R
uR
i(t) L
uL
C
uC
Rezonans szeregowy
Rezonans w szeregowym układzie RLC nazywa si ˛e te ˙z rezonansem napi ˛e ´c, bo skoro XL=XCto UL= −UC. Impedancja
szeregowego danego obwodu RLC jest w rezonansie najmniejsza i wynosi: Z = R.
Warunek wyst ˛ apienia rezonansu: ωL =
ωC1jest spełniony dla cz ˛ estotliwo´sci rezonansowej f
r=
12π√ L·C
8/11
Rezonans w obwodach elektrycznych Rezonans równoległy
Rezonans równoległy
U I
R IR
L IL
C IC
Warunkiem wyst ˛apienia rezonansu w równoległym układzie RLC jest równie ˙z zerowa warto´s ´c k ˛ata fazowego mi ˛edzy pr ˛adem I i napi ˛eciem U. Oznacza to zanik urojonej cz ˛e´sci admitancji zespolonej (odwrotno´sci impedancji) układu: Y = 1Z. Jest to wi ˛ec identyczny warunek, jak dla rezonansu szeregowego:
ωL = ωC1 , prowadz ˛acy do takiego samego wzoru na cz ˛esto´s ´c rezonansow ˛a układu:ωR= √1
LC.
Rezonans równoległy nazywa si ˛e te ˙z rezonansem pr ˛adów, poniewa ˙z równo´s ´c XLi XC implikuje równo´s ´c IL= −IC
Zachowanie si ˛ e obwodów rezonansowych w funkcji cz ˛ estotliwo´sci wokół cz ˛ estotliwo´sci rezonansowej bada si ˛ e przy pomocy
charakterystyk amplitudowych (napi ˛ e ´ c i pr ˛ adów) i fazowych. Układy rezonansowe słu˙z ˛ a do budowy generatorów sygnałów, czy
elektronicznych filtrów. Wykorzystuj ˛ ac ich własno´sci tłumienia lub
przenoszenia sygnałów w wybranych pasmach cz ˛ estotliwo´sci tworzy
si ˛ e m.in. układy dostrajaj ˛ ace w odbiornikach radiowych i TV.
Rezonans w obwodach elektrycznych Dobro ´c
Dobro ´ c w układach rezonansu
Charakterystyki cz ˛ estotliwo´sciowe zarówno amplitudowe jak i fazowe s ˛ a zdominowane wpływem dobroci obwodu (wielko´sci
niemianowanej)
.W obwodzie szeregowym RLC
dobro ´c to stosunek napi ˛ecia na kondensatorze lub cewce (równe sobie w rezonansie) do napi ˛ecia na rezystorze.
Q = UL UR =UC
UR =ωRL
R = 1
ωRRC = qL
C
R
R modeluje tutaj oporno´s ´c uzwojenia cewki. Dla elementów idealnych, przy R-> 0 dobro ´c układu Q->∞ .
W obwodzie równoległym RLC
dobro ´c to stosunek pr ˛adu ILlub IC, które w rezonansie s ˛a sobie równe, do pr ˛adu IR w oporniku.
Q = IL IR =IC
IR =ωRC
G = 1
ωRGL= R qL
C
W układzie równoległym rezystor R modeluje stratno´s ´c (upływno´s ´c) kondensatora. Przy idealnych elementach, gdy R ->∞, równie ˙z dobro ´c obwodu rezonansowego Q->∞.
10/11
Rezonans w obwodach elektrycznych Dobro ´c
Przykład - charakterystyka cz ˛ estotliwo´sciowa
Charakterystyka cz ˛estotliwo´sciowa pr ˛adu dla szeregowego układu RLC
Dla szeregowego obwodu RLC zło ˙zonego z cewki o indukcyjno´sci L = 100[mH], kondensatora
o pojemno´sci C = 10[ µF]
przedstawiona jest obok pr ˛ adowa charakterystyka cz ˛ estotliwo´sciowa I( ω) dla dwóch warto´sci rezystancji opornika R: R = 7[Ω] oraz R = 2 .2[Ω]
Odpowiadaj ˛ ace tym warto´sciom dobroci ukladu rezonansowego wynosz ˛ a odpowiednio: Q = 14 .1 i Q = 44 .7
.700 800 900 1,000 1,100 1,200 1,300 1
2 3 4
ωR
I